半导体光电器件制造技术

本发明专利技术提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的２张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ｎ↓［ｉ］与膜厚ｄ↓［ｉ］乘积ｎ↓［ｉ］ｄ↓［ｉ］的总和∑ｎ↓［ｉ］ｄ↓［ｉ］，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑ｎ↓［ｉ］ｄ↓［ｉ］＞λ／４的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率Ｒ（λ）为基准，包括连续从－１％到＋２．０％范围内上述波长λ的波长带宽△λ除以上述波长λ的值△λ／λ为０．０６２以上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种作为光信息处理用的光源、光通信的信号、以及光纤放大器的激励光源等使用的半导体激光器、放大光信号的半导体放大器和调制光信号的光调制器等的半导体光电器件。
技术介绍
在半导体激光器、光调制器等半导体光电器件端面部的波导层上，通常，涂覆有反射膜。如把设于该半导体光电器件端面部的反射膜(涂覆膜折射率n1)的膜厚d设定为λ/(4n1)的奇数倍，反射膜的反射率就取极小值。进而，通过在端面部形成涂覆膜具有包括波导层的叠层构造体折射率nc的平方根折射率而得到无反射膜。例如，把半导体激光器端面的反射膜制成无反射膜的例子(例如，参照非专利文献1)是众所周知。可以认为，在包括半导体光电器件端面部波导层的叠层构造体(有效折射率nc＝3.37)上改变膜厚形成单层反射膜(折射率n1＝1.449)的反射率对波长依赖关系。这里，在设定波长λ＝980nm下要设定为使其反射率取最小值。所谓反射率取最小值的情况，就是λ/(4n1)奇数倍膜厚的情况。因此，如对膜厚λ/(4n1)的单层反射膜的情况和膜厚5λ/(4n1)的单层反射膜情况分别进行研究，膜厚λ/(4n1)的单层反膜与膜厚5λ/(4n1)的单层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光电器件，其特征是，具备包括由有源层和夹着所述有源层的２张包层构成的波导层的叠层构造体，和在所述叠层构造体的一对相对的端面部内至少其一端面部上形成的多层反射膜；　　　　所述多层反射膜各膜的折射率ｎ↓［ｉ］与膜厚ｄ↓［ｉ］乘积ｎ↓［ｉ］ｄ↓［ｉ］的总和∑ｎ↓［ｉ］ｄ↓［ｉ］，对于波导所述波导层的光的波长λ，满足∑ｎ↓［ｉ］ｄ↓［ｉ］＞λ／４的关系；　　　　所述多层反射膜的反射率以所述波长λ时的反射率Ｒ（λ）为基准，反射率把包括从（Ｒ（λ）－１％）变成（Ｒ（λ）＋２．０％）的范围内的所述波长λ的连续的波长带宽△λ除以所述波长λ的值△λ／λ为０．０６２以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：原君男，川崎和重，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]