半导体加工用胶带制造技术

提供于拾取时能够容易地从粘合剂层剥离带有粘接剂层的芯片并且能够可靠粘合固定环框，于半导体晶片贴合时不会产生粘接剂层浮起的半导体加工用胶带。本发明专利技术的半导体加工用胶带(1)的特征在于，依次设有基材膜(41)、第一粘合剂层(42)及第二粘合剂层(43)，于第二粘合剂层(43)的与基材膜(41)及第一粘合剂层(42)相反一侧的面设有粘接剂层(3)，第一粘合剂层(42)的粘合力大于第二粘合剂层(43)的粘合力，第一粘合剂层(42)、第二粘合剂层(43)及粘接剂层(3)各自具有平面形状，粘接剂层(3)的平面形状大于第二粘合剂层(43)的平面形状，第一粘合剂层(42)的平面形状大于粘接剂层(3)的平面形状，在第二粘合剂层(43)的周边部，第一粘合剂层(42)与粘接剂层(3)发生接触。层(42)与粘接剂层(3)发生接触。层(42)与粘接剂层(3)发生接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用胶带


[0001]本专利技术涉及于基材膜上具有粘合剂层的粘合胶带、及于该粘合剂层上具有与半导体晶片贴合的粘接剂层的半导体加工用胶带。

技术介绍

[0002]以往，于半导体装置的制造工序中，在个片化半导体晶片的切割工序中，使用粘合保持半导体晶片的粘合胶带。另外，为了更简略化工序，提出了将安装工序所需要的芯片固定用的粘接剂层一体化了的半导体加工用胶带(例如参照专利文献1)。
[0003]切割工序中个片化半导体晶片之后，个片化了的芯片于拾取工序中，经由上推推针进行上推，由此伴随粘接剂层地从粘合剂层剥离而拾取，于安装工序中直接粘接于引线框、封装基板等。
[0004]近年以来，随着IC卡的普及，期望半导体芯片的薄型化。因此，有将以往厚度为350μm左右的半导体芯片减薄至厚度50～100μm或其以下的需要。另外，高集成化的追求所带来的芯片尺寸的大型化亦在推进中。
[0005]薄的半导体芯片于拾取时提高上推针的上推高度时会破裂，因此需将上推高度降低。结果，为将带有粘接剂层的半导体芯片从粘合剂层剥离，需将粘合剂层的粘合力变低。另外，对于尺寸大的半导体芯片，其与粘合剂层的接触面积大，因此为将带有粘接剂层的半导体芯片从粘合剂层剥离，仍然需将粘合剂层的粘合力变低。
[0006]然而，于粘合剂层上亦贴合有用于将半导体晶片保持在切割装置、拾取装置的环框。如上所述，粘合剂层的粘合力降低时，存在环框从粘合剂层剥落的可能性。特别是，有将半导体晶片及环框贴合于半导体加工用胶带地进行某个程度的期间保管的情形，这种情况下环框从粘合剂层剥落的可能性提高。
[0007]为解决如上述的课题，公开有如下的切割/芯片接合膜，即，将紫外线固化型的粘合剂层配合粘接剂层的大小预先固化以降低粘合力，由此，于拾取时使带有粘接剂层的芯片能够容易地从粘合剂层剥离，在粘合剂层的未照射紫外线而粘合力大的部分，能够可靠地粘合固定环框(例如，参照专利文献2)。
[0008]另外，公开了如下的切割胶带一体型半导体背面用膜，即，具有依次层叠有基材层、第1粘合剂层及第2粘合剂层的切割胶带、和层叠于该切割胶带的第2粘合剂层上的半导体背面用膜，令第1粘合剂层与第2粘合剂层之间的剥离强度Y为0.2～10N/20mm，令第2粘合剂层与半导体背面用膜之间的剥离强度X为0.01～0.2N/20mm(例如参照专利文献3)。
[0009]该切割胶带一体型半导体背面用膜中，令剥离强度X为0.01～0.2N/20mm，因此，能够充分确保切割时的保持力，并且能够防止切割时的半导体背面用膜的翻起而有效防止半导体芯片的污染，且能够提高拾取时的剥离容易性。
[0010]此外，该切割胶带一体型半导体背面用膜中，令所述剥离强度Y为0.2～10N/20mm，因此，能够提高切割时的与环框的密合性，并且能够充分确保半导体晶片的保持力，并且能够防止第1粘合剂层与第2粘合剂层间的剥离所带来的第2粘合剂层的粘合剂的向半导体背
面用膜的转移(胶糊残留)。
[0011]现有技术文献
[0012]专利文献
[0013]专利文献1：日本特开2008
‑
218571号公报
[0014]专利文献2：日本专利第4717085号公报
[0015]专利文献3：日本特开2012
‑
33637号公报

