一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法技术

技术编号:33144259 阅读:19 留言:0更新日期:2022-04-22 13:55
本发明专利技术公开了一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,具体为:将一定量的钨粉冷压成坯,进行烧结后随炉冷却得到烧结好的钨块,在钨块上方,放置CuCrZr合金块,然后置于真空炉中在熔渗,得到熔渗后的CuW合金;将CuW与CuCrZr合金的待连接面加工并清洗干净,使CuW合金放置于CuCrZr合金上方,并置于石墨坩埚中于气氛真空两用烧结炉中,用两步烧结法实现CuW合金与CuCrZr合金的连接,得到CuW/CuCrZr整体合金块,再进行固溶及时效处理,得到连接好的CuW/CuCrZr合金。解决了现有技术中存在的CuW/CuCrZr界面在连接过程中存在ZrO2夹杂,导致界面连接强度低的问题。面连接强度低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法


[0001]本专利技术属于整体触头合金连接方法
,涉及一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法。

技术介绍

[0002]电触头是电器开关的接触元件,主要担负着开断负载电流的任务。触头和灭弧系统是开关的核心,在电路保护中起着至关重要的作用。开关的安全性,可靠性及开断特性很大程度上取决于触头材料的物理性能。现有的电触头大多是CuW/CuCr整体触头,但随着电网容量的增加,触头开断时产生的热量急剧增加,对CuW/CuCr整体触头上CuCr合金的高温性能也提出越来越严苛的要求。CuCrZr合金因其显著优于CuCr合金的高温性能成为下一代整体触头导电段的材料选择。但是Zr对氧的亲和力极强,CuW/CuCrZr界面极易在连接过程中生成ZrO2夹杂,导致界面连接强度低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,解决了现有技术中存在的CuW/CuCrZr界面在连接过程中存在ZrO2夹杂,导致界面连接强度低的问题。
[0004]本专利技术所采用的技术方案是,一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,具体按照如下步骤实施:
[0005]步骤一,将一定量的钨粉冷压成坯,在1200℃~1400℃进行烧结,保温2~6h,随炉冷却得到烧结好的钨块,在烧结好的钨块上方,放置一定量的CuCrZr合金块,然后置于真空炉中在1200℃~1450℃熔渗,保温2~6h后随炉冷却,得到熔渗后的CuW合金;
[0006]步骤二,将CuW与CuCrZr合金的待连接面加工并清洗干净,使CuW合金放置于CuCrZr合金上方,并置于石墨坩埚中于气氛真空两用烧结炉中,用两步烧结法实现CuW合金与CuCrZr合金的连接,得到CuW/CuCrZr整体合金块;
[0007]步骤三,将步骤二得到的CuW/CuCrZr整体合金块进行固溶及时效处理,得到连接好的CuW/CuCrZr合金。
[0008]本专利技术的特征还在于,
[0009]步骤一得到的CuW合金中W的重量百分比为20%~40%wt。
[0010]步骤二中CuCrZr合金中Cr重量百分比为0.05%~1.0%wt,Zr的重量百分比为0.05%~1.0%wt。
[0011]步骤二中CuCrZr合金配重试样块的选择原则为:根据CuCrZr配重试样块与CuW接触面积,保证CuCrZr配重对CuW试样块的压力在0.5~1MPa范围内。
[0012]步骤二中两步烧结法具体为:将石墨坩埚在气氛真空两用烧结炉中,在氢气气氛中从室温加热至900~1100℃,加热速率3~10℃/min;当温度达到900~1100℃时,停止通入氢气,开始抽真空,并保持在该温度,直至真空度升至10
‑3Pa,继续以5~7℃/min升温至1300~1450℃,然后保温2~6h。
[0013]步骤三中固溶温度为800~1200℃,时间1~3h。
[0014]步骤三中时效温度为200~600℃,时间2~6h。
[0015]本专利技术的有益效果是:
[0016]本专利技术采用两步烧结法,第一段中采用氢气还原气氛还原净化CuW及CuCrZr合金;第二段采用高真空可以保证CuCrZr合金及连接界面不被氧化,同时Cr和Zr元素会向CuW基体中扩散,实现CuW合金与CuCrZr合金的冶金结合,从而获得界面结合力高的CuW/CuCrZr整体触头。
[0017]经本专利技术步骤三热处理后CuW/CuCrZr界面的连接强度不小于320MPa。
具体实施方式
[0018]下面结合具体实施方式对本专利技术进行详细说明。
[0019]本专利技术一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,具体按照如下步骤实施:
