本发明专利技术的目的在于，提供维持载体层和极薄金属层之间的低密合性，同时确保极薄金属层和低介电性薄膜的高密合性的带载体层的金属层叠基材。带载体层的金属层叠基材1A中，在低介电性薄膜20的至少一面层叠有由包含载体层11、剥离层12及极薄金属层13的三层构成的带载体层的金属箔10，其特征在于，极薄金属层13和低介电性薄膜20的接合强度大于载体层11和极薄金属层13的剥离强度。金属层13的剥离强度。金属层13的剥离强度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带载体层的金属层叠基材及其制造方法、金属层叠基材及其制造方法、以及印刷线路板
[0001]本专利技术涉及带载体层的金属层叠基材及其制造方法、金属层叠基材及其制造方法、以及印刷线路板。
技术介绍
[0002]目前，作为用于形成细微布线(精细间距)的部件，已知有带载体层的金属箔。该带载体层的金属箔是可剥离的载体层和极薄金属层的层叠体，与由玻璃环氧树脂等构成的刚性基板层叠，得到带载体层的金属层叠基材(覆金属层叠板)。另外，代替上述刚性基板，还已知层叠了具有可挠性的高分子薄膜的部件，并用作用于形成挠性电路基板的金属层叠基材。特别是作为高分子薄膜，使用了低介电常数聚酰亚胺等低介电性聚合物的薄膜的高分子薄膜，作为高频电路用，在第5代移动通信系统(5G)中是有用的。
[0003]在(专利文献1)中公开有在载体的一面或两面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，其中，上述极薄铜层是在铜箔的表面上形成含有铜的一次粒子层后，在该一次粒子层上形成包含由铜、钴及镍构成的三元类合金的二次粒子层的铜箔，且在JISZ8730所记载的色差计中测定粗化处理面的色差时的与白色的色差Δa＊值为4.0以下、色差Δb＊值为3.5以下的高频电路用铜箔。另外，在(专利文献1)中还记载有使纸基材酚醛树脂等刚性基板或液晶聚合物(LCP)等高分子薄膜与上述带载体的铜箔层叠的带载体的覆铜层叠板。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2014－224318号公报
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]上述(专利文献1)中，在贴合带载体的铜箔和刚性基板时如下进行：使玻璃布等基材含浸树脂，准备使树脂固化至半固化状态的预浸料，将铜箔层叠于预浸料上进行加热加压。另外，在使用高分子薄膜代替刚性基板的情况下，还通过在高温高压下对液晶聚合物等基材层叠粘接(热压接)铜箔而贴合。
[0009]但是，特别是在对适于高频电路用途的液晶聚合物或聚氟化乙烯、低介电常数聚酰亚胺等低介电性薄膜热压接带载体的金属箔的情况下，当考虑到低介电性薄膜的熔点等各个特性时，需要将热压接的温度设为280℃以上或300℃以上，在这种温度范围内，存在载体层和极薄金属层之间的剥离层会变质，损害载体的剥离性之类的问题。另一方面，存在如下问题：当为了维持剥离性而降低热压接的温度时，极薄金属层和低介电性薄膜的密合性降低。因此，目前难以兼顾维持载体和极薄金属层的剥离性(低密合性)、和确保极薄金属层和低介电性薄膜的高密合性。
[0010]因此，本专利技术的目的在于，提供维持载体层和极薄金属层之间的低密合性，且确保
极薄金属层和低介电性薄膜的高密合性的带载体层的金属层叠基材及其制造方法。另一目的在于，提供层叠了低介电性薄膜和极薄金属层的金属层叠基材及其制造方法。又一目的在于，提供由所述金属层叠基材得到且适用作高频电路用的印刷线路板。
[0011]用于解决问题的技术方案
[0012]本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，在使低介电性薄膜和包含载体层、剥离层及极薄金属层的带载体层的金属箔层叠时，通过采用特定的接合方法，并分别控制极薄金属层和低介电性薄膜的接合强度、以及载体层和极薄金属层的剥离强度，能够解决所述课题，并完成了专利技术。即，本专利技术的宗旨如下。
[0013](1)一种带载体层的金属层叠基材，在低介电性薄膜的至少一面层叠有由包含载体层、剥离层及极薄金属层的至少3层以上构成的带载体层的金属箔，其中，
[0014]所述极薄金属层和所述低介电性薄膜的接合强度大于所述载体层和所述极薄金属层的剥离强度。
[0015](2)根据所述(1)所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，在低介电性薄膜和极薄金属层之间具有1层以上的含有金属的中间层。
[0016](3)根据所述(2)所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，中间层含有选自由铜、铁、镍、锌、铬、钴、钛、锡、铂、银及金构成的组中的任一种的金属或其合金。
[0017](4)根据所述(1)～(3)中任一项所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，低介电性薄膜为选自由液晶聚合物、聚氟化乙烯、聚酰胺及低介电常数聚酰亚胺构成的组的低介电性聚合物的薄膜。
