一种改善单晶硅片烘干的方法技术

本发明专利技术属于涉及单晶电池片技术领域，具体一种改善单晶硅片烘干的方法，通过对烘干槽进行优化，改变硅片和花篮在烘干槽内的状态，使硅片和花篮之间的水分更容易烘干。具体地，改进槽体的花篮支架，由原来静止不动的花篮支架，通过为花篮支架增加升降机构，使其在烘干过程中缓慢进行升降，使花篮在烘干时存在一定倾斜角度，利用重力和烘干时通入的热氮气流，使各个硅片在花篮内的相邻两个花篮齿之间移动，从而避免硅片和花篮因水的表面张力而吸附在一起，改善因硅片与花篮的接触引起的烘干困难的情况。本发明专利技术降低了硅片烘干工艺的温度，缩短了烘干工艺时间，可有效降级能耗，节约成本；同时可减少烘干后带液片的数量，提高产品良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善单晶硅片烘干的方法


[0001]本专利技术属于单晶电池片
，具体涉及一种改善单晶硅片烘干的方法。

技术介绍

[0002]目前常规单晶电池片生产过程为：制绒
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扩散
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碱抛
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退火
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SiNx镀膜
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丝网印刷
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烧结
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分选
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检测。制绒和槽式碱抛都涉及到工艺完成后对硅片的脱水烘干。
[0003]在制绒和槽式碱抛完成后通过HF与HCl混酸清洗增加硅片表面的疏水性，再经过慢提拉槽后对硅片进行预脱水，最后使用热氮气对硅片进行烘干去除硅片表面的水。在烘干过程中因为硅片与承载花篮的接触，造成硅片与花篮接触位置的水分不容易被烘干，为达到烘干效果就需要提高烘干气体的温度和延长烘干的时间。更高的烘干温度以及更长的烘干时间带来更大的能耗和烘干气体的消耗，不利与生产成本的控制；另外，目前烘干槽在工作时，承载硅片的花篮被固定在槽体内，硅片和花篮接触时因为水的表面张力容易吸附在一起，不利于热氮气对硅片表面进行烘干。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的在于解决单晶制绒或槽式碱抛在烘干过程中因单晶硅片与花篮接触造成单晶硅片烘干不完全产生的硅片带液情况，提供一种改善单晶硅片烘干的方法。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]一种改善单晶硅片烘干的方法，包括以下步骤：
[0007]S1.将花篮放入烘干槽，并保持花篮支架升降机构A与花篮支架升降机构B处于水平对齐的位置，此时所述花篮中的硅片处于杂乱无序的状态；
[0008]S2.控制花篮支架升降机构A在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B在与水平面垂直的方向上缓慢上升，在此过程中，所述花篮中的硅片受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向a，花篮方向b上没有接触花篮齿的硅片的一面被烘干；
[0009]S3.控制花篮支架升降机构A在与水平面垂直的方向上缓慢上升，同时，控制花篮支架升降机构B在与水平面垂直的方向上缓慢下降，在此过程中，所述花篮中的硅片受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向b，花篮方向a上没有接触花篮齿的硅片的一面被烘干；
[0010]S4.控制花篮支架升降机构A在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B在与水平面垂直的方向上缓慢上升，使花篮支架升降机构A与花篮支架升降机构B处于水平对齐的位置，烘干完成。
[0011]进一步地，所述花篮支架升降机构A和花篮支架升降机构B均为气动升降机构，通过气缸与双导杆或四根导杆实现双行程或三行程举升。
[0012]进一步地，所述花篮齿的一排设置在花篮支架的内底面上，另一排设置在花篮支架的内中上方。
[0013]更进一步地，所述花篮支架内底面上的花篮齿的正切面形状为正三角形，所述花篮支架内中上方的花篮齿的正切面形状为正方形。
[0014]进一步地，所述硅片的数量为21片。
[0015]本专利技术通过对烘干槽进行优化，改变硅片和花篮在烘干槽内的状态，使硅片和花篮之间的水分更容易烘干。具体地，改进槽体的花篮支架，由原来静止不动的花篮支架，通过为花篮支架增加升降机构，使其在烘干过程中缓慢进行升降，使花篮在烘干时存在一定倾斜角度，利用重力和烘干时通入的热氮气流，使各个硅片在花篮内的相邻两个花篮齿之间移动，从而避免硅片和花篮因水的表面张力而吸附在一起，改善因硅片与花篮的接触引起的烘干困难的情况。
[0016]与现有技术相比，本专利技术降低了硅片烘干工艺的温度，缩短了烘干工艺时间，可有效降级能耗，节约成本；同时可减少烘干后带液片的数量，提高产品良率。
附图说明
[0017]图1本专利技术方法烘干过程中花篮状态一；
