发光滤光集成光电子芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。所述发光滤光集成光电子芯片包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n

【技术实现步骤摘要】
发光滤光集成光电子芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]在生物样本检测、光谱分析等领域，当光源发射的检测光照射到样品上时，样品会激发出长波长的荧光，且样品的相关信息会加载在荧光上。之后，通过分光、滤光等器件采集激发荧光，以进行数据分析。传统上，荧光分析需要复杂的光路系统，例如需要分别集成光源器件、分光器件和滤光器件，并调整光源器件、分光器件和滤光等器件的相对位置关系，从而实现荧光激发和采集等功能。这些复杂的光路系统不仅会造成荧光分析的成本增加，而且会导致荧光分析装置的体积庞大。另外，各独立的器件(例如光源器件、分光器件和滤光器件)之间位置的微小偏差，都会影响样品检测结果的准确度。
[0003]因此，如何简化荧光分析的光路系统，并提高荧光分析结果的准确度，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法，用于解决现有的荧光分析系统光路结构复杂的问题，并提高荧光分析结果的准确本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光滤光集成光电子芯片，其特征在于，包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n
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GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p
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GaN层，所述透明LED器件至少能够沿所述背面指向所述正面的方向发射具有第一波长的发射光信号；滤光器件，位于所述透明衬底的背面，用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长。2.根据权利要求1所述的发光滤光集成光电子芯片，其特征在于，所述n
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GaN层包括下台面和凸设于所述下台面表面的上台面，所述InGaN/GaN量子阱层位于所述上台面；所述透明LED器件还包括：n
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电极，位于所述下台面；p
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电极，位于所述p
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GaN层背离所述InGaN/GaN量子阱层的表面。3.根据权利要求2所述的发光滤光集成光电子芯片，其特征在于，所述上台面、所述InGaN/GaN量子阱层、所述p
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GaN层和所述p
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电极均呈梳齿状；在沿垂直于所述正面的方向上，所述p
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电极的投影的长度和宽度均小于所述p
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GaN层的投影的长度和宽度。4.根据权利要求2所述的发光滤光集成光电子芯片，其特征在于，所述n
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电极和所述p
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电极均为透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永进，宋永远，高绪敏，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：