一种降低发射器增益温漂的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种降低发射器增益温漂的装置及方法，包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；运算放大器的反相输入端与输入端口连接；第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极均与运算放大器的输出端连接；第一NMOS管的漏极和恒流源的正极均与运算放大器的同相输入端连接；第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地；恒流源的负极和负载的第一端均与电源端口连接；负载的第二端和第二NMOS管的漏极均与输出端口连接；本发明专利技术在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。时提高装置的适应性。时提高装置的适应性。

【技术实现步骤摘要】
一种降低发射器增益温漂的装置及方法


[0001]本专利技术涉及无线通信
，具体而言，涉及一种降低发射器增益温漂的装置及方法。

技术介绍

[0002]在无线通信中，发射功率直接影响通信的距离。在温度变化时，若发射输出功率变化较大，则最大的发射功率肯定会超过系统需要的功率，会带来电磁兼容问题和额外的功耗问题。所以芯片应尽可能降低发射通道输出功率的温漂变化。为了降低发射通道输出功率的温漂变化，有的方法通过放大管采用PTAT电流或负温度系数的反馈电阻来实现，提高放大管在高温时的跨导，从而降低输出功率随温度升高而减小的效应；有的方法则是将增益调整用不同温度系数的电阻的比例来实现。但是采用PTAT电流时，要完全补偿增益变化，需要PTAT的斜率很高，这样在低温时，较低的电流将导致电路的线性度变差。采用带源级负反馈的电阻时，会降低放大器的增益，需要增加放大管的电流，从而提高功耗，而且由于需要通过电阻的温度系数来补偿增益温漂，实际会受到工艺限制，要同时满足增益和较低的温漂可能会导致非常大的功耗。采用不同温度系数的比例时，在选定的工艺制程中不一定能找到具有合适温度系数的电阻，这种方法不一定适应所有的工艺制程。因此，需要提供一种方案以便于在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种降低发射器增益温漂的装置及方法，用以实现在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性的技术效果。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种降低发射器增益温漂的装置，包括包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；所述运算放大器的反相输入端与所述输入端口连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接；所述第一NMOS管的漏极和所述恒流源的正极均与所述运算放大器的同相输入端连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地；所述恒流源的负极和所述负载的第一端均与所述电源端口连接；所述负载的第二端和所述第二NMOS管的漏极均与所述输出端口连接。
[0005]进一步地，所述第二NMOS管的跨导为所述第一NMOS管的跨导的k倍，其中k为整数。
[0006]进一步地，所述第二NMOS管为可拆卸的外接NMOS管。
[0007]进一步地，所述第一NMOS管为可拆卸的外接NMOS管。
[0008]第二方面，本专利技术提供了一种降低发射器增益温漂的方法，应用于上述的降低发射器增益温漂的装置，包括：
[0009]获取输入端口的输入信号并根据所述输入信号以及恒流源的正极与第一NMOS管的漏极之间线路上的第一反馈信号进行放大处理，得到第一控制信号；
[0010]将第一控制信号同时作用于第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；
[0011]将第二NMOS管的跨导设为第一NMOS管的跨导的k倍，从而得到输出端口的输出信号；其中k为整数。
[0012]本专利技术能够实现的有益效果是：本专利技术提供的降低发射器增益温漂的装置通过运算放大器、第一NMOS管和恒流源组成了两级放大器，且构成了负反馈电路，以便于运算放大器同相输入端的电压和反相输入端的电压可以保持一致，使得输出端口输出的信号增益只与恒流源、负载、第一NMOS管的跨导与第二NMOS管的跨导之间的比例系数和工艺参数等相关，不易受到温度的影响，能够应用在各种不同工艺中，在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0014]图1为本专利技术实施例提供的一种降低发射器增益温漂的装置的原理图；
[0015]图2为本专利技术实施例提供的一种降低发射器增益温漂的方法的流程示意图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行描述。
[0017]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本专利技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0018]请参看图1，图1为本专利技术实施例提供的一种降低发射器增益温漂的装置的原理图。
[0019]在一种实施方式中，本专利技术实施例提供了一种降低发射器增益温漂的装置，该装置包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；所述运算放大器的反相输入端与所述输入端口连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接；所述第一NMOS管的漏极和所述恒流源的正极均与所述运算放大器的同相输入端连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地；所述恒流源的负极和所述负载的第一端均与所述电源端口连接；所述负载的第二端和所述第二NMOS管的漏极均与所述输出端口连接。
[0020]在上述实现过程中，运算放大器、第一NMOS管和恒流源组成了两级放大器，且构成了负反馈电路，使得运算放大器同相输入端的电压和反相输入端的电压保持一致，使得输出端口输出的信号增益只与恒流源、负载、第一NMOS管的跨导与第二NMOS管的跨导之间的比例系数和工艺参数等相关，不易受到温度的影响，能够应用在各种不同工艺中，在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。
[0021]在一种实施方式中，第二NMOS管的跨导为第一NMOS管的跨导的k倍，其中k为整数；具体地，第一NMOS管和恒流源组成的共源放大器中的输出负载为恒流源。由于恒流源的输出阻抗较大，因此它的增益为：
[0022]A2＝
‑
gm
·
ro(1)
[0023]其中，gm为第一NMOS管的跨导，
[0024][0025]将公式(2)代入公式(1)中，得到：
[0026][0027]从图中可以看到，两级放大器构成了负反馈，只要确保A1
·
A2(A1为运算放大器的增益)的增益足够大(通道>10)，则VF＝V
IN
(V
IN
表示输入端口VIN的输入信号，V
OUT
表示输出端口VOUT的输出信号)，因此可以得到：
[0028][0029]从(3)可以得到：
[0030][0031]由此可以得到通道的级联增益为：
[0032][0033]以上各式中，I
D
为恒流源；λ为工艺参数；k为比例系数，和温度无关；若负载R
Z
再选择随温度变化小的器件，则通道的增益对温度的变化将大大降低。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；所述运算放大器的反相输入端与所述输入端口连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接；所述第一NMOS管的漏极和所述恒流源的正极均与所述运算放大器的同相输入端连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地；所述恒流源的负极和所述负载的第一端均与所述电源端口连接；所述负载的第二端和所述第二NMOS管的漏极均与所述输出端口连接。2.根据权利要求1所述的降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，所述第二NMOS管的跨导为所述第一NMOS管的跨导的k倍，其中k为整数。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：范超，王丽，李勃彦，邵志刚，
申请(专利权)人：成都振芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：