本发明专利技术涉及一种显示面板及电子设备。所述显示面板,包括:发光层、第一电极、吸光膜;发光层位于第一电极上,发光层的出光方向为由第一电极指向发光层的方向;吸光膜位于第一电极背向发光层的一侧与发光层的周侧中的至少一侧。根据本发明专利技术的实施例,可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光强,从而,可以提高显示面板下方的感光元件的信噪比及灵敏度,并且,可以提升显示面板的对比度。可以提升显示面板的对比度。可以提升显示面板的对比度。
【技术实现步骤摘要】
显示面板及电子设备
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及电子设备。
技术介绍
[0002]相关技术中,随着全面屏技术的发展与进步,以屏下指纹识别为代表的屏下设计越来越多,这对屏下感光元件的工作效果的要求也提出了更高的要求。
[0003]然而,屏下感光元件在工作时容易被干扰。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种显示面板及电子设备,以解决相关技术中的不足。
[0005]根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种显示面板,包括:发光层、第一电极、吸光膜;
[0006]所述发光层位于所述第一电极上,所述发光层的出光方向为由所述第一电极指向所述发光层的方向;
[0007]所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧中的至少一侧。
[0008]在一个实施例中,所述第一电极为阳极或者阴极。
[0009]在一个实施例中,所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧。
[0010]在一个实施例中,当所述第一电极为阳极时,所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述吸光膜在所述发光层上的投影内;当所述第一电极为阴极时,所述吸光膜在所述发光层上的投影位于所述第一电极在所述发光层上的投影内。
[0011]在一个实施例中,所述吸光膜位于所述发光层的周侧。
[0012]在一个实施例中,还包括像素定义层,所述像素定义层与所述吸光膜同层,所述像素定义层与所述吸光膜相邻。
[0013]在一个实施例中,所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧。
[0014]在一个实施例中,所述吸光膜包括第一吸光部与第二吸光部;
[0015]所述第一吸光部位于所述第一电极背向所述发光层的一侧,所述第二吸光部位于所述发光层的周侧。
[0016]在一个实施例中,所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述第一吸光部在所述发光层上的投影内。
[0017]在一个实施例中,还包括像素定义层,所述像素定义层与所述第二吸光部同层,所述像素定义层与所述第二吸光部相邻。
[0018]在一个实施例中,所述吸光膜的材料包括碳纳米管、石墨烯、掺杂碳黑的聚酰亚胺、碳化钛、氧化钛、氮氧化钛、四氧化三铁、三氧化钼、硅与电绝缘性偶氮系材料中的至少一种;或者,
[0019]所述吸光膜的材料包括金属。
[0020]在一个实施例中,当所述吸光膜的材料包括电绝缘性偶氮系材料时,所述电绝缘性偶氮系材料为2
‑
羟基
‑
11H
‑
苯并[a]‑
咔唑
‑3‑
羧酸芳基酰胺;
[0021]当所述吸光膜的材料包括金属时,所述吸光膜的材料包括铁、钛、钨与镍中的至少一种。
[0022]根据本专利技术实施例的第二方面,提供一种电子设备,包括上述任一种显示面板。
[0023]在一个实施例中,所述电子设备包括显示区与非显示区,所述显示区与所述非显示区相邻;所述非显示区包括透光区与非透光区,所述非透光区环绕所述显示区,所述透光区与所述非透光区相邻,所述透光区位于所述非透光区远离所述显示区的一侧;所述电子设备还包括感光元件;
[0024]所述发光层的至少部分与所述第一电极的至少部分位于所述显示区;所述吸光膜位于所述非透光区与所述显示区中的至少一处;所述感光元件位于所述显示面板背离出光面的一侧,所述感光元件在所述显示面板上的投影位于所述透光区。
[0025]根据上述实施例可知,由于发光层位于第一电极上,发光层的出光方向为由第一电极指向发光层的方向,吸光膜位于第一电极背向发光层的一侧与发光层的周侧中的至少一侧。这样,发光层发出的出光方向以外的光中的至少部分光会入射至吸光膜,吸光膜可吸收这部分光,从而,可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光强,进而,可以提高显示面板的对比度。
[0026]而且,在电子设备中,由于吸光膜可以吸收发光层发出的出光方向以外的光中的至少部分光,这样,可以减少发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光入射至感光元件,进而,可以避免感光元件受到发光层发出的光的干扰,提升感光元件的信噪比及灵敏度,同时,可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光的强度,进而,可以提高显示面板的对比度。
[0027]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本专利技术。
附图说明
[0028]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本专利技术的实施例,并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0029]图1是根据本专利技术实施例示出的一种显示面板的结构示意图;
[0030]图2是根据本专利技术实施例示出的一种吸光膜的材料的透过率示意图;
[0031]图3是根据本专利技术实施例示出的一种显示面板改进后的总透过率示意图;
[0032]图4是根据本专利技术实施例示出的一种显示面板的结构示意图;
[0033]图5是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0034]图6是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0035]图7是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0036]图8是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0037]图9是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0038]图10是根据本专利技术实施例示出的一种电子设备的结构示意图;
[0039]图11是根据本专利技术实施例示出的另一种电子设备的结构示意图;
[0040]图12是根据本专利技术实施例示出的另一种电子设备的结构示意图;
[0041]图13是根据本专利技术实施例示出的另一种电子设备的结构示意图;
[0042]图14是根据本专利技术实施例示出的另一种电子设备的结构示意图;
[0043]图15是根据本专利技术实施例示出的另一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0044]这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0045]本专利技术实施例提供一种显示面板,该显示面板为顶发射结构,如图1所示,该显示面板包括:封装层10、光取出层11、阴极12、发光层13、阳极14、吸光膜15、像素定义层16、平坦化层20、缓冲层17、衬底18与驱动电路层19。其中,驱动电路层19包括漏电极191、源电极192、第一绝缘层193、栅极绝缘层194、栅极层195、第二绝缘层196与有源层197。其中,漏电极191、源电极192的位置可互换。有源层197的材料可为多晶硅。缓冲层17位于衬底18本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:发光层、第一电极、吸光膜;所述发光层位于所述第一电极上,所述发光层的出光方向为由所述第一电极指向所述发光层的方向;所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧中的至少一侧。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极为阳极或者阴极。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,当所述第一电极为阳极时,所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述吸光膜在所述发光层上的投影内;当所述第一电极为阴极时,所述吸光膜在所述发光层上的投影位于所述第一电极在所述发光层上的投影内。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述吸光膜位于所述发光层的周侧。6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,还包括像素定义层,所述像素定义层与所述吸光膜同层,所述像素定义层与所述吸光膜相邻。7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧。8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述吸光膜包括第一吸光部与第二吸光部;所述第一吸光部位于所述第一电极背向所述发光层的一侧,所述第二吸光部位于所述发光层的周侧。9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述第一吸光部在所述发光层上的投影内。10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔超,高昊,李金钰,张如芹,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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