基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法技术

本发明专利技术提供了一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，属于光学显示半导体的技术领域；所述方法通过将同层设置的第一像素电极及第二像素电极采用异步制作方式，基于第一像素电极以呈矩形阵列分布在有机平坦层的基础上，通过钝化层的隔离，以使第二沉积层在沉积、刻蚀的制作形成第二像素电极过程中，可以有效控制第二像素电极与相邻第一像素电极之间的缝隙值达到预设值以内，以解决处于同层的第一像素电极及第二像素电极采用现有同步制成方式时，两者缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻工艺精度等影响不能进一步减小的弊端，有效提高像素电极的开口率及减少高阶衍射产生的杂光，提高光学显示器件的相位调制性能。调制性能。调制性能。

【技术实现步骤摘要】
基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法


[0001]本专利技术属于光学显示半导体器件的
，具体地涉及一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法。

技术介绍

[0002]光学相位控制显示元件通过提高像素开口率、液晶透过效率、偏光板透过率、彩色滤光片透过率可以有效地提高像素透过率；其中，像素开口率系指透光或反光比率，即每个像素可透光或反光的有效区域除以像素的总面积，像素开口率指数越高，器件对背光源透光率或外界光源的反射率就越高，器件的亮度及穿透率就有所提高，可有效提升器件的工作效率及使用性能。
[0003]随着科技的不断发展，薄膜晶体管TFT技术由原来的a
‑
Si(非晶硅)薄膜晶体管发展到现在的LTPS(低温多晶硅)薄膜晶体管、Oxide(金属氧化物)薄膜晶体管等。基于阵列基板结构的光学显示器件主要是利用背光源或反射外界光来达到显示的效果，能够发挥其薄型轻量和消耗电力低的优点，在监视器、投影仪、便携式电话和便携式信息终端(PDA)等电子设备中被广泛利用。现有光学显示器件的结构如图1所示，一般包括下基板、与下基板相对的上基板及夹在下基板和上基板之间的液晶层，下基板上设有数百万个可单独寻址的用于形成像素的第一像素电极及第二像素电极，第一像素电极及第二像素电极位于同一层，且相互交错间隙设置。每个像素电极都能够在液晶层上施加控制电压来控制液晶层旋转，当液晶层使用均匀排列的向列液晶材料构成时，液晶分子将响应于像素两端的控制电压以不同角度倾斜，因此，其有效折射率会根据线性偏振光速而变化，其偏振方法平行于液晶对准方向，使得相位调制器能够在空间上调制入射光速的相位，并保持其振幅不变。
[0004]现有技术的光学显示器件，诸如液晶显示器、透射式空间光调制器、反射式空间光调制器，其下基板的相邻两像素电极要留有一定的缝隙。基于现有的下基板制作方法，处于同层的第一像素电极及第二像素电极采用同步制成方式，其两者缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻工艺精度等影响，存在一个最小缝隙精度，例如大部分LCD产线的最小缝隙约为2um，导致像素电极开口率无法做到更高，从而影响器件的相位调制光利用率，并且相邻两像素电极间的间隙偏大会造成增加液晶不受控区域的面积及高阶衍射产生杂光的弊端。
[0005]因此，针对现有结构的光学显示器件的下基板制作方法进行优化，以解决缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻精度等影响不能进一步减小的弊端，是一个亟待解决的课题。

