用于控制俘获的离子的装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及用于控制俘获的离子的装置及其制造方法。一种控制俘获的离子的装置包括第一半导体衬底。第二半导体衬底设置在第一半导体衬底上方。至少一个离子阱在第一半导体衬底和第二半导体衬底之间的空间中被配置成俘获离子。在第一半导体衬底和第二半导体衬底之间设置间隔物，该间隔物包括将第一半导体衬底的第一金属层结构电连接到第二半导体衬底的第二金属层结构的电互连。二金属层结构的电互连。二金属层结构的电互连。

【技术实现步骤摘要】
用于控制俘获的离子的装置及其制造方法


[0001]本专利技术一般涉及俘获的离子的领域，并且特别地涉及用于控制俘获的离子来量子计算的装置和制造这种装置的方法。

技术介绍

[0002]俘获的离子是在量子计算机中用作量子比特（量子位元）的最有前途的候选之一，因为它们可以借助于电磁场以长的存在期被俘获在可缩放阵列中。目前，最先进的离子阱（ion trap）可以单独地控制大约50量子比特，并且可以将多达16量子比特保持在完全纠缠的状态下。未来的量子计算机将需要把可控量子比特的数量增加到超过100或甚至1000以胜过经典的超级计算机。此外，用于每个量子比特的离子的数量将来将提高到大约6到100个离子，以便在量子计算期间允许更高效的纠错。
[0003]随着增加离子数量，对用于控制俘获的离子的装置（诸如例如量子计算装置）的面积要求增加。假设相邻离子之间的平均距离为10至100μm并且离子数量为10000，则总的所需面积可以大到100 cm2至1m2。因此，增加同时俘获的离子的数量同时保持单独控制和测量它们的能力是在控制俘获的离子中并且特别地在发展到实际本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于控制俘获的离子的装置，所述装置包括：第一半导体衬底；第二半导体衬底，设置在所述第一半导体衬底上方；至少一个离子阱，在所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底之间的空间中被配置成俘获离子；以及间隔物，设置在所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间，所述间隔物包括电互连，所述电互连将所述第一半导体衬底的第一金属层结构电连接到所述第二半导体衬底的第二金属层结构。2.根据权利要求1所述的装置，其中，第一金属层结构包括第一接触焊盘和第一电极，所述第一电极形成所述至少一个离子阱的一部分；以及所述电互连将第一接触焊盘电连接至：第二金属层结构的第二接触焊盘，和/或所述第二金属层结构的第二电极，所述第二电极形成所述至少一个离子阱的一部分。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述间隔物包括印刷电路板。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述印刷电路板设置有形成所述电互连的通孔。5.根据权利要求3或4所述的装置，其中，所述印刷电路板包括顶部金属化层、中间金属化层和底部金属化层，其中，所述中间金属化层被结构化为电重分布层。6.根据权利要求3至5中任一项所述的装置，其中，所述印刷电路板具有面对所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间的所述空间的金属化侧壁。7.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述间隔物是金属间隔物。8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述间隔物包括多个间隔物构件，所述间隔物构件设置在所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底的拐角处。9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述间隔物具有在100...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：