一种复合透明导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、衬底前处理：对衬底表面进行清洗以保证衬底表面干净无杂质并进行烘干；S2、第一氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在衬底上沉积第一氧化物层；S3、金属层制备：使用直流磁控溅射法在第一氧化物层上沉积金属层；S4、第二氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在金属层上沉积第二氧化物层。本发明专利技术的复合透明导电薄膜及其制备方法具有制备工艺简单、光电性能优异、成本低廉和应用广泛的特点。泛的特点。泛的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种复合透明导电薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电薄膜
，具体是指一种复合透明导电薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]透明导电薄膜是一种具有可见光透射率高、导电性能好的光电器件材料，广泛应用于触摸屏、显示器、发光二极管、太阳电池等光电器件领域。目前市场上主要的透明导电薄膜为铟锡氧化物(ITO)薄膜。但ITO薄膜存在价格昂贵、含有贵金属元素铟、制备过程需要高温、不兼容柔性衬底等特点。开发高性能新型透明导电薄膜取代ITO对于光电器件的发展具有十分重大的意义。氧化物/金属/氧化物三明治结构复合透明导电薄膜有可能实现高透射率和低电阻率。如何采用简易的制备工艺获得高性能的氧化物/金属/氧化物结构复合透明导电薄膜是需要解决的一大难题。。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种复合透明导电薄膜及其制备方法，具有制备工艺简单、光电性能优异、成本低廉和应用广泛的特点。
[0004]本专利技术可以通过以下技术方案来实现：本专利技术公开了一种复合透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、衬底前处理：对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1、衬底前处理：对衬底表面进行清洗以保证衬底表面干净无杂质并进行烘干；S2、第一氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在衬底上沉积第一氧化物层；S3、金属层制备：使用直流磁控溅射法在第一氧化物层上沉积金属层；S4、第二氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在金属层上沉积第二氧化物层。2.根据权利要求1所述的复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2和步骤S4中，射频磁控溅射的条件为：溅射功率为50~300 W、工作气体为纯度99.999%以上的氩气、工作氩气流量为10~50 sccm。3.根据权利要求2所述的复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中，直流磁控溅射的条件为：溅射功率为40~100 W、工作气体为纯度99.9...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖珺晨，陈冬，罗国平，朱伟玲，
申请(专利权)人：广东石油化工学院，
类型：发明
国别省市：