一种垂直发射的ZnO悬浮碗状激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明专利技术激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗，利于光电子器件集成，具有高品质低阈值低损耗的优势，其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。工精度高的优势。工精度高的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直发射的ZnO悬浮碗状激光器及其制备方法


[0001]本专利技术属于激光
，具体涉及一种悬浮硅盘结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法。

技术介绍

[0002]碗状激光器可以改变激光发射方向，使其垂直发射，制备更易耦合的垂直腔面激光发射器(VCSEL)。ZnO垂直腔面激光发射器是一种具有垂直出光结构的新型半导体激光器,其发光波长为近紫外波段。VCSEL具有圆形对称光斑、与光纤耦合效率高以及可以制备高密度二维阵列等优点,因此被认为是下一代半导体照明、微投影、全色显示等应用领域的理想光源。
[0003]氧化锌的宽直接带隙(3.4eV)和强激子结合能(60meV)，使它成为短波光电功能材料与器件的重要候选。过去的十多年中，人们对这种半导体的紫外光电特性，尤其是激光特性给予了极大的关注。
[0004]因此，如何利用氧化锌材料和微腔结构，实现高品质和低损耗的激光将是本专利技术要解决的问题。

技术实现思路

[0005]为克服上述现有技术的不足，本专利技术提供一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器，其特征在于，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层(1)、二氧化硅层(2)、二氧化硅支柱层(3)、二氧化硅圆盘层(4)、氧化锌圆盘层(5)；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层(5)、二氧化硅圆盘层(4)、二氧化硅支柱层(3)直至二氧化硅层(2)的孔洞；所述二氧化硅圆盘层(4)和氧化锌圆盘层(5)形成碗状微腔。2.根据权利要求1所述的ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器，其特征在于，所述二氧化硅层(2)和二氧化硅圆盘层(4)是硅在高温中退火所致。3.根据权利要求1所述的ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器，其特征在于，所述二氧化硅支柱层(3)是利用BOE悬空得来。4.根据权利要求1所述的ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器，其特征在于，所述二氧化硅圆盘层(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱刚毅，高菲，秦飞飞，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：