[0020]步骤一,将一定量的钨粉冷压成坯,在1200℃~1400℃进行烧结,保温2~6h,随炉冷却得到烧结好的钨块,在烧结好的钨块上方,放置一定量的CuCrZr合金块,然后置于真空炉中在1200℃~1450℃熔渗,保温2~6h后随炉冷却,得到熔渗后的CuW合金,其中,CuW合金中W的重量百分比为20%~40%wt;
[0021]步骤二,将CuW与CuCrZr合金的待连接面加工并清洗干净,使CuW合金放置于CuCrZr合金上方,并置于石墨坩埚中于气氛真空两用烧结炉中,用两步烧结法实现CuW合金与CuCrZr合金的连接,具体为:将石墨坩埚在气氛真空两用烧结炉中,在氢气气氛中从室温加热至900~1100℃,加热速率3~10℃/min;当温度达到900~1100℃时,停止通入氢气,开始抽真空,并保持在该温度,直至真空度升至10
‑3Pa,继续以5~7℃/min升温至1300~1450℃,然后保温2~6h,得到CuW/CuCrZr整体合金块;其中,CuCrZr合金中Cr重量百分比为0.05%~1.0%wt,Zr的重量百分比为0.05%~1.0%wt;CuCrZr合金配重试样块的选择原则为:根据CuCrZr配重试样块与CuW接触面积,保证CuCrZr配重对CuW试样块的压力在0.5~1MPa范围内;
[0022]步骤三,将步骤二得到的CuW/CuCrZr整体合金块进行固溶及时效处理,固溶温度为800~1200℃,时间1~3h,时效温度为200~600℃,时间2~6h,得到连接好的CuW/CuCrZr合金。
[0023]实施例一:
[0024]一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,具体为:将一定量的钨粉冷压成坯,在1300℃进行烧结,保温3h,随炉冷却后开始熔渗。在烧结好的钨块上方,放置一定量的CuCrZr合金块,然后置于真空炉中在1200℃熔渗,保温2h后随炉冷却,得到熔渗后的CuW合金。随后将CuW合金与CuCrZr合金加工成一定尺寸的试样块,机加工切削掉CuW合金的表面氧化层,然后用100
#
砂轮片打磨处理CuCrZr合金试样块表面,随后用柔和的布或纸粘上酒精将表面油污擦干净。将CuW合金试样块放置在CuCrZr试样块的下方,并在CuCrZr合金试样块上方放置CuCrZr配重试样块进行配重;根据CuCrZr配重试样块与CuW接触面积,使CuCrZr配重对CuW试样块的压力在0.5MPa。将试样块按顺序共同放入石墨模具中,置于真空炉中分两段加热,在室温~900℃升温速率为7℃/min,加热时通入氢气。当温度达到900℃时,停止通入氢气,迅速运行真空系统开始抽真空,保温一定时间,直至真空度升至10
‑3pa以上,保持
此真空度,升温至1350℃,升温速率为5℃/min,然后保温3h,随炉冷却。最后将所得式样热处理,热处理后CuW/CuCrZr界面的连接强度为340.7MPa,具体参数为:固溶温度900℃,时间2h。时效温度为300℃,时间4h。经后续机械加工即可得到CuW/CuCrZr合金触头。
[0025]实施例二:
[0026]一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,具体为:将一定量本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,其特征在于,具体按照如下步骤实施:步骤一,将一定量的钨粉冷压成坯,在1200℃~1400℃进行烧结,保温2~6h,随炉冷却得到烧结好的钨块,在烧结好的钨块上方,放置一定量的CuCrZr合金块,然后置于真空炉中在1200℃~1450℃熔渗,保温2~6h后随炉冷却,得到熔渗后的CuW合金;步骤二,将CuW与CuCrZr合金的待连接面加工并清洗干净,使CuW合金放置于CuCrZr合金上方,并置于石墨坩埚中于气氛真空两用烧结炉中,用两步烧结法实现CuW合金与CuCrZr合金的连接,得到CuW/CuCrZr整体合金块;步骤三,将步骤二得到的CuW/CuCrZr整体合金块进行固溶及时效处理,得到连接好的CuW/CuCrZr合金。2.根据权利要求1所述的一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,其特征在于,所述步骤一得到的CuW合金中W的重量百分比为20%~40%wt。3.根据权利要求2所述的一种CuW合金与CuCrZr合金的连接方法,其特征在于,所述步骤二中CuCrZr合金中Cr重量百分比为0.05%~1.0%wt,...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖鹏温斌斌梁淑华陈铮张乔邹军涛
申请(专利权)人:西安理工大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1