基于双波长激光的激光检测方法技术

本发明专利技术提供一种基于双波长激光的激光检测方法，包括以下步骤：(a)激发第一激光芯片，以使其向被探测物体发射一个第一激光，从而使所述第一激光能够被所述被探测物体反射和生成一个第一光信号；(b)激发第二激光芯片，以使其向被探测物体发射一个第二激光，从而使所述第二激光能够被所述被探测物体反射和生成一个第二光信号；其中所述第二激光的波长与所述第一激光的波长不同；(c)接收所述第一光信号和所述第二光信号；和(d)分别将所述第一光信号和所述第二光信号转换成相应第一电信号和相应第二电信号。相应第二电信号。相应第二电信号。

【技术实现步骤摘要】
基于双波长激光的激光检测方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体激光器封装一体方案，尤其涉及一种基于双波长激光的激光检测方法。

技术介绍

[0002]VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)，为垂直腔面发射激光器的英文缩写，这是一种基于半导体激光二极管，不同于传统的顶部和侧面发射光的LED及边缘发射激光器，VCSEL能够从其表面垂直发射更为高效的光束。
[0003]具有阈值低、远场发散角小、调制频率高、易实现单纵模工作和二维集成等突出优点，经过多年发展，VCSEL已经在宽带以太网、高速数据通信、光互联、光集成元件等领域中得到了大量的应用，具有广阔的市场前景和不菲的商业价值。
[0004]市场上的垂直腔面发射激光器(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Lasers,VCSEL)现有封装主要为单颗单波长的半导体激光器芯片加上光电探测器，现有封装的尺寸大多为3535(3.5mmX3.5mm)和3532(3.5mmX本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双波长激光的激光检测方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)激发第一激光芯片，以使其向被探测物体发射一个第一激光，从而使所述第一激光能够被所述被探测物体反射和生成一个第一光信号；(b)激发第二激光芯片，以使其向被探测物体发射一个第二激光，从而使所述第二激光能够被所述被探测物体反射和生成一个第二光信号；其中所述第二激光的波长与所述第一激光的波长不同；(c)接收所述第一光信号和所述第二光信号；和(d)分别将所述第一光信号和所述第二光信号转换成相应第一电信号和相应第二电信号。2.根据权利要求1所述的基于双波长激光的激光检测方法，其特征在于，所述步骤(a)进一步包括子步骤：当所述第一激光芯片被加电时，所述第二激光芯片处于不工作状态。3.根据权利要求1所述的基于双波长激光的激光检测方法，其特征在于，所述步骤(b)进一步包括子步骤：加电流，激光从所述第一激光芯片和所述第二激光芯片的顶部发出。4.根据权利要求1所述的基于双波长激光的激光检测方法，其特征在于，所述步骤(c)进一步包括子步骤：分别由对应波长的探测器来接收所述第一光信号和所述第二光信号。5.根据权利要求4所述的基于双波长激光的激光检测方法，其特征在于，所述步骤(d...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旭，刘哲，韩春霞，张岩松，
申请(专利权)人：武汉仟目激光有限公司，
类型：发明
国别省市：