技术实现思路

[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，针对现有技术的下基板制作方法进行优化，通过异步制作的第一像素电极与第二像素电极，以使进一步减小相邻两像素电极的间隙，有效提高像素电极的开口率及减少高
阶衍射产生的杂光，提高光学显示器件的相位调制性能。
[0007]该专利技术提供以下技术方案，一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，所述方法包括：将薄膜晶体管结构及有机平坦层由下而上依次层置于下玻璃基板上；在所述有机平坦层上沉积整面的第一沉积层，以使所述第一沉积层完全覆盖所述有机平坦层；在所述第一沉积层上刻蚀出呈矩形阵列分布的多个第一像素电极；沉积整面的钝化层完全覆盖所述第一像素电极及所述有机平坦层，以使所述钝化层完全覆盖所述第一像素电极；刻蚀未覆盖着所述第一像素电极的所述钝化层，且以使所述钝化层超出所述第一像素电极的距离不大于第一预设值；沉积整面的第二沉积层，以使所述第二沉积层完全覆盖所述钝化层及所述有机平坦层；刻蚀覆盖着所述钝化层的所述第二沉积层形成多个第二像素电极，且以使覆盖所述第一像素电极的所述钝化层与相邻的所述第二像素电极之间的距离不大于第二预设值；刻蚀覆盖在所述第一像素电极上的所述钝化层，以使两相邻的所述第一像素电极及所述第二像素电极目标距离间留有空隙，且所述目标距离的大小与所述第一预设值与所述第二预设值之和相一致，以完成下基板的制作；在上玻璃基板上铺设公共电极以形成上基板；在所述上基板与所述下基板之间制作液晶层，以形成所述光学显示器件。
[0008]相比现有技术，本专利技术的有益效果为：通过将同层设置的第一像素电极及第二像素电极采用异步制作方式，基于第一像素电极以呈矩形阵列分布在所述有机平坦层的基础上，通过钝化层的隔离，以使第二沉积层在沉积、刻蚀的制作形成第二像素电极过程中，可以有效控制第二像素电极与相邻第一像素电极之间的缝隙值达到预设值以内，以解决处于同层的第一像素电极及第二像素电极采用现有同步制成方式时，两者缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻工艺精度等影响不能进一步减小的弊端。
[0009]较佳地，沉积整面的所述第一沉积层及所述第二沉积层采用物理气相沉积成膜方式制成。
[0010]较佳地，所述第一沉积层及所述第二沉积层的膜质采用铝或银或钼或者氧化铟锡材质。
[0011]较佳地，第一预设值和所述第二预设值之和不超过1um。
[0012]较佳地，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、介质层、第二金属层；所述有机平坦层背离所述液晶层的一侧覆盖所述第二金属层。
[0013]较佳地，所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一金属层、所述介质层、所述第二金属层均采用沉积法沉积加工及图案化处理制作而成；其中，所述图案化处理包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、蚀刻、及光阻剥离。
[0014]较佳地，所述钝化层、所述栅极绝缘层和所述介质层材料为二氧化硅和/或氮化硅。
[0015]较佳地，所述第一金属层和所述第二金属层材料为铝、钛的堆栈组合或者铝、钼的堆栈组合。
[0016]较佳地，在所述上基板与所述下基板之间制作液晶层的步骤具体包括：将所述上基板和所述下基板相互对应的一侧涂覆一层液晶配向层，对所述液晶配向层进行摩擦或光配向工艺；在所述下基板显示区域的玻璃边缘涂覆一圈封框胶，在所述封框胶内的所述配向层上滴液晶形成所述液晶层，在真空环境下将所述上基板和所述下基板对位贴合，在紫外线光照设和加热调节下，封框胶固化，形成所述液晶层。
[0017]较佳地，所述液晶层采用正性液晶。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为现有技术的光学显示器件的结构图；图2为本专利技术实施例一提供的第一像素电极与第二像素电极的形状及排列示意图；图3为本专利技术实施例一提供的基于阵列基板结构的光学显示器件制作流程；图4为本专利技术实施例一提供的下基板制作流程；图5为本专利技术实施例一提供的步骤S1011制作后的结构图；图6为本专利技术实施例一提供的步骤S1012制作后的结构图；图7为本专利技术实施例一提供的步骤S1013制作后的结构图；图8为本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：将薄膜晶体管结构及有机平坦层由下而上依次层置于下玻璃基板上；在所述有机平坦层上沉积整面的第一沉积层，以使所述第一沉积层完全覆盖所述有机平坦层；在所述第一沉积层上刻蚀出呈矩形阵列分布的多个第一像素电极；沉积整面的钝化层完全覆盖所述第一像素电极及所述有机平坦层，以使所述钝化层完全覆盖所述第一像素电极；刻蚀未覆盖着所述第一像素电极的所述钝化层，且以使所述钝化层超出所述第一像素电极的距离不大于第一预设值；沉积整面的第二沉积层，以使所述第二沉积层完全覆盖所述钝化层及所述有机平坦层；刻蚀覆盖着所述钝化层的所述第二沉积层形成多个第二像素电极，且以使覆盖所述第一像素电极的所述钝化层与相邻的所述第二像素电极之间的距离不大于第二预设值；刻蚀覆盖在所述第一像素电极上的所述钝化层，以使两相邻的所述第一像素电极及所述第二像素电极的目标距离间留有空隙，且所述目标距离的大小与所述第一预设值与所述第二预设值之和相一致，以完成下基板的制作；在上玻璃基板上铺设公共电极以形成上基板；在所述上基板与所述下基板之间制作液晶层，以形成所述光学显示器件。2.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，其特征在于，沉积整面的所述第一沉积层及所述第二沉积层采用物理气相沉积成膜方式制成。3.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，其特征在于，所述第一沉积层及所述第二沉积层的膜质采用铝或银或钼或者氧化铟锡材质。4.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，其特征在于，第一预设值和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍英东，荣誉东，
申请(专利权)人：南昌虚拟现实研究院股份有限公司，
类型：发明
国别省市：