多层电容器制造技术

本公开提供一种多层电容器，所述多层电容器包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在主体的外表面上并连接到内电极。主体包括：第一表面和第二表面，内电极暴露于第一表面和第二表面，第一表面和第二表面在第一方向上彼此相对；第三表面和第四表面，在第二方向上彼此相对，第二方向是介电层堆叠的方向；以及第五表面和第六表面，在第三方向上彼此相对。内电极中的至少一个内电极包括第一瓶颈结构和第二瓶颈结构，第一瓶颈结构的第三方向外部区域的第一方向长度小于第一瓶颈结构的内部区域的第一方向长度，第二瓶颈结构的第一方向外部区域的第三方向长度小于第二瓶颈结构的内部区域的第三方向长度。结构的内部区域的第三方向长度。结构的内部区域的第三方向长度。

【技术实现步骤摘要】
多层电容器
[0001]本申请要求于2020年10月12日在韩国知识产权局提交的第 10
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2020
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0131113号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开 内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种多层电容器。

技术介绍

[0003]电容器是能够储存电的装置，其基本上基于以下原理：当向电容器施加 电压时，在两个面对的电极中的每个电极中累积电荷。当施加直流(DC)电 压时，电流在电容器中流动，而电荷在其中累积，当累积完成时，没有电流 流动。此外，当施加交流(AC)电压时，AC电流流动，同时电极的极性交 替。
[0004]电容器可分为各种类型，诸如电极利用铝形成并且在铝电极之间设置薄 氧化物膜的铝电解电容器、使用钽作为电极材料的钽电容器、在电极之间使 用诸如钛酸钡等的高k介电材料的陶瓷电容器、使用高k陶瓷作为设置在电 极之间的介电材料的多层结构的多层陶瓷电容器(MLCC)、使用聚苯乙烯膜 作为电极之间的介电材料的膜电容器等。
[0005]在电容器之中，MLCC的优势是具有优异的温度特性和频率特性，可以 以小尺寸实现，因此已经广泛应用于诸如高频率电路的各种领域。近年来， 一直尝试实现较小的多层陶瓷电容器，为此，介电层和内电极形成为薄的。
[0006]此外，最近，已经进行了许多尝试来改善防潮可靠性和减少由于在板安 装期间出现应力而引起的裂纹。

