【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置及方法
[0001]本专利技术涉及半导体加工清洗
，尤其涉及一种晶圆清洗装置及方法。
技术介绍
[0002]在半导体制造工艺中，通常需要对晶圆表面进行清洗，以去除晶圆表面上的杂质，例如一些化学颗粒物。
[0003]现有的清洗晶圆的方法一般是：提供一包括夹持部件和承载部件的晶圆卡盘，利用夹持部件夹持住待清洗的晶圆，然后晶圆卡盘旋转，并通过一喷嘴向晶圆喷射清洗剂，来清洗晶圆表面。
[0004]但是，相关技术中，夹持部件夹持晶圆的位置是固定的，如果某一个晶圆存在污染，则会导致夹持部件受到污染，从而造成后续夹持的晶圆都受到污染，会影响晶圆的产品良率。
技术实现思路
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆清洗装置及方法，能够对晶圆夹持部件很好地清洗，避免夹持部件被晶圆污染。
[0006]第一方面，本专利技术提供一种晶圆清洗装置，包括：
[0007]旋转臂；
[0008]设置于所述旋转臂上的基台，所述基台内部设置有至少两个升降机构以及由所述升降机构支撑的晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括承载部件和夹持部件，所述夹持部件设置于所述承载部件上并延伸出所述基台，所述夹持部件用于夹持待清洗的晶圆，所述晶圆卡盘随着所述升降机构的升降同步地上下移动，以使所述夹持部件对前后清洗的不同晶圆使用不同的夹持位置；以及，
[0009]喷淋机构，用于向依次清洗的晶圆喷射清洗剂，对在后清洗的晶圆进行清洗时对所述夹持部件上夹持过在前清洗的晶圆的位置一起进行清洗。>[0010]可选地，当所述升降机构降低到低点位置时，所述夹持部件使用第一夹持位置夹持待清洗的晶圆；
[0011]当所述升降机构升高到高点位置时，所述夹持部件使用第二夹持位置夹持待清洗的晶圆。
[0012]可选地，所述喷淋机构包括：
[0013]第一喷嘴，用于向晶圆的正面喷射第一清洗剂，以便清洗晶圆的正面以及所述夹持部件的第一夹持位置；
[0014]第二喷嘴，用于向晶圆的背面喷射第二清洗剂，以便清洗晶圆的背面以及所述夹持部件的第二夹持位置。
[0015]可选地，所述第一清洗剂为化学溶液。
[0016]可选地，所述第二清洗剂为纯水(DIW)。
[0017]可选地，所述夹持部件位于所述承载部件的边缘位置。
[0018]可选地，所述承载部件正对晶圆的部分为一平坦的表面。
[0019]可选地，所述夹持部件夹持后的晶圆与所述承载部件正对晶圆的部分存在间隙。
[0020]可选地，还包括：
[0021]驱动机构，与所述升降机构连接，用于驱动所述升降机构上下移动。
[0022]第二方面，本专利技术提供一种使用上述晶圆清洗装置清洗晶圆的方法，包括：
[0023]所述旋转臂旋转；
[0024]所述升降机构上下移动，以使所述夹持部件对前后清洗的不同晶圆使用不同的夹持位置；
[0025]所述喷淋机构向依次清洗的晶圆喷射清洗剂，对在后清洗的晶圆进行清洗时对所述夹持部件上夹持过在前清洗的晶圆的位置一起进行清洗。
[0026]本专利技术提供的晶圆清洗装置及方法，夹持部件夹持晶圆的位置可以改变，可以在清洗晶圆的同时，对夹持部件上夹持过晶圆的位置进行清洗，避免夹持部件的污染造成晶圆质量不良，提高晶圆的产品良率。
附图说明
[0027]图1为本专利技术一实施例提供的晶圆清洗装置在升降机构处于低点时的剖面示意图；
[0028]图2为本专利技术一实施例提供的晶圆清洗装置在升降机构处于高点时的剖面示意图；
[0029]图3为对应图1的夹持部件夹持晶圆位置的局部放大图；
[0030]图4为对应图2的夹持部件夹持晶圆位置的局部放大图。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0032]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0033]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0034]参考图1和图2，本实施例提供一种晶圆清洗装置，包括：旋转臂10，在旋转臂10上
设置有基台11，基台11可以在旋转臂10的带动下旋转，基台11具有内部空间，在基台11内部设置有至少两个升降机构12，升降机构12可以与驱动机构(未图示)连接，在驱动机构的作用下，升降机构12可以实现升降。其中图1示出了升降机构12降低到低点时的状态，图2示出了升降机构12升高到高点时的状态。升降机构12上设置有晶圆卡盘13，其中晶圆卡盘13包括承载部件131和夹持部件132，夹持部件132设置于承载部件131上并延伸出基台11的上表面，夹持部件132用于夹持待清洗的晶圆20。一般地，夹持部件132位于承载部件131的边缘位置，承载部件131正对晶圆的部分为一平坦的表面，所述夹持部件夹持晶圆后，晶圆与承载部件131正对晶圆的部分存在间隙。另外，承载部件131可以设置需要的气体管道或液体管道。
[0035]晶圆卡盘13由升降机构12支撑，可以随着升降机构12的升降同步地上下移动，由于晶圆的放置高度是不变的，因此夹持部件132对前后清洗的不同晶圆使用不同的夹持位置。图3为升降机构12位于低点时，夹持部件夹持晶圆位置的局部放大图，记为第一夹持位置A点，图4为升降机构12位于高点时，夹持部件夹持晶圆位置的局部放大图，记为第二夹持位置B点。显然，A点位置要高于B点位置。
[0036]另外，晶圆清洗装置还包括喷淋机构，用于向依次清洗的晶圆喷射清洗剂，对在后清洗的待清洗晶圆进行清洗时对夹持部件上夹持过在前清洗的待清洗晶圆的位置一起进行清洗。
[0037]作为一种实施方式，如图1和图2所示，喷淋机构可以包括第一喷嘴14和第二喷嘴15，第一喷嘴14设置于晶圆上方，用于向晶圆的正面(即上表面)喷射第一清洗剂，以便清洗晶圆的正面。同时，当升降机构处于高点位置时，夹持部件夹持晶圆的位置处于低点(即第二夹持位置B点)，此时第一夹持位置A点是暴露的，第一喷嘴14喷射本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：旋转臂；设置于所述旋转臂上的基台，所述基台内部设置有至少两个升降机构以及由所述升降机构支撑的晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括承载部件和夹持部件，所述夹持部件设置于所述承载部件上并延伸出所述基台，所述夹持部件用于夹持待清洗的晶圆，所述晶圆卡盘随着所述升降机构的升降同步地上下移动，以使所述夹持部件对前后清洗的不同晶圆使用不同的夹持位置；以及，喷淋机构，用于向依次清洗的晶圆喷射清洗剂，对在后清洗的晶圆进行清洗时对所述夹持部件上夹持过在前清洗的晶圆的位置一起进行清洗。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，当所述升降机构降低到低点位置时，所述夹持部件使用第一夹持位置夹持待清洗的晶圆；当所述升降机构升高到高点位置时，所述夹持部件使用第二夹持位置夹持待清洗的晶圆。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷淋机构包括：第一喷嘴，用于向晶圆的正面喷射第一清洗剂，以便清洗晶圆的正面以及所述夹持部件的第一夹持位置；第二喷嘴，用于向晶圆的背面喷射第二清洗剂，以便清洗晶圆的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴英植，胡艳鹏，李琳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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