一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于晶体生长技术领域，具体的说是一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，包括坩埚基座，所述坩埚基座内部通过螺纹连接有丝杆，所述丝杆下端固定有埚升组件，所述坩埚基座内部贯通连接有坩埚轴，所述坩埚轴外部套接有波纹管，所述波纹管下端固定有磁流体安装板，所述磁流体安装板内部固定有埚转磁流体；本发明专利技术通过在坩埚轴的底部设置磁流体安装板与压力检测机构，可以有效的通过下轴称重的方式对坩埚的重量进行实时的监测，通过系统对比坩埚内的质量变化与生产晶体的质量变化，可以达到以下有益效果：可自动对坩埚炉下轴进行称重并判断是否出现泄露的情况；可直接反馈埚中剩余硅料质量；可以判断结晶情况；可以用于埚中硅料质量校准。量校准。量校准。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置


[0001]本专利技术涉及晶体生长
，具体是一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置。

技术介绍

[0002]单晶是指整体在三维方向上由容易空间格子构成的晶体，其中以硅的单晶体应用的最为广泛，单晶硅是制造半导体硅器件的原料，在信息化高度发展的今天，人们对于单晶硅的需求也在逐渐增大，而单晶硅的主要制备方法是直拉法。
[0003]中国专利公告号CN106757125A提出一种单晶炉的称重装置，包括：称重器件，用于安装在所述单晶炉的晶体提拉机构内，用于称量晶体重量；承载件，支撑于所述称重器件上，用于承载所述晶体提拉机构的提拉绳。本单晶炉的称重装置，利用坩埚内的装料总重量和称量的晶体重量，得到坩埚内的剩余料重量，来控制坩埚提升机构的提升速度，避免锅跟比过小或者过大影响晶体生长。
[0004]在上述技术方案中，提出在生产无位错单晶硅产品时，通过位于上部晶体提升机构内置的称重传感器实现对晶棒产品的动态称重，来达到实时监控，而对坩埚以及对应剩余硅原料未直接称重，而是通过计算方式，算出差值得出下部坩埚及剩余硅硅料重量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，其特征在于：包括坩埚基座(1)，所述坩埚基座(1)内部设置有丝杆(2)，所述丝杆(2)下端固定有埚升组件(3)，所述坩埚基座(1)内部设置连接有坩埚轴(4)，所述坩埚轴(4)外部套接有波纹管(5)，所述波纹管(5)下端固定有磁流体安装板(7)，所述磁流体安装板(7)内部固定有埚转磁流体(6)，所述磁流体安装板(7)下端固定有压力监测机构(8)，所述压力监测机构(8)下端固定有磁流体基座(9)，所述坩埚轴(4)下端设置有埚转组件(10)。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，其特征在于：所述磁流体安装板(7)与埚转磁流体(6)及压力监测机构(8)利用螺钉相连接。3.根据权利要求1所述的一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，其特征在于：所述压力监测机构(8)包括称重架(801)，所述称重架(801)与磁流体安装板(7)之间设置有传动杆(804)，所述传动杆(804)下端固定有传动块(805)，所述传动块(805)远离磁流体安装板(7)的一侧固定有限位架(807)，所述限位架(807)远离传动块(805)的一侧固定有滑动拨片(809)，所述滑动拨片(809)远离限位架(807)的一侧设置有变阻器(810)，所述变阻器(810)上下两端均固定有接线柱(811)，所述接线柱(811)远离变阻器(810)的一端固定有安装座(812)，所述安装座(812)与称重架(801)的内壁固定连接。4.根据权利要求1所述的一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，其特征在于：所述传动杆(804)底端固定有缓冲弹簧(806)，所述缓冲弹簧(806)与称重架(801)固定连接，所述传动杆(804)靠近坩埚轴(4)的一侧设置有稳固弹簧杆(802)，所述稳固弹簧杆(802)分别与磁流体安装板(7)、称重架(801)固定连接。5.根据权利要求1所述的一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，其特征在于：所述传动杆(804)的顶端固定有紧固架(803)，所述紧固架(803)与磁流体安装板(7)固定连接，所述限位架(807)内部贯通连接有限位杆(808)，所述限位杆(808)与坩埚基座(1)的内壁固定连接。6.根据权利要求1所述的一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹嘉琦，曹玉宝，江佳飞，辛珊，张怿，李欢，胡亚涛，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：