一种充电设备的CP信号产生与检测电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种充电设备的CP信号产生与检测电路，属于电动汽车充电设备技术领域，该一种充电设备的CP信号产生与检测电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C1、电容C2和TVS二极管，所述三极管Q1和所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R3和所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R3和所述电阻R6的另一端与单片机MCU的PWM引脚电连接，所述电容C1与所述电阻R3的两端并联，本实用新型专利技术只需四个三极管和简单的外围电路即可实现CP信号发生与检测；且电路具有结构简单、抗干扰、静电防护能力强以及成本较低的优点。成本较低的优点。成本较低的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种充电设备的CP信号产生与检测电路


[0001]本技术电动汽车充电设备
，具体而言，涉及一种充电设备的CP信号产生与检测电路。

技术介绍

[0002]供电设备通过PWM信号占空比告知电动汽车最大供电电流值。而目前很多供电设备的CP信号发生电路具有比较复杂、不稳定、上升沿和下降沿缓慢等缺点。

技术实现思路

[0003]为了弥补以上不足，本技术提供了一种充电设备的CP信号产生与检测电路，旨在解决现有的供电设备的CP信号发生电路具有比较复杂、不稳定、上升沿和下降沿缓慢的问题。
[0004]本技术是这样实现的：
[0005]本技术一种充电设备的CP信号产生与检测电路，所述CP信号产生与检测电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容 C1、电容C2和TVS二极管，所述三极管Q1和所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R3和所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R3和所述电阻R6的另一端与单片机MCU的PWM引脚电连接，所述电容C1与所述电阻R3的两端并联，所述三极管Q1的集电极分别通过所述电阻R1和所述电阻R2与所述三极管Q2的发射极电连接，所述三极管Q2的基极电连接在所述电阻R1和所述电阻R2之间，所述三极管Q2和所述三极管Q4的集电极分别通过所述电阻R4和所述电阻R5与 CP信号线电连接，所述电阻R7电连接在所述三极管Q3的集电极和所述三极管 Q4的基极之间，所述电容C2与所述电阻R7的两端并联，所述电阻R9的两端电连接在所述三极管Q3的集电极和所述三极管Q4的发射极之间，所述三极管Q3 的基极和所述电阻R9的另一端之间还电连接有所述电阻R8，所述电阻R4和所述电阻R5的另一端与所述CP信号线之间通过所述TVS二极管接地。
[0006]在本技术的一种实施例中，所述三极管Q1和所述三极管Q4为NPN 型三极管，所述三极管Q2和所述三极管Q3为PNP型三极管。
[0007]在本技术的一种实施例中，所述三极管Q1和所述三极管Q4的型号为SS8050，所述三极管Q2和所述三极管Q3型号为SS8550。
[0008]在本技术的一种实施例中，所述三极管Q2和所述三极管Q4的发射极均与电源导线电连接。
[0009]在本技术的一种实施例中，所述TVS二极管的型号为P6SMB15CA。
[0010]相较于现有技术，本技术的有益效果是：本技术只需四个三极管和简单的外围电路即可实现CP信号发生与检测；且电路具有结构简单、抗干扰、静电防护能力强以及成本较低的优点。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0012]图1是本技术实施方式提供的一种充电设备的CP信号产生与检测电路的原理图。
具体实施方式
[0013]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0014]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0015]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0016]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0017]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0018]实施例
[0019]参照附图1所示，本技术提供一种技术方案：一种充电设备的CP 信号产生与检测电路，CP信号产生与检测电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和TVS二极管，三极管Q1和三极管Q3的基极分别与电阻R3和电阻R6的一端电连接，电阻R3和电阻R6的另一端与单片机MCU的PWM引脚电连接，电容C1与电阻R3的两端并联，三极管Q1的集电极分别通过电阻R1和电阻R2与三极管Q2的发射极电连接，三极管Q2的基极电连接在电阻R1和电阻R2之间，三极管Q2和三极管Q4的集电极分别通过电阻R4和电阻R5与CP信号线电连接，电阻R7电连接在三极管Q3的集电极和三极管Q4的基极之间，电容C2与电阻R7的两端并联，电阻R9的两端电连接在三极管Q3的集电极和三极管Q4的发射极之间，三极管Q3的基极和电
阻R9的另一端之间还电连接有电阻R8，电阻R4和电阻R5的另一端与CP信号线之间通过TVS二极管接地。
[0020]根据本技术较佳的实施例中，三极管Q1和三极管Q4为NPN型三极管，三极管Q2和三极管Q3为PNP型三极管。
[0021]优选地，三极管Q1和三极管Q4的型号为SS8050，三极管Q2和三极管Q3型号为SS8550。
[0022]根据本技术较佳的实施例中，三极管Q2和三极管Q4的发射极均与电源导线电连接。其中，三极管Q2所连接的电源导线采用+12V电源供电，三极管Q4所连接的电源导线采用
‑
12V电源供电。
[0023]优选地，TVS二极管的型号为P6SMB15CA。
[0024]具体的，该一种充电设备的CP信号产生与检测电路的工作原理：单片机MCU的PWM引脚输出驱动信号；当驱动信号为高电平时，三极管Q1和三极管 Q2导通，CP信号线输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充电设备的CP信号产生与检测电路，其特征在于，所述CP信号产生与检测电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和TVS二极管，所述三极管Q1和所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R3和所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R3和所述电阻R6的另一端与单片机MCU的PWM引脚电连接，所述电容C1与所述电阻R3的两端并联，所述三极管Q1的集电极分别通过所述电阻R1和所述电阻R2与所述三极管Q2的发射极电连接，所述三极管Q2的基极电连接在所述电阻R1和所述电阻R2之间，所述三极管Q2和所述三极管Q4的集电极分别通过所述电阻R4和所述电阻R5与CP信号线电连接，所述电阻R7电连接在所述三极管Q3的集电极和所述三极管Q4的基极之间，所述电容C2与所述电阻R7的两端并联，所述电阻R9的两端电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭黎青，田志龙，张心，高朋，
申请(专利权)人：青岛华烁高科新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：