一种带按键OGS触摸屏抗静电结构及触摸屏制造技术

技术编号:33055910 阅读:10 留言:0更新日期:2022-04-15 09:42
本实用新型专利技术公开了一种带按键OGS触摸屏抗静电结构及触摸屏,所述抗静电结构至少包括Sensor图案,所述Sensor图案采用单层搭桥结构,所述Sensor图案由若干感应通道和若干驱动通道构成,且所述Sensor图案分成按键区和视区两部分,所述视区的感应通道和驱动通道之间的间隙内设置ITO dummy,所述按键区的感应通道和驱动通道之间的间隙内不设置ITO dummy。本实用新型专利技术触摸屏抗静电结构的按键区的ITO图案、桥点重新设计,ITO图案间距增大,ITO过桥尺寸加大,去除ITO图案间的dummy,使其和视区有明显差异,新设计的按键区加强了对抗静电高压击伤的能力,解决了相邻ITO图案间短路的风险。解决了相邻ITO图案间短路的风险。解决了相邻ITO图案间短路的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种带按键OGS触摸屏抗静电结构及触摸屏


[0001]本技术属于显示
,具体涉及一种带按键OGS触摸屏抗静电结构及触摸屏。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展,触摸屏类电子显示设备越来越普及。在秋冬季节,干燥的天气非常容易产生静电,静电常常会对触摸屏类电子产品带来很大伤害,因此,作为触摸屏的制造厂家,提高触摸屏的抗静电能力是非常必要的,它关系到产品的质量,可靠性及产品核心竞争力。
[0003]如图1所示,目前触摸屏类电子显示设备,触摸屏通常都设计有视区和按键区(非视区),按照常规设计,按键部位的ITO图案设计,桥点设计,dummy设计和可视区设计一致,这种常规设计的按键(非视区)部位一般都会存在油墨层(按键图案),在干燥的秋冬季节,油墨层容易产生静电高压,导致按键区域的ITO图案被静电击伤,从而导致相邻ITO图案间短路。

技术实现思路

[0004]本技术需要解决的技术问题是提供一种带按键OGS触摸屏抗静电结构及触摸屏,按键部分的ITO图案采用和视区不一样的设计,提高抗静电击伤能力,防止了相邻ITO间短路的发生。
[0005]为解决上述问题,本技术所采取的技术方案是:
[0006]一种带按键OGS触摸屏抗静电结构,所述抗静电结构至少包括Sensor图案,所述Sensor 图案采用单层搭桥结构,所述Sensor图案由若干感应通道ITO图案和若干驱动通道ITO图案构成,且所述Sensor图案分成按键区和视区两部分,所述视区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙内设置ITO dummy,所述按键区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO 图案之间的间隙内不设置ITO dummy。
[0007]进一步的,所述按键区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙为0.4mm。
[0008]进一步的,所述Sensor图案的单层搭桥结构为自下至上依次堆叠的过桥层、第一OC绝缘层、ITO图案层和第二OC保护层,所述ITO图案层由感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案构成,所述第一OC绝缘层用于隔离感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案。
[0009]更进一步的,所述过桥层由若干ITO过桥组成,所述ITO过桥连接相邻的两个感应通道 ITO图案构成感应通道或者连接相邻的两个驱动通道ITO图案构成驱动通道。
[0010]优选的,所述按键区的感应通道ITO图案搭桥处连通宽度或者驱动通道ITO图案搭桥处连通宽度为0.2mm。
[0011]优选的,所述按键区的ITO过桥尺寸为长1.64mm*宽0.15mm。
[0012]进一步的,所述Sensor图案采用菱形图案,即构成Sensor图案的感应通道ITO图案
和驱动通道ITO图案为菱形图案,按键区菱形图案的四角和视区菱形图案的四角不同,使按键区感应通道和驱动通道之间任意位置处的间隙在0.4mm以上。
[0013]进一步的,所述按键区设有按键图案,所述按键图案采用防静电油墨制作。
[0014]一种OGS触摸屏,采用上述任一技术方案所述的一种带按键OGS触摸屏抗静电结构。
[0015]进一步的,所述OGS触摸屏的堆叠结构自下至上依次为玻璃基板、BM层、Sensor图案层和保护层。
[0016]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
[0017]本技术触摸屏抗静电结构的按键区的ITO图案、桥点重新设计,ITO图案间距增大, ITO过桥尺寸加大,去除ITO图案间的dummy,使其和视区有明显差异,新设计的按键区加强了对抗静电高压击伤的能力,解决了相邻ITO图案间短路的风险。增强了产品可靠性,提高了产品的市场竞争力。
附图说明
[0018]图1是本技术OGS触摸屏结构示意图;
[0019]图2是本技术带按键OGS触摸屏的抗静电结构示意图;
[0020]图3是本技术图2的A部分放大图;
[0021]图4是本技术图2的B部分放大图;
[0022]图5是本技术搭桥结构示意图;
[0023]其中:1、按键区,2、视区,3、按键图案,4、感应通道,5、驱动通道,6、ITO dummy, 7、过桥层,8、第二OC保护层,9、第一OC绝缘层。
具体实施方式
[0024]下面结合附图对技术做进一步详细描述:
[0025]本技术中使用的英文简称及对应中文翻译如下:
[0026]OGS为One glass solution的简称,中文指:在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的技术。
[0027]Sensor,中文指:触摸传感器。
[0028]ITO为Indium Tin Oxide的简称,中文指:氧化铟锡。
[0029]ITO dummy为Indium Tin Oxide dummy的简称,中文指:氧化铟锡悬浮块。
[0030]OC为Over coating的简称,中文指:外涂层。
[0031]BM为black matrix的简称,中文指:黑矩阵。
[0032]本技术是一种用于带按键的OGS触摸屏的抗静电结构,该抗静电结构主要设置于按键区域,防止按键区域的ITO图案被静电击伤,从而导致相邻ITO图案间短路。
[0033]实施例1
[0034]如图2

