本发明专利技术提供一种包含通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物的发光效率高的发光元件材料及发光元件。X1及X2分别可相同也可不同，且选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。Ar1～Ar4分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。这些芳基及杂芳基可为单环也可为稠环。其中，在Ar1及Ar2中的一者或两者为单环的情况下，所述单环具有一个以上的二级烷基、一个以上的三级烷基、一个以上的芳基或一个以上的杂芳基作为取代基，或者具有合计两个以上的甲基与一级烷基作为取代基。R1及R2分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。R3～R5分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、硅烷基及与邻接基之间的环结构所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。R6及R7分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基及硅烷基所组成的群组中。其中，R6也可为通过在与Ar4之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构，R7也可为通过在与Ar3之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构。这些官能基可进一步具有取代基。基可进一步具有取代基。基可进一步具有取代基。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含吡咯亚甲基硼络合物的发光元件材料、发光元件、显示装置及照明装置
[0001]本专利技术涉及一种包含吡咯亚甲基硼络合物的发光元件材料、发光元件、显示装置及照明装置。
技术介绍
[0002]通过自阴极注入的电子与自阳极注入的空穴在夹持于两极的发光层内再结合而发光的有机薄膜发光元件具有薄型、低驱动电压、高亮度发光、以及通过选择发光材料而实现多色发光的特征。
[0003]其中，红色发光材料作为光的三原色之一、即红色发光所需的原材料正在进行开发。作为现有的红色发光材料，已知有双(二异丙基苯基)苝等苝系、紫环酮系、并四苯系、卟啉系、Eu络合物(《化学快报(Chem.Lett.)》，1267(1991))等。
[0004]另外，作为获得红色发光的方法，也研究了在主体材料中混入微量的红色荧光材料作为掺杂剂的方法。特别是作为掺杂剂材料，可列举含有显示出高亮度发光的吡咯亚甲基金属络合物的材料(例如，参照专利文献1)。另外，近年来，以高发光效率为目标，对包含热活化延迟荧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence，TADF)材料与吡咯亚甲基化合物的发光元件进行了研究(例如，参照专利文献2)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利特开2003
‑
12676号公报
[0008]专利文献2：国际公开第2016/056559号
技术实现思路
[0009]专利技术所要解决的问题r/>[0010]就亮度提高与节电的观点而言，有机薄膜发光元件理想的是发光效率高。特别是在近年来使用不断扩大的移动显示装置中，节电化成为特别重要的课题，要求比现有技术中使用的红色发光材料更高的发光效率。
[0011]另外，在使用发光材料作为掺杂剂的情况下，已知若提高掺杂浓度，则发光效率降低，即发生浓度淬灭，但现有的材料相对于掺杂浓度增加，发光效率的降低率大，掺杂浓度依赖性大，因此存在掺杂浓度管理困难的课题。
[0012]本专利技术的目的在于解决所述现有技术的问题，提供一种发光效率高且掺杂浓度依赖性小的红色发光元件材料及使用其的发光元件。
[0013]解决问题的技术手段
[0014]本专利技术为一种包含通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物的发光元件材料。
[0015][化1][0016][0017]X1及X2分别可相同也可不同，且选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。
[0018]Ar1～Ar4分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。这些芳基及杂芳基可为单环也可为稠环。其中，在Ar1及Ar2中的一者或两者为单环的情况下，所述单环具有一个以上的二级烷基、一个以上的三级烷基、一个以上的芳基或一个以上的杂芳基作为取代基，或者具有合计两个以上的甲基与一级烷基作为取代基。
[0019]R1及R2分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0020]R3～R5分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、硅烷基及与邻接基之间的环结构所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。
[0021]R6及R7分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基及硅烷基所组成的群组中。其中，R6也可为通过在与Ar4之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构，R7也可为通过在与Ar3之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构。这些官能基可进一步具有取代基。
[0022]专利技术的效果
[0023]通过本专利技术，可获得一种发光效率高、掺杂浓度依赖性小的红色发光元件。
具体实施方式
[0024]以下对本专利技术的吡咯亚甲基硼络合物、含有其的发光元件材料、发光元件、显示装置及照明装置的优选的实施方式进行详细说明。其中，本专利技术并不限定于以下的实施方式，可根据目的或用途进行各种变更来实施。
[0025]＜吡咯亚甲基硼络合物＞
[0026]本专利技术的吡咯亚甲基硼络合物是由通式(1)所表示。
[0027][化2][0028][0029]X1及X2分别可相同也可不同，且选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。
[0030]Ar1～Ar4分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。这些芳基及杂芳基可为单环也可为稠环。其中，在Ar1及Ar2中的一者或两者为单环的情况下，所述单环具有一个以上的二级烷基、一个以上的三级烷基、一个以上的芳基或一个以上的杂芳基作为取代基，或者具有合计两个以上的甲基与一级烷基作为取代基。
[0031]R1及R2分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0032]R3～R5分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、硅烷基及与邻接基之间的环结构所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。
[0033]R6及R7分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基及硅烷基所组成的群组中。其中，R6也可为通过在与Ar4之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构，R7也可为通过在与Ar3之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构。这些官能基可进一步具有取代基。
[0034]本专利技术中，将具有通式(2)所表示的吡咯亚甲基骨架者、以及在吡咯亚甲基骨架的一部分中具有缩环结构而环结构扩大者一起称为“吡咯亚甲基”。
[0035][化3][0036][0037]在本专利技术的所有基中，氢也可为氘。在以下所说明的化合物或其部分结构中也相同。
[0038]在本专利技术的说明中，所谓“未经取代”，是指与作为对象的基本骨架或官能基键结的原子仅为氢原子或氘原子。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件材料，包含下述通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物：X1及X2分别可相同也可不同，且选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中；这些官能基可进一步具有取代基；Ar1～Ar4分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基；这些芳基及杂芳基可为单环也可为稠环；其中，在Ar1及Ar2中的一者或两者为单环的情况下，所述单环具有一个以上的二级烷基、一个以上的三级烷基、一个以上的芳基或一个以上的杂芳基作为取代基，或者具有合计两个以上的甲基与一级烷基作为取代基；R1及R2分别可相同也可不同，是经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基；R3～R5分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、硅烷基及与邻接基之间的环结构所组成的群组中；这些官能基可进一步具有取代基；R6及R7分别可相同也可不同，且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基及硅烷基所组成的群组中；其中，R6也可为通过在与Ar4之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构，R7也可为通过在与Ar3之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构；这些官能基可进一步具有取代基。2.根据权利要求1所述的发光元件材料，其中R6及R7中的至少一者为氢原子、或者经取代或未经取代的烷基。3.根据权利要求1所述的发光元件材料，其中通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物为通式(3)～通式(5)中的任一者所表示的吡咯亚甲基硼络合物：
X1及X2、Ar1～Ar4以及R1～R7与通式(1)中者相同；Y1及Y2是包含一个原子或串联排列的两个原子的交联结构，所述原子选自由经取代或未经取代的碳原子、经取代或未经取代的硅原子、经取代或未经取代的氮原子、经取代或未经取代的磷原子、氧原子及硫原子所组成的群组中；在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：川本一成，徳田贵士，长尾和真，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：
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