一种中心频率可调的带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种中心频率可调的带通滤波器，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管和第二十四晶体管；优点是能够快速实现中心频率的调节，满足多个频段滤波的需求，成本较低，且每个中心频率对应的通频带较窄，品质因素Q优秀，杂波干扰信号滤波效果较好。杂波干扰信号滤波效果较好。杂波干扰信号滤波效果较好。

【技术实现步骤摘要】
一种中心频率可调的带通滤波器


[0001]本专利技术涉及一种带通滤波器，尤其是涉及一种中心频率可调的带通滤波器。

技术介绍

[0002]船舶所用的测深仪、鱼探仪等探测系统所依赖的是发射探测信号，通过分析接收到的回波信号，进行计算从而得到探测信息，诸如此类的探测系统还有各类的探测雷达、声呐等等。随着探测技术的发展，不同频率的信号对同一目标的反射回波所具有的性质不同，将不同频率的信号都进行分析将得到更为全面的目标信息，这是探测系统技术发展的必然趋势。而不同的探测信号频率所带来的挑战就是接收电路信号处理能力是否能够快速、准确的将目标信号从杂波中分离出来，滤波器的性质可以说决定了整个探测系统的探测能力。
[0003]现有的带通滤波器主要有两种，第一种带通滤波器在设计时即为固定的参数，其中心频率固定，通频带较窄，杂波干扰信号滤波效果好，但是其仅能用于单频段，当需要满足当前发射信号多采用3频或更多频数信号，所涉及的频率从50kHz到500kHz不等的测深仪等探测设备的需求时，需要配备不同中心频率的多个带通滤波器来进行切换，成本较高；第二种带通滤波器在设计使其工作频段将多个频段包含在内，具有较宽的通频带，中心频率可调，虽然其能够用于多个频段，成本较低，但是却不可避免引入大量的杂波干扰信号，带通信号衰减较大，以致杂波干扰信号滤波效果较差，。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种中心频率可调的带通滤波器，该带通滤波器能够快速实现中心频率的调节，满足多个频段滤波的需求，成本较低，且每个中心频率对应的通频带较窄，品质因素Q优秀，杂波干扰信号滤波效果较好。
[0005]本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种中心频率可调的带通滤波器，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管和第二十四晶体管；
[0006]所述的第三电阻和所述的第十一电阻均为可调电阻；所述的第一晶体管、所述的第二晶体管、所述的第三晶体管、所述的第四晶体管、所述的第五晶体管、所述的第六晶体管、所述的第十七晶体管、所述的第十八晶体管和所述的第十九晶体管均为P沟道结型场效应管；所述的第七晶体管、所述的第八晶体管、所述的第九晶体管、所述的第十晶体管、所述的第二十晶体管和所述的第二十一晶体管均为P沟道绝缘栅型场效应管；所述的第十一晶
体管、所述的第十二晶体管、所述的第十三晶体管、所述的第十四晶体管、所述的第十五晶体管、所述的第十六晶体管、所述的第二十二晶体管、所述的第二十三晶体管和所述的第二十四晶体管均为N沟道绝缘栅型场效应管；
[0007]所述的第一晶体管的源极、所述的第二晶体管的源极、所述的第三晶体管的源极、所述的第四晶体管的源极、所述的第五晶体管的源极、所述的第六晶体管的源极、所述的第十七晶体管的源极、所述的第十八晶体管的源极和所述的第十九晶体管的源极连接且其连接端为所述的带通滤波器的电源端，用于接入工作电压VDD，所述的第五电阻的一端、所述的第六电阻的一端、所述的第十二电阻的一端、所述的第十一晶体管的源极、所述的第十二晶体管的源极、所述的第十三晶体管的源极、所述的第十四晶体管的源极、所述的第十五晶体管的源极、所述的第十六晶体管的源极、所述的第二十二晶体管的源极、所述的第二十三晶体管的源极和所述的第二十四晶体管的源极连接且其连接端为所述的带通滤波器的接地端，用于接地；所述的第一电阻的一端、所述的第二电阻的一端和所述的第十电阻的一端连接且其连接端为所述的带通滤波器的参考端，用于接入参考电压V
ref