[0018]图2本专利技术方法烘干过程中花篮状态二；
[0019]图3本专利技术方法烘干过程中花篮状态三；
[0020]图1
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3标记含义如下：1
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花篮，2
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花篮支架升降机构A，3
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花篮支架升降机构B，4
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硅片，5
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花篮方向a，花篮方向b 6，花篮齿7，烘干槽8，花篮支架9。
具体实施方式
[0021]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下则结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。应当理解，以下描述仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术，且下述实施例中的方法，如没有特别说明，均为本领域的常规方法。
[0022]下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细说明。
[0023]一种改善单晶硅片烘干的方法，包括以下步骤：
[0024]S1.将花篮1刚放入烘干槽8时，保持花篮支架升降机构A 2与花篮支架升降机构B 3处于水平对齐的位置，花篮1处于如图1所示的状态一，此时所述花篮1中的硅片4处于杂乱无序的状态；
[0025]S2.控制花篮支架升降机构A 2在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B 3在与水平面垂直的方向上缓慢上升，最终花篮1处于如图2所示的状态二，在此过程中，所述花篮1中的硅片4受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向a 5，花篮方向b 6上没有接触花篮齿7的硅片4的一面很容易被烘干；
[0026]S3.待花篮方向b 6上没有接触花篮齿7的硅片4的一面烘干完成后，控制花篮支架升降机构A 2在与水平面垂直的方向上缓慢上升，最终花篮1处于如图3所示的状态三，同时，控制花篮支架升降机构B 3在与水平面垂直的方向上缓慢下降，在此过程中，所述花篮1中的硅片4受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向b 6，花篮方向a 5上没有接触花篮齿7的硅片4的一面很容易被烘干；
[0027]S4.待花篮方向a 5上没有接触花篮齿7的硅片4的一面烘干完成后，控制花篮支架升降机构A 2在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B 3在与水平面垂直的方向上缓慢上升，使花篮支架升降机构A 2与花篮支架升降机构B 3处于水平对齐的位置，最终花篮1回到如图1所示的状态一，烘干工艺结束。
[0028]所述花篮支架升降机构A 2和花篮支架升降机构B 3均采用现有的气动升降机构，通过气缸与双导杆实现双行程举升。
[0029]所述花篮齿7的一排设置在花篮支架9的内底面上，另一排设置在花篮支架9的内中上方。
[0030]所述花篮支架9内底面上的花篮齿7的正切面形状为正三角形，所述花篮支架9内中上方的花篮齿7的正切面形状为正方形。
[0031]所述硅片4的数量为21片。
[0032]上述实施例仅是本专利技术的较优实施方式，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善单晶硅片烘干的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将花篮(1)放入烘干槽(8)，并保持花篮支架升降机构A(2)与花篮支架升降机构B(3)处于水平对齐的位置，此时所述花篮(1)中的硅片(4)处于杂乱无序的状态；S2.控制花篮支架升降机构A(2)在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B(3)在与水平面垂直的方向上缓慢上升，在此过程中，所述花篮(1)中的硅片(4)受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向a(5)，花篮方向b(6)上没有接触花篮齿(7)的硅片(4)的一面被烘干；S3.控制花篮支架升降机构A(2)在与水平面垂直的方向上缓慢上升，同时，控制花篮支架升降机构B(3)在与水平面垂直的方向上缓慢下降，在此过程中，所述花篮(1)中的硅片(4)受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向b(6)，花篮方向a(5)上没有接触花篮齿(7)的硅片(4)的一面被烘干；S4.控制花篮支架...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡昌顺，邹敏凤，谢耀辉，张鹏，曹其伟，
申请(专利权)人：江西中弘晶能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：