一种低损耗高介电常数铌镁酸铅-钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及功能陶瓷技术领域，且公开了一种低损耗高介电常数铌镁酸铅

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及功能陶瓷
，具体为一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]随着科学技术的飞速发展，人们对恶性肿瘤的生长分裂机理进行了深入的研究，并提出了新的治疗方案，以提高绝症患者的存活率和改善患者的生存质量。电场治疗就是近年来新兴的肿瘤无创物理治疗手段，它通过体外贴敷式陶瓷电极片，向体内病灶部位传递低场强的交变电场，从而抑制和破坏处于快速分裂状态的肿瘤细胞的生长，由于采用了大容量电池，该治疗设备可以穿戴在人体上，是一种便携、有效、低副反应的新型治疗方式，该治疗设备使用了PMN
‑
PT弛豫型高介电常数低损耗铁电材料作为陶瓷电极片。
[0003]由信号源产生的低场强交变信号通过阵列陶瓷电极以电容耦合的方式传送到目标组织，1)为了实现陶瓷电极和皮肤的紧密接触，电极瓷片的面积必须适宜；2)为了减少电极瓷片的分压，减小压降，提高治疗效果。根据电容串联分压原理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用，包括PMN
‑
PT弛豫铁电陶瓷材料，其特征在于：所述PMN
‑
PT弛豫铁电陶瓷材料的化学结构式为xPb(Mg1/3Nb2/3)
‑
yPbTiO3(以下简称PMN
‑
PT)，其中0.9≤x≤1.0，0≤y≤0.1，x+y＝1.0。2.根据权利要求1所述的一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用，其特征在于：所述PMN
‑
PT弛豫铁电陶瓷材料，其中优选的配比为0.05≤y≤0.1，所使用的原材料为电子级的PbO，TiO2，MgCO3和Nb2O5，PbO的引入可以使用红丹和黄丹，MgCO3的引入可以采用MgO，Mg(OH)2等镁盐。3.根据权利要求2所述的一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用，其特征在于：所述为了进一步降低PMN
‑
PT陶瓷材料的烧结温度，减少PbO在烧结过程中的挥发而导致的电性能恶化，同时提高材料的烧结致密度，引入了少量的烧结助剂，例如微量的CuO，ZnO，BaCO3，SrCO3，Bi2O3等烧结助剂，加入比例小于0.2wt％。4.根据权利要求3所述的一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用，其特征在于：所述为了进一步改善PMN
‑
PT陶瓷材料的介电特性和机械强度，引入了少量的稀土改性氧化物，例如Dy2O3，Y2O3，Sc2O3，Yb2O3等稀土氧化物改性助剂，加入比例小于0.5wt％。5.根据权利要求4所述的一种低损耗高介电常数铌镁酸铅
‑
钛酸铅介质陶瓷材料制备方法及其应用，其特征在于：所述PMN
‑
PT弛豫铁电陶瓷材料的工艺步骤如下：(1)按照化学剂量比称取PbO，TiO...

【专利技术属性】
技术研发人员：白旭春，杜炳纯，常飞，张殿德，魏崇，耿青坤，
申请(专利权)人：森霸传感科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：