[0018](5)根据所述(1)～(4)中任一项所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，载体层和极薄金属层的剥离强度为0.15N/cm以上且0.5N/cm以下。
[0019](6)根据所述(1)～(5)中任一项所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，极薄金属层和低介电性薄膜的接合强度为2.0N/cm以上。
[0020](7)根据所述(1)～(6)中任一项所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，剥离层为有机类剥离层或无机类剥离层。
[0021](8)根据所述(1)～(7)中任一项所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，极薄金属层的厚度为0.5μm以上且10μm以下。
[0022](9)一种带载体层的金属层叠基材的制造方法，制造所述(2)所记载的带载体层的金属层叠基材，其中，包括：
[0023]准备低介电性薄膜、和由包含载体层、剥离层及极薄金属层的至少3层以上构成的带载体层的金属箔的工序；
[0024]通过溅射蚀刻将所述低介电性薄膜的至少一面活化后，在所述面上溅射成膜含有金属的中间层的工序；
[0025]通过溅射蚀刻将所述中间层的表面活化的工序；
[0026]通过溅射蚀刻将所述极薄金属层的表面活化的工序；
[0027]以0～30％的压下率将所述活化的表面彼此轧制接合的工序。
[0028](10)根据所述(9)所记载的带载体层的金属层叠基材的制造方法，其中，低介电性薄膜为选自由液晶聚合物、聚氟化乙烯、聚酰胺及低介电常数聚酰亚胺构成的组中低介电性聚合物的薄膜。
[0029](11)根据所述(9)或(10)所记载的带载体层的金属层叠基材的制造方法，其中，进行轧制接合之后，以160℃以上且300℃以下进行热处理。
[0030](12)一种金属层叠基材，在低介电性薄膜的至少一面上经含有金属的中间层层叠极薄金属层，所述低介电常数薄膜和所述极薄金属层的接合强度为2.0N/cm以上。
[0031](13)根据所述(12)所记载的金属层叠基材，其中，中间层含有选自由铜、铁、镍、锌、铬、钴、钛、锡、铂、银及金构成的组中的任一种金属或其合金。
[0032](14)根据所述(12)或(13)所记载的金属层叠基材，其中，在极薄金属层的中间层侧的表面上层叠含有选自由Cu、Co及Ni构成的组中的任一种金属或其合金的粗化粒子层、和/或含有由Cr、Ni及Zn构成的组中的任一种金属或其合金的防锈层。
[0033](15)根据所述(12)～(14)中任一项所记载的金属层叠基材，其中，极薄金属层的厚度为0.5μm以上且10μm以下。
[0034](16)一种金属层叠基材的制造方法，制造在低介电性薄膜的至少一面上经含有金属的中间本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种带载体层的金属层叠基材，在低介电性薄膜的至少一面层叠有由包含载体层、剥离层及极薄金属层的至少3层以上构成的带载体层的金属箔，其中，所述极薄金属层和所述低介电性薄膜的接合强度大于所述载体层和所述极薄金属层的剥离强度。2.根据权利要求1所述的带载体层的金属层叠基材，其中，在低介电性薄膜和极薄金属层之间具有1层以上的含有金属的中间层。3.根据权利要求2所述的带载体层的金属层叠基材，其中，中间层含有选自由铜、铁、镍、锌、铬、钴、钛、锡、铂、银及金构成的组中的任一种的金属或其合金。4.根据权利要求1～3中任一项所述的带载体层的金属层叠基材，其中，低介电性薄膜为选自由液晶聚合物、聚氟化乙烯、聚酰胺及低介电常数聚酰亚胺构成的组的低介电性聚合物的薄膜。5.根据权利要求1～4中任一项所述的带载体层的金属层叠基材，其中，载体层和极薄金属层的剥离强度为0.15N/cm以上且0.5N/cm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的带载体层的金属层叠基材，其中，极薄金属层和低介电性薄膜的接合强度为2.0N/cm以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的带载体层的金属层叠基材，其中，剥离层为有机类剥离层或无机类剥离层。8.根据权利要求1～7中任一项所述的带载体层的金属层叠基材，其中，极薄金属层的厚度为0.5μm以上且10μm以下。9.一种带载体层的金属层叠基材的制造方法，制造权利要求2所述的带载体层的金属层叠基材，其中，所述制造方法包括：准备低介电性薄膜、和由包含载体层、剥离层及极薄金属层的至少3层以上构成的带载体层的金属箔的工序；通过溅射蚀刻将所述低介电性薄膜的至少一面活化后，在所述面上溅射成膜含有金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：南部光司，桥本裕介，黑川哲平，贞木功太，畠田贵文，
申请(专利权)人：东洋钢钣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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