技术实现思路

[0007]本公开的一方面可提供一种针对外部影响具有改善的可靠性(例如，防 潮可靠性)的多层电容器。
[0008]本公开的一方面还可提供一种在安装在板等上时通过减少裂纹而具有改 善的结构稳定性的多层电容器。
[0009]根据本公开的一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括堆叠的多个 介电层和多个内电极的多层结构，且所述介电层介于所述多个内电极之间； 以及外电极，设置在所述主体的外表面上并连接到所述内电极。所述主体可 包括：第一表面和第二表面，所述多个内电极暴露于所述第一表面和所述第 二表面，所述第一表面和所述第二表面在第一方向上彼此相对；第三表面和 第四表面，在第二方向上彼此相对，所述第二方向是所述多个介电层堆叠的 方向；以及第五表面和第六表面，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的 第三方向上彼此相对。所述多个内电极中的至少一个内电极可包括第一瓶颈 结构和第二瓶颈结构。所述第一瓶颈结构的第三方向外部区域的第一方向长 度可小于所述第一瓶颈结构的内部区域的第一方向长度，并且所述第二瓶颈 结构的第一方向外部区域的第三方向长度可小于所述第二瓶颈结构的内部区 域的第三方向长度。
[0010]所述第一瓶颈结构和所述第二瓶颈结构可彼此连接，并且所述第一瓶颈 结构的外表面和所述第二瓶颈结构的外表面可以是不连续的。
[0011]所述第二瓶颈结构可连接到所述外电极。
[0012]所述第一瓶颈结构可具有在所述第一方向上向内凹入到所述主体中的形 状，所述第二瓶颈结构可具有在所述第三方向上向内凹入到所述主体中的形 状。
[0013]所述第一瓶颈结构的外表面和所述第二瓶颈结构的外表面可包括相对于 所述第一表面和所述第五表面倾斜的平面。
[0014]所述第一瓶颈结构可具有第一方向长度在所述第三方向上朝向所述主体 的外侧减小的形状。
[0015]所述第二瓶颈结构可具有所述第三方向长度在所述第一方向上朝向所述 主体的外侧减小的形状。
[0016]所述第一瓶颈结构可设置在所述多个内电极中的所述至少一个内电极的 与所述第一表面和所述第二表面相邻的两个区域中。
[0017]所述第一瓶颈结构的设置在与所述第一表面相邻的所述区域中的部分的 形状和设置在与所述第二表面相邻的所述区域中的部分的形状可彼此相同或 不同。
[0018]所述第二瓶颈结构可设置在所述多个内电极中的所述至少一个内电极的 与所述第五表面和所述第六表面相邻的两个区域中。
[0019]所述第一瓶颈结构和所述第二瓶颈结构可通过连接部彼此连接，所述连 接部在所述第三方向上与所述外电极中的一个外电极叠置。
[0020]在所述多个内电极中的所述至少一个内电极中，所述第一瓶颈结构可具 有基本上平坦的部分，所述基本上平坦的部分具有预定的第三方向长度。
[0021]所述基本上平坦的部分可连接到所述第二瓶颈结构。
[0022]在所述多个内电极中的所述至少一个内电极中，所述基本上平坦的部分 可在所述第三方向上提供最外表面。
[0023]C/L可大于或等于0.069，其中，C是从所述基本上平坦的部分到所述第 二瓶颈结构的第一方向长度，L是所述主体的第一方向长度。
[0024]C可大于B，其中，C是从所述基本上平坦的部分到所述第二瓶颈结构 的第一方向长度，B是所述第二瓶颈结构的第一方向长度。
[0025]D/W可大于或等于0.013，其中，D是所述第一瓶颈结构在所述第三方 向上的长度，W是所述主体在所述第三方向上的长度。
[0026]根据本公开的一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括介电层以及 第一内电极和第二内电极的多层结构，且所述介电层介于所述第一内电极与 所述第二内电极之间，所述主体包括：第一表面和第二表面，所述第一内电 极和所述第二内电极分别暴露于所述第一表面和所述第二表面，所述第一表 面和所述第二表面在第一方向上彼此相对；第三表面和第四表面，在第二方 向上彼此相对，所述第二方向是所述介电层堆叠的方向；以及第五表面和第 六表面，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上彼此相对；第 一外电极，设置在所述第一表面上并连接到所述第一内电极，并且包括分别 在所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上延伸的带部；以及第二 外电极，设置在所述第二表面上并连接到所述第二内电极，并且包括分别在 所述第五表面的另一部分和所述第六表
面的另一部分上延伸的带部。所述第 一内电极中的一个内电极可包括面对所述第五表面和所述第六表面中的一个 表面的基本上平坦的部分。在所述第一内电极中，所述基本上平坦的部分可 具有在所述第三方向上的最大长度。所述基本上平坦的部分可设置在与所述 第一外电极的所述带部之间的区域间隔开的区域中。
[0027]所述第一内电极中的所述一个内电极还可包括设置在所述基本上平坦的 部分与所述第一表面之间的一个或更多个基本上平坦的部分。
[0028]所述一个或更多个基本上平坦的部分可相对于所述第一表面以及所述第 五表面和所述第六表面中的所述一个表面倾斜。
[0029]所述第一内电极中的所述一个内电极还可包括设置在所述基本上平坦的 部分与所述第一表面之间的另一基本上平坦的部分，并且所述另一基本上平 坦的部分可基本上平行于所述第一方向延伸。
[0030]所述另一基本上平坦的部分的在所述第一方向上彼此相对的端部可分别 连接到所述第一内电极中的所述一个内电极的弯曲部分。
[0031]所述另一基本上平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层电容器，包括：主体，包括堆叠的多个介电层和多个内电极的多层结构，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外表面上并连接到所述内电极，其中，所述主体包括：第一表面和第二表面，所述多个内电极暴露于所述第一表面和所述第二表面，所述第一表面和所述第二表面在第一方向上彼此相对；第三表面和第四表面，在第二方向上彼此相对，所述第二方向是所述多个介电层堆叠的方向；以及第五表面和第六表面，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上彼此相对，并且所述多个内电极中的至少一个内电极包括第一瓶颈结构和第二瓶颈结构，所述第一瓶颈结构的第三方向外部区域的第一方向长度小于所述第一瓶颈结构的内部区域的第一方向长度，并且所述第二瓶颈结构的第一方向外部区域的第三方向长度小于所述第二瓶颈结构的内部区域的第三方向长度。2.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构和所述第二瓶颈结构彼此连接，并且所述第一瓶颈结构的外表面和所述第二瓶颈结构的外表面是不连续的。3.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第二瓶颈结构连接到所述外电极。4.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构具有在所述第一方向上向内凹入到所述主体中的形状，所述第二瓶颈结构具有在所述第三方向上向内凹入到所述主体中的形状。5.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构的外表面和所述第二瓶颈结构的外表面包括相对于所述第一表面和所述第五表面倾斜的平面。6.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构具有第一方向长度在所述第三方向上朝向所述主体的外侧减小的形状。7.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第二瓶颈结构具有第三方向长度在所述第一方向上朝向所述主体的外侧减小的形状。8.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构设置在所述多个内电极中的所述至少一个内电极的与所述第一表面和所述第二表面相邻的两个区域中。9.如权利要求8所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构的设置在与所述第一表面相邻的所述区域中的部分的形状和设置在与所述第二表面相邻的所述区域中的部分的形状彼此相同或不同。10.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第二瓶颈结构设置在所述多个内电极中的所述至少一个内电极的与所述第五表面和所述第六表面相邻的两个区域中。
11.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一瓶颈结构和所述第二瓶颈结构通过连接部彼此连接，所述连接部在所述第三方向上与所述外电极中的一个外电极叠置。12.如权利要求1所述的多层电容器，其中，在所述多个内电极中的所述至少一个内电极中，所述第一瓶颈结构具有基本上平坦的部分，所述基本上平坦的部分具有预定的第三方向长度。13.如权利要求12所述的多层电容器，其中，所述基本上平坦的部分连接到所述第二瓶颈结构。14.如权利要求12所述的多层电容器，其中，在所述多个内电极中的所述至少一个内电极中，所述基本上平坦的部分在所述第三方向上提供最外表面。15.如权利要求14所述的多层电容器，其中，C/L大于或等于0.069，其中，C是从所述基本上平坦的部分到所述第二瓶颈结构的第一方向长度，L是所述主体的第一方向长度。16.如权利要求14所述的多层电容器，其中，C大于B，其中，C是从所述基本上平坦的部分到所述第二瓶颈结构的第一方向长度，B是所述第二瓶颈结构的第一方向长度。17.如权利要求1
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16中任一项所述的多层电容器，其中，D/W大于或等于0.013，其中，D是所述第一瓶颈结构在所述第三方向上的长度，W是所述主体在所述第三方向上的长度。18.一种多层电容器，包括：主体，包括介电层以及第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李种晧，孙命赞，姜心忠，沈银珍，金善花，金柄秀，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：