一种运算放大电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种运算放大电路，涉及电路技术领域，包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、电阻R1、电容C1，其电路结构简单，运用两级运放可提高环路增益，加入密勒电容，密勒电阻可提高电路的稳定性。密勒电阻可提高电路的稳定性。密勒电阻可提高电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种运算放大电路


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种运算放大电路。

技术介绍

[0002]电流检测技术广泛应用于现代工业的各个领域，譬如电源管理系统、过流保护电路、可编程电流源、线性及开关模式电源和电池充电器等。常用的电流检测方式有串联电阻、功率管导通电阻、功率管镜像拷贝等方式。
[0003]串联电阻造成功率损耗，对于串联电阻检测电路来说，其待检测电阻在实际电路中通常存在20%的阻值偏差，假定是1千欧的电阻在流过1mA电流时，就会导致输出功率变化
±
0.2mW，但是其检测精度较高；功率管导通电阻可以进行过流保护，但是其受工艺、温度、电源等因素的影响较大，很难应用于高精度的电流检测；功率管镜像拷贝的检测管电流小，降低了功耗，但是检测精度不高。这些方法在功耗、速度和精度上都存在缺陷，对于高精度的需求，选择串联电阻检测电路。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是针对
技术介绍
的不足提供一种运算放大电路，其电路结构简单，运用两级运放可提高环路增益，加入密勒电容，密勒电阻可提高电路的稳定性。
[0005]本技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：
[0006]一种运算放大电路，包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、电阻R1、电容C1、VDD电压端、VB电压端、VBIAS电压端、V1电压端、V2电压端、VOUT输出端；
[0007]其中，VBIAS电压端连接N型MOS管MN1的栅极，N型MOS管MN1的源极分别连接N型MOS管MN3的源极、N型MOS管MN4的源极、N型MOS管MN5的源极并接地，N型MOS管MN1的漏极连接N型MOS管MN2的源极，N型MOS管MN2的栅极连接VB电压端，N型MOS管MN2的漏极分别连接P型MOS管MP1的源极、P型MOS管MP1的漏极、P型MOS管MP1的栅极、P型MOS管MP2的栅极、P型MOS管MP6的栅极、VDD电压端、P型MOS管MP2的源极、P型MOS管MP6的源极，P型MOS管MP2的漏极分别连接P型MOS管MP4的源极、P型MOS管MP5的源极，P型MOS管MP4的栅极连接V1电压端，P型MOS管MP4的漏极分别连接N型MOS管MN3的栅极、N型MOS管MN3的漏极、N型MOS管MN4的栅极，N型MOS管MN4的漏极分别连接P型MOS管MP5的漏极、电阻R1的一端和N型MOS管MN5的栅极，P型MOS管MP5的栅极连接V2电压端，电阻R1的另一端连接电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接P型MOS管MP6的漏极、VOUT输出端、N型MOS管MN5的漏极。
[0008]作为本技术一种运算放大电路的进一步优选方案，所述VB电压端、VBIAS电压端为偏置电压。
[0009]作为本技术一种运算放大电路的进一步优选方案，所述电容C1为密勒电容。
[0010]作为本技术一种运算放大电路的进一步优选方案，所述电阻R1为密勒电阻。
[0011]本技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
[0012]本技术一种运算放大电路，包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、电阻R1、电容C1，其电路结构简单，运用两级运放可提高环路增益，加入密勒电容，密勒电阻可提高电路的稳定性。
附图说明
[0013]图1是本技术一种运算放大电路的电路图。
具体实施方式
[0014]下面结合附图对本技术的技术方案做进一步的详细说明：
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]一种运算放大电路，包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、电阻R1、电容C1、VDD电压端、VB电压端、VBIAS电压端、V1电压端、V2电压端、VOUT输出端；
[0017]其中，VBIAS电压端连接N型MOS管MN1的栅极，N型MOS管MN1的源极分别连接N型MOS管MN3的源极、N型MOS管MN4的源极、N型MOS管MN5的源极并接地，N型MOS管MN1的漏极连接N型MOS管MN2的源极，N型MOS管MN2的栅极连接VB电压端，N型MOS管MN2的漏极分别连接P型MOS管MP1的源极、P型MOS管MP1的漏极、P型MOS管MP1的栅极、P型MOS管MP2的栅极、P型MOS管MP6的栅极、VDD电压端、P型MOS管MP2的源极、P型MOS管MP6的源极，P型MOS管MP2的漏极分别连接P型MOS管MP4的源极、P型MOS管MP5的源极，P型MOS管MP4的栅极连接V1电压端，P型MOS管MP4的漏极分别连接N型MOS管MN3的栅极、N型MOS管MN3的漏极、N型MOS管MN4的栅极，N型MOS管MN4的漏极分别连接P型MOS管MP5的漏极、电阻R1的一端和N型MOS管MN5的栅极，P型MOS管MP5的栅极连接V2电压端，电阻R1的另一端连接电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接P型MOS管MP6的漏极、VOUT输出端、N型MOS管MN5的漏极。
[0018]该电路结构为单端输出的两级运放，第一级为传统的五管OTA结构，输入是一个差分对管P型MOS管MP4、P型MOS管MP5，负载是一个电流镜N型MOS管MN3、N型MOS管MN4，比例为1:1，来提供高增益，并将差分输入电压转化为电流；第二级为一个跨阻放大器，一个简单的共源极，来提供高输出摆幅，并将第一级输出电流转换为输出电压。
[0019]VB电压端、VBIAS电压端为偏置电压，N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、P型MOS管MP1构成的偏置电路，上电后，偏置电路给P型MOS管MP2，产生电流，电容C1是密勒电容，电阻R1是密勒电阻，来消除零点的影响，提高电路的稳定性。
[0020]该电路结构简单，运用两级运放可提高环路增益，加入密勒电容、密勒电阻可提高电路的稳定性。
[0021]以上只通过说明的方式描述了本技术的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本技术的精神和范围的情况下，可以用各种不同的
方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种运算放大电路，其特征在于：包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、电阻R1、电容C1、VDD电压端、VB电压端、VBIAS电压端、V1电压端、V2电压端、VOUT输出端；其中，VBIAS电压端连接N型MOS管MN1的栅极，N型MOS管MN1的源极分别连接N型MOS管MN3的源极、N型MOS管MN4的源极、N型MOS管MN5的源极并接地，N型MOS管MN1的漏极连接N型MOS管MN2的源极，N型MOS管MN2的栅极连接VB电压端，N型MOS管MN2的漏极分别连接P型MOS管MP1的源极、P型MOS管MP1的漏极、P型MOS管MP1的栅极、P型MOS管MP2的栅极、P型MOS管MP6的栅极、VDD电压端、P型MOS管MP2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：文美爱，
申请(专利权)人：文美爱，
类型：新型
国别省市：