5所示,本实施例的抗静电结构至少包括Sensor图案,所述Sensor图案采用单层搭桥结构,并且所述Sensor图案是由若干感应通道ITO图案和若干驱动通道ITO图案构成的。从功能上将所述Sensor图案分成按键区和视区两部分,其中按键区设置有按键图案,所述Sensor图案的单层搭桥结构为自下至上依次堆叠的过桥层、第一OC绝缘层、ITO图案层
和第二OC保护层,所述ITO图案层由感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案构成,所述第一 OC绝缘层用于隔离感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案。为了防止按键区ITO图案被击伤,本实施例所述按键区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙内不要设置ITOdummy,以增加感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙。所述按键区的感应通道 ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙为0.4mm。但视区还是按常规设计,其感应通道和驱动通道之间的间隙内还是要设置ITO dummy。
[0035]对于本实施例,所述过桥层由若干ITO过桥组成,所述ITO过桥连接相邻的两个感应通道ITO图案以构成感应通道,当然,根据实际情况,也可以是通过ITO过桥连接相邻的两个驱动通道ITO图案以构成驱动通道。
[0036]作为本实施例的优选方案,本实施例所述按键区的感应通道ITO图案搭桥处连通宽度为 0.2mm,当然,如果ITO过桥连接的是两个相邻的驱动通道ITO图案,驱动通道ITO图案搭桥处连通宽度也为0.2mm,相比视区搭桥处0.135mm的连通宽度,宽度增加了很多。并且所述按键区本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带按键OGS触摸屏抗静电结构,其特征在于:所述抗静电结构至少包括Sensor图案,所述Sensor图案采用单层搭桥结构,所述Sensor图案由若干感应通道ITO图案和若干驱动通道ITO图案构成,且所述Sensor图案分成按键区和视区两部分,所述视区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙内设置ITO dummy,所述按键区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙内不设置ITO dummy。2.根据权利要求1所述的一种带按键OGS触摸屏抗静电结构,其特征在于:所述按键区的感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案之间的间隙为0.4mm。3.根据权利要求1所述的一种带按键OGS触摸屏抗静电结构,其特征在于:所述Sensor图案的单层搭桥结构为自下至上依次堆叠的过桥层、第一OC绝缘层、ITO图案层和第二OC保护层,所述ITO图案层由感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案构成,所述第一OC绝缘层用于隔离感应通道ITO图案和驱动通道ITO图案。4.根据权利要求3所述的一种带按键OGS触摸屏抗静电结构,其特征在于:所述过桥层由若干ITO过桥组成,所述ITO过桥连接相邻的两个感应通道ITO图案构成感应通道或者连接相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄生发黄盛觐
申请(专利权)人:信利光电股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1