聚L-苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR-1/多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用技术

本发明专利技术提出了聚L

【技术实现步骤摘要】
聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及玻碳电极
，具体涉及聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用。

技术介绍

[0002]黄芩素(BAI)是一种常用中药，存在于唇形科植物高黄芩的叶，并头草的叶和根等一些植物中。具有清热燥湿、泻火解毒等功效。其分子结构属于黄酮类物质。经试验得到BAI具有多种特殊功能，包括抗氧化及清除自由基的疗效、防治脂肪肝、抗肿瘤、抗过敏以及消炎的作用，因此对于BAI的研究是至关重要的。BAI的检测手段主要是通过毛细管电泳法、高效液相色谱法(HPLC)、联用技术、静态注射化学发光法、紫外分光光度法等。测定操作复杂，需要的仪器设备昂贵，检测成本较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提出聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用，该修饰电极具有灵敏度高、检测速度快等特点，将该电极与循环伏安扫描和差分脉冲伏安法结合，进行黄岑素的电化学行为研究，并实现对黄岑素的定量检测，黄岑素的I
pa
与c在0.1～70μmol/L范围内呈线性关系，可用于定量测定药物中的黄岑素含量，该方法具有检测灵敏度高、响应速度快、响应信号强等优点。
[0004]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0005]本专利技术提供一种聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备方法将玻碳电极表面打磨后洗净，在表面均匀滴加希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管复合材料溶液，干燥后得到希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极，以该希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极为工作电极，置于氯金酸水溶液中，以银/氯化银电极为参比电极，采用计时电流法恒电位沉积纳米金，得到纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极，以该纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极为工作电极，在L
‑
苯丙氨酸溶液中进行循环伏安扫描，取出，洗净，干燥，得到聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极。
[0006]作为本专利技术的进一步改进，具体包括以下步骤：
[0007]S1.裸电极的制备
[0008]先将玻碳电极在放有Al2O3粉末的麂皮上打磨至表面呈镜面，然后用蒸馏水冲洗干净，依次放到盛有蒸馏水、无水乙醇和蒸馏水中超声2
‑
5min，取出用蒸馏水冲洗，自然晾干，即制得裸电极；
[0009]S2.希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管复合材料溶液的制备
[0010]移取多壁碳纳米管均匀分散在无菌水中，加入希瓦氏菌MR
‑
1，在27
‑
30℃下分散均匀，得到希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管复合材料溶液；
[0011]S3.希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极的制备
[0012]移取希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管复合材料溶液均匀滴加在S1制备的裸电极表面，干燥，即可得到希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极；
[0013]S4.纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极的制备
[0014]将步骤S3制得的希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极置于1g/L的氯金酸溶液中，以银/氯化银电极为参比电极，采用计时电流法恒电位沉积纳米金，电压为
‑
2V，时间为120
‑
150s，取出，氮气吹干，得到纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极；
[0015]S5.聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极的制备
[0016]将S4制备的纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极作为工作电极，置于L
‑
苯丙氨酸溶液中，进行循环伏安扫描，取出用蒸馏水淋洗晾干，即可得到聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极。
[0017]作为本专利技术的进一步改进，所述Al2O3粉末的粒径在0.02～0.1μm之间。
[0018]作为本专利技术的进一步改进，所述希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管复合材料溶液中的多壁碳纳米管浓度为0.5～1.5mg/mL，配制方法为：称取多壁碳纳米管用无菌水溶液稀释至指定体积，加入体系总质量的1
‑
2％的希瓦氏菌MR
‑
1，在27
‑
30℃下超声使其充分混匀。
[0019]作为本专利技术的进一步改进，所述L
‑
苯丙氨酸溶液中L
‑
苯丙氨酸的浓度为0.5～2
×
10
‑3mol/L，配制方法为：称取L
‑
苯丙氨酸，先用pH＝3～6的PBS缓冲溶液溶解，然后再用同样pH值的PBS缓冲溶液稀释至指定体积。
[0020]作为本专利技术的进一步改进，所述循环伏安扫描的扫描电压
‑
0.8～3.0V，扫速为100～140mV/s。
[0021]本专利技术进一步保护一种上述的制备方法制得的聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰玻碳电极。
[0022]本专利技术进一步保护如上述的聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰玻碳电极在测定黄岑素中的应用。
[0023]作为本专利技术的进一步改进，在
‑
0.45～0.6V扫描电压范围，扫速80～120mV/s，采用循环伏安扫描测定黄岑素溶液在修饰电上的电化学行为，在室温下，用差分脉冲伏安法进行不同浓度的黄岑素溶液的定量分析。
[0024]作为本专利技术的进一步改进，所述黄岑素溶液由0.1mol/L、pH＝6.3的磷酸盐缓冲溶液配制。
[0025]本专利技术具有如下有益效果：本专利技术制备了一种聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰玻碳电极，对黄岑素具有良好的催化作用，该修饰电极具有灵敏度高、检测速度快等特点。将该电极与循环伏安扫描和差分脉冲伏安法结合，进行黄岑素的电化学行为研究，并实现对黄岑素的定量检测，黄岑素的I
pa
与c在0.1～70μmo本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚L
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苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于，将玻碳电极表面打磨后洗净，在表面均匀滴加希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管复合材料溶液，干燥后得到希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极，以该希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极为工作电极，置于氯金酸水溶液中，以银/氯化银电极为参比电极，采用计时电流法恒电位沉积纳米金，得到纳米金/希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极，以该纳米金/希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极为工作电极，在L
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苯丙氨酸溶液中进行循环伏安扫描，取出，洗净，干燥，得到聚L
‑
苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极。2.根据权利要求1所述的聚L
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苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1.裸电极的制备先将玻碳电极在放有Al2O3粉末的麂皮上打磨至表面呈镜面，然后用蒸馏水冲洗干净，依次放到盛有蒸馏水、无水乙醇和蒸馏水中超声2
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5min，取出用蒸馏水冲洗，自然晾干，即制得裸电极；S2.希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管复合材料溶液的制备移取多壁碳纳米管均匀分散在无菌水中，加入希瓦氏菌MR
‑
1，在27
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30℃下分散均匀，得到希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管复合材料溶液；S3.希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极的制备移取希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管复合材料溶液均匀滴加在S1制备的裸电极表面，干燥，即可得到希瓦氏菌MR
‑
1/多壁碳纳米管修饰电极；S4.纳米金/希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极的制备将步骤S3制得的希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极置于1g/L的氯金酸溶液中，以银/氯化银电极为参比电极，采用计时电流法恒电位沉积纳米金，电压为
‑
2V，时间为120
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150s，取出，氮气吹干，得到纳米金/希瓦氏菌MR
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1/多壁碳纳米管修饰电极；S5.聚L

【专利技术属性】
技术研发人员：陶亦文，许春萱，
申请(专利权)人：信阳师范学院，
类型：发明
国别省市：