技术实现思路

[0016]但是，专利文献2的切割/芯片接合膜中，难以仅于粘合剂层的所期望的范围准确地照射紫外线，因此，为了实现这样的切割/芯片接合膜，有在所期望的范围以外的部分施加遮蔽等使工序变得复杂的问题。
[0017]另外，专利文献3的切割胶带一体型半导体背面用膜中，于比与半导体背面用膜的贴合部分相对应的部分大、且比第1粘合剂层的整个面小的部分形成第2粘合剂层，或仅于与半导体背面用膜的贴合部分对应的部分形成第2粘合剂层。因此，于半导体晶片贴合切割胶带一体型半导体背面用膜的工序中，在剥离覆盖切割胶带一体型半导体背面用膜的粘接剂层侧的面的剥离膜时、或经由贴合装置于切割胶带一体型半导体背面用膜施加张力时，剥离力低的第2粘合剂层与半导体背面用膜之间产生局部地剥离，粘接剂层浮起，在贴合于半导体晶片时有在于粘接剂层产生皱褶的状态下进行贴合的问题。
[0018]因此，本专利技术的目的在于提供一种半导体加工用胶带，其在拾取时能够容易地从粘合剂层剥离带有粘接剂层的芯片，并且能够可靠地粘合固定环框，于半导体晶片贴合时不会产生粘接剂层浮起。
[0019]解决问题的手段
[0020]为了解决上述课题，本专利技术的半导体加工用胶带的特征在于，依次设有基材膜、第一粘合剂层及第二粘合剂层，于所述第二粘合剂层的与所述基材膜及所述第一粘合剂层相反一侧的面设有粘接剂层，所述第一粘合剂层的粘合力大于所述第二粘合剂层的粘合力，所述第一粘合剂层、所述第二粘合剂层及所述粘接剂层各自具有平面形状，所述粘接剂层的平面形状大于所述第二粘合剂层的平面形状，所述第一粘合剂层的平面形状大于所述粘接剂层的平面形状，在所述第二粘合剂层的周边部，所述第一粘合剂层与所述粘接剂层发生接触。
[0021]关于上述半导体加工用胶带，在23℃、50％RH的条件下、剥离角度180度、剥离速度300mm/min时，所述第二粘合剂层与SUS304面的粘合力优选为0.1～0.6N/25mm。
[0022]另外，关于上述半导体加工用胶带，在23℃、50％RH的条件下、剥离角度180度、剥离速度300mm/min时，所述第一粘合剂层与SUS304面的粘合力优选为1～10N/25mm。
[0023]另外，关于上述半导体加工用胶带，所述第一粘合剂层优选为不会经由辐射线的照射而固化的辐射线非固化型。
[0024]另外，关于上述半导体加工用胶带，所述第二粘合剂层优选为不会经由辐射线的照射而固化的辐射线非固化型。
[0025]另外，关于上述半导体加工用胶带，所述第二粘合剂层的平面形状优选大于贴合于所述粘接剂层的半导体晶片。
[0026]专利技术效果
[0027]根据本专利技术，可提供如下的半导体加工用胶带，即，于拾取时能够容易地从粘合剂层剥离带有粘接剂层的芯片，并且能够可靠地粘合固定环框，于半导体晶片贴合时不会产生粘接剂层浮起。
附图说明
[0028]图1是示意性地示出本专利技术的实施方式的半导体加工用胶带的结构的剖面图。
[0029]图2(a)是示意性地示出本专利技术的实施方式的半导体加工用胶带的结构的俯视图，图2(b)是其剖面图。
[0030]图3是示意性地示出使用了本专利技术的实施方式的半导体加工用胶带的半导体装置的制造方法的半导体晶片贴合工序的说明图。
[0031]图4是示意性地示出使用了本专利技术的实施方式的半导体加工用胶带的半导体装置的制造方法中于半导体加工用胶带上贴合半导体晶片的状态的说明图。
[0032]图5是示意性地示出使用了本专利技术的实施方式的半导体加工用胶带的半导体装置的制造方法的切割工序本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体加工用胶带，其特征在于，依次设有基材膜、第一粘合剂层及第二粘合剂层，于所述第二粘合剂层的与所述基材膜及所述第一粘合剂层相反一侧的面设有粘接剂层，所述第一粘合剂层的粘合力大于所述第二粘合剂层的粘合力，所述第一粘合剂层、所述第二粘合剂层及所述粘接剂层各自具有平面形状，所述粘接剂层的平面形状大于所述第二粘合剂层的平面形状，所述第一粘合剂层的平面形状大于所述粘接剂层的平面形状，在所述第二粘合剂层的周边部，所述第一粘合剂层与所述粘接剂层发生接触。2.根据权利要求1所述的半导体加工用胶带，其特征在于，在23℃、50％RH的条件下、剥离角度180度、剥离速度300mm/min时，所述第二粘合剂层与SUS304面的粘合力为0.1N/...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋贵德，石黑邦彦，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：