半导体结构及其形成方法技术

本申请公开一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有导电区；在导电区上形成第一介质层，第一介质层至少暴露出导电区的部分表面；在第一介质层的表面形成第一导电层，且第一导电层保形覆盖所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在基底上形成第二介质层，第二介质层覆盖所述基底和第一导电层除顶部表面的其他表面，且第二介质层表面与第一导电层的顶部表面齐平；在第二介质层上形成第二导电层，第二导电层至少覆盖第一导电层的部分顶部表面。其可以降低后续各项工艺难度；第二导电层的整个顶部表面作为后续互连面积，使互连面积得到增大，相应半导体结构的互连能力得到提升。体结构的互连能力得到提升。体结构的互连能力得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及集成电路
，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]MEMS(Micro Electromechanical System，微机电装置)在近年来得到高速发展，其是对微米和/或纳米材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术，包括机械构件、光学系统、驱动部件和电控系统等构成单元，广泛应用于智能系统、消费电子、可穿戴设备、智能家居、系统生物技术的合成生物学与微流控技术等领域。MEMS器件主要分为四类，传感MEMS器件，生物MEMS器件，光学MEMS器件和射频MEMS器件。MEMS技术正发展成为一个巨大的产业，目前MEMS市场的主导产品为微致动器，压力传感器、加速度计、微陀螺仪、墨水喷嘴和硬盘驱动头等。
[0003]MEMS器件往往包括多个半导体结构，这些半导体结构需要互连以协助实现相应MEMS器件的各类功能，传统的互连方案容易增加MEMS器件的工艺难度。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，以解决传统的互连方案容易增加M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：提供基底，所述基底表面形成有导电区；在所述导电区上形成第一介质层，所述第一介质层至少暴露出所述导电区的部分表面；在所述第一介质层的表面形成第一导电层，且所述第一导电层保形覆盖所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在所述基底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述基底和所述第一导电层除顶部表面的其他表面，且所述第二介质层表面与所述第一导电层的顶部表面齐平；在所述第二介质层上形成第二导电层，所述第二导电层至少覆盖所述第一导电层的部分顶部表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层的表面形成第一导电层的方法包括：沉积覆盖整个所述导电区和所述第一介质层的第一导电材料层，对所述第一导电材料层进行图形化，形成所述第一导电层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成第二介质层的方法包括：沉积覆盖所述基底以及所述第一导电层的第二介质材料层，以所述第一导电层顶部表面为停止层，对所述第二介质材料层进行平坦化，得到与所述第一导电层齐平的第二介质层。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二介质层上形成第二导电层的方法包括：沉积覆盖所述第一导电层顶部表面的第二导电材料层，对所述第二导电材料层进行图形化，形成各端分别向所述第一导电层各侧延伸的第二导电层。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述导电区上形成第一介质层的方法包括：在所述导电区上形成介质块，刻蚀所述介质块，得到拐角为圆角且至少暴露出所述导电区的部分表面的所述第一介质层。6.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩凤芹，李萍，桂珞，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：