一种小型化吸透一体频率选择表面制造技术

本发明专利技术公开了一种小型化吸透一体频率选择表面，包括上层介质基板和下层介质基板，在上层介质基板和下层介质基板之间填充级联介质；在上层介质基板上侧设置集总元件加载的金属单元，集总元件加载的金属单元为十字

【技术实现步骤摘要】
一种小型化吸透一体频率选择表面


[0001]本专利技术属于雷达隐身
，更进一步涉及电磁场与微波
中的一种小型化吸透一体频率选择表面。

技术介绍

[0002]吸透一体频率选择表面(Frequency selective rasorber,FSR)是以传统形式频率选择表面为基础，集成电路模拟吸收体(Circuit
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analog absorber,CAA)特性的一类周期性电磁结构。FSR结构依靠其吸波特性可实现目标的双站RCS缩减，与天线罩罩体进行一体化设计时，甚至可以采用平面结构作为天线蒙皮置于天线罩支撑层内部，设计与加工得以简化。因此，吸透一体频率选择表面研究已成为天线隐身技术中的关键性课题之一，在隐身技术的发展中具有重要意义。
[0003]现有的吸透一体频率选择表面可以根据它们结构尺寸不同分为二维吸波频率选择结构和三维吸波频率选择结构，对于二维FSR按照结构性能可分为如下几类：第一类是单边吸波型FSR，其在工作频带(透波频带)以外存在一个吸波频带，具体可分为“吸
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透”型FSR与“透...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小型化吸透一体频率选择表面，其特征在于，包括上层介质基板(7)和下层介质基板(2)，以及在上层介质基板(7)和下层介质基板(2)之间填充的级联介质(8)；在上层介质基板(7)上侧设置集总元件加载的金属单元(6)，集总元件加载的金属单元(6)为十字
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对角弯折复合结构；在下层介质基板(2)上下侧设置上侧金属单元(1)和下侧金属单元(3)，上侧金属单元(1)和下侧金属单元(3)为分别与十字
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对角弯折复合结构对应的小金属单元；在下层介质基板(2)四周上下侧设置短金属段(4)和穿过下层介质基板(2)的金属化通孔(5)。2.根据权利要求1所述的小型化吸透一体频率选择表面，其特征在于，所述下侧金属单元(3)与上侧金属单元(1)结构一致，相对于下层介质基板(2)镜像布置。3.根据权利要求1所述的小型化吸透一体频率选择表面，其特征在于，所述短金属段(4)间隔分布于下层介质基板(2)四周的上下侧，金属化通孔(5)位于下层介质基板(2)的四周用于连接基板四周上下侧的短金属段(4)。4.根据权利要求1所述的小型化吸透一体频率选择表面，其特征在于，所述下层介质基板(2)和上层介质基板(7)均为聚四氟乙烯材质的长方体介质基板，上层介质基板(7)的厚度大于下层介质基板(2)的厚度。5.根据权利要求1所述的小型化吸透一体频率选择表面，其特征在于，所述小金属单元包括矩形金属板、引线金属段和若干段短金属段，四个沿下层介质基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：张澎，高雨辰，姜文，唐柏青，艾夏，林佳曼，胡伟，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：