，所述的第一电阻的另一端、所述的第八晶体管的栅极和所述的第八电阻的一端连接，所述的第二电阻的另一端和所述的第十晶体管的栅极连接，所述的第三电阻的一端、所述的第七电阻的一端、所述的第一电容的一端、所述的第五晶体管的漏极和所述的第十一晶体管的漏极连接，所述的第三电阻的另一端、所述的第三电容的一端和所述的第九晶体管的栅极连接，所述的第四电阻的一端为所述的带通滤波器的输入端，所述的第四电阻的另一端、所述的第七晶体管的栅极、所述的第七电阻的另一端和所述的第九电阻的一端连接，所述的第五电阻的另一端、所述的第一晶体管的漏极、所述的第一晶体管的栅极、所述的第二晶体管的栅极和所述的第五晶体管的栅极连接，所述的第六电阻的另一端、所述的第三晶体管的漏极、所述的第三晶体管的栅极、所述的第四晶体管的栅极和所述的第六晶体管的栅极连接，所述的第八电阻的另一端、所述的第十一电阻的一端、所述的第三电容的另一端、所述的第二电容的一端、所述的第六晶体管的漏极和所述的第十二晶体管的漏极连接且其连接端为所述的带通滤波器的输出端，所述的第九电阻的另一端、所述的第五电容的一端、所述的第四电容的一端、所述的第十九晶体管的漏极和所述的第二十二晶体管的漏极连接，所述的第十电阻的另一端和所述的第二十一晶体管的栅极连接，所述的第十一电阻的另一端、所述的第五电容的另一端和所述的第二十晶体管的栅极连接，所述的第十二电阻的另一端、所述的第十七晶体管的漏极、所述的第十七晶体管的栅极、所述的第十八晶体管的栅极和所述的第十九晶体管的栅极连接，所述的第二晶体管的漏极、所述的第七晶体管的漏极和所述的第八晶体管的漏极连接，所述的第四晶体管的漏极、所述的第九晶体管的漏极和所述的第十晶体管的漏极连接，所述的第七晶体管的源极、所述的第十三晶体管的漏极、所述的第十三晶体管的栅极和所述的第十四晶体管的栅极连接，所述的第八晶体管的源极、所述的第十四晶体管的漏极、所述的第一电容的另一端和所述的第十一晶体管的栅极连接，所述的第九晶体管的源极、所述的第十五晶体管的漏极、所述的第十五晶体管的栅极和所述的第十六晶体管的栅极连接，所述的第十晶体管的源极、所述的第十六晶体管的漏极、所述的第二电容的另一端和所述的第十二晶体管的栅极连接，所述的第十八晶体管的漏极、所述的第二十晶体管的漏极和所述的第二十一晶体管的漏极连接，所述的第二十晶体管的源极、所述的第二十三晶体管的漏极、所述的第二十三晶体管的栅极和所述的第二十四晶体管的栅极
连接，所述的第二十一晶体管的源极、所述的第二十四晶体管的漏极、所述的第四电容的另一端和所述的第二十二晶体管的栅极连接。
[0008]与现有技术相比，本专利技术的优点在于第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第五晶体管Q5和第五电阻R5组成第一级电流源，第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第六电阻R6和第六晶体管Q6组成第二级电流源，第十七晶体管Q17、第十八晶体管Q18、第十二电阻R12和第十九晶体管Q19组成第三级电流源，第一级电流源、第二级电流源和第三级电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中心频率可调的带通滤波器，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管和第二十四晶体管；所述的第三电阻和所述的第十一电阻均为可调电阻；所述的第一晶体管、所述的第二晶体管、所述的第三晶体管、所述的第四晶体管、所述的第五晶体管、所述的第六晶体管、所述的第十七晶体管、所述的第十八晶体管和所述的第十九晶体管均为P沟道结型场效应管；所述的第七晶体管、所述的第八晶体管、所述的第九晶体管、所述的第十晶体管、所述的第二十晶体管和所述的第二十一晶体管均为P沟道绝缘栅型场效应管；所述的第十一晶体管、所述的第十二晶体管、所述的第十三晶体管、所述的第十四晶体管、所述的第十五晶体管、所述的第十六晶体管、所述的第二十二晶体管、所述的第二十三晶体管和所述的第二十四晶体管均为N沟道绝缘栅型场效应管；所述的第一晶体管的源极、所述的第二晶体管的源极、所述的第三晶体管的源极、所述的第四晶体管的源极、所述的第五晶体管的源极、所述的第六晶体管的源极、所述的第十七晶体管的源极、所述的第十八晶体管的源极和所述的第十九晶体管的源极连接且其连接端为所述的带通滤波器的电源端，用于接入工作电压VDD，所述的第五电阻的一端、所述的第六电阻的一端、所述的第十二电阻的一端、所述的第十一晶体管的源极、所述的第十二晶体管的源极、所述的第十三晶体管的源极、所述的第十四晶体管的源极、所述的第十五晶体管的源极、所述的第十六晶体管的源极、所述的第二十二晶体管的源极、所述的第二十三晶体管的源极和所述的第二十四晶体管的源极连接且其连接端为所述的带通滤波器的接地端，用于接地；所述的第一电阻的一端、所述的第二电阻的一端和所述的第十电阻的一端连接且其连接端为所述的带通滤波器的参考端，用于接入参考电压V
ref
，所述的第一电阻的另一端、所述的第八晶体管的栅极和所述的第八电阻的一端连接，所述的第二电阻的另一端和所述的第十晶体管的栅极连接，所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯乔木，乐瑜，
申请(专利权)人：宁波通导电子有限公司，
类型：发明
国别省市：