【技术实现步骤摘要】
一种高效高可靠性SOT23
‑
6封装MOSFET引线框架结构
[0001]本技术涉及芯片
，具体为一种高效高可靠性SOT23
‑
6封装MOSFET引线框架结构。
技术介绍
[0002]MOSFET全称Metal
‑
Oxide
‑
SemiconductorField
‑
Effect Transistor，中文名为金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET芯片在在功率转换、过载保护上发挥着重要作用，例如Type
‑
C接口的快充接口，并且充电电流也越来越高。此类充电接口对封装产品的外形尺寸要求较高，SOT23
‑
6L封装外形尺寸较小，体积为2.9*2.8*1.1mm(长*宽*厚)，适用于此类小微型的电子产品中。
[0003]目前对于SOT23
‑
6L小体积MOSFET芯片...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高效高可靠性SOT23
‑
6封装MOSFET引线框架结构，包括MOSFET芯片b以及基岛a，其特征在于：所述MOSFET芯片b安装在基岛a的中心位置，基岛a上侧设置有Pin5脚位，基岛a下侧设置有Pin2脚位，基岛a上右侧设置有Pin6脚位h，基岛a下右侧设置有Pin1脚位g，基岛a上左侧通过焊线e连接有Pin4脚位，基岛a下左侧通过焊线e连接有Pin3脚位。2.根据权利要求1所述的一种高效高可靠性SOT23
‑
6封装MOSFET引线框架结构，其特征在于：所述基岛a上开设有锁定孔f，且锁定孔f设置在基板b靠右的位置。3.根据权利要求1所述的一种高效高可靠...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈侠，陈明，蒙嘉源，黄祥，田沁丰，
申请(专利权)人：深圳电通纬创微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。