显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个子像素；子像素包括依次设置的第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极包括至少一层导电层，相邻子像素的第一电极之间设置有隔断部，隔断部包括至少一个隔断开口，有机发光层包括叠层设置的多个不同颜色的发光层以及设置在多个不同颜色的发光层之间的电荷产生层；隔断开口包括相对设置的第一表面和第二表面以及设置在第一表面和第二表面之间的第三侧面，第三侧面包括至少一个侧凹结构；在垂直于显示基板的方向上，隔断部与第一电极之间的高度差小于或等于任意一层导电层的厚度。本公开提高了显示效果。提高了显示效果。提高了显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，简称OLED)是近年来发展起来的显示器，硅基OLED是其中的一种。硅基OLED不仅可以实现像素的有源寻址，并且可以实现在硅基衬底上制备像素驱动电路等结构，有利于减小系统体积，实现轻量化。硅基OLED采用成熟的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)集成电路工艺制备，具有体积小、高分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)、高刷新率等优点，广泛应用在虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)或增强现实(Augmented Reality，简称AR)近眼显示领域中。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，能够提高显示效果。
[0004]本公开实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个子像素；所述子像素包括依次设置的第一电极、有机发光层和第二电极，所述第一电极包括至少一层导电层，相邻子像素的第一电极之间设置有隔断部，所述隔断部包括至少一个隔断开口，所述有机发光层包括叠层设置的多个不同颜色的发光层以及设置在所述多个不同颜色的发光层之间的电荷产生层；所述隔断开口包括靠近所述衬底基板一侧的第一表面、远离所述衬底基板一侧的第二表面以及设置在所述第一表面和第二表面之间的第三侧面，所述第三侧面包括至少一个侧凹结构；在垂直于所述显示基板的方向上，所述隔断部远离所述衬底基板的表面与所述第一电极远离所述衬底基板的表面之间的高度差小于或等于任意一层所述导电层的厚度。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的方向上，所述电荷产生层远离所述衬底基板的表面与所述第一电极远离所述衬底基板的表面之间的距离小于或等于所述侧凹结构的高度。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的方向上，所述隔断部远离所述衬底基板的表面与所述第一电极远离所述衬底基板的表面等高齐平。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一电极靠近所述衬底基板的一侧；所述隔断部还包括设置在所述隔断开口与所述第一绝缘层之间的刻蚀阻挡层，且所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述隔断开口在所述衬底基板上的正投影。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极包括至少一个第二电极坡面，所述第二电极坡面在所述衬底基板上的正投影与所述侧凹结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述第一电极靠近隔断开口一侧的上边缘到所述第二电极坡面上的任一点的距离等于或近似等于所述第一电极与所述第二电极之间的高度差。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括像素定义层，所述隔断部以及所述隔断开口由所述像素定义层形成，所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不交叠。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层包括从下至上依次叠层设置的第一像素定义层和第二像素定义层，其中：所述第一像素定义层包括第一子隔断开口，所述第二像素定义层包括第二子隔断开口，所述第一子隔断开口和第二子隔断开口贯通，且所述第一子隔断开口在所述衬底基板上的正投影大于所述第二子隔断开口在所述衬底基板上的正投影，所述第一子隔断开口和所述第二子隔断开口形成第一侧凹结构。8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王英涛，王新星，刘丽艳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：