天线结构制造技术

一种天线结构包括第一基板、第二基板、第一液晶层、第一电极层、第二电极层以及反射层。第一基板与第二基板相对设置。第一液晶层设置在第一基板与第二基板之间。第一电极层设置在第一基板上，且位于第一液晶层与第一基板之间。第二电极层设置在第二基板上，且位于第一液晶层与第二基板之间。反射层设置在第二基板背离第二电极层的一侧。第一电极层、第二电极层和反射层相互重叠，且第一电极层具有至少一环状电极或至少一环状开口。环状电极或至少一环状开口。环状电极或至少一环状开口。

【技术实现步骤摘要】
天线结构


[0001]本专利技术涉及一种移动通信技术，且特别涉及一种天线结构。

技术介绍

[0002]随着第五代移动通信技术(5G)的商业化，远距医疗、VR直播、4K画质直播、智慧家庭等等应用都有了新的发展契机。由于5G具有高数据速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高系统容量和大规模装置连接等效能，不同领域的业者还可进行跨界结盟，共同打造新一代的5G生态链。为了增加5G毫米波的覆盖率，一种反射式天线被广泛应用。
[0003]常见的反射式天线又可区分为被动式阵列天线和主动式阵列天线。被动式阵列天线因具有固定的天线尺寸而具有固定的电磁波接收角度和出射角度。相反地，由于主动式阵列天线具有电磁波的相位调制能力，因此能调整电磁波的接收角度和出射角度。然而，这类主动式阵列天线一般是搭配移相器的使用来调制电磁波的相位。对于尺寸越大的阵列天线来说，其移相器的使用成本会越高。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种天线结构，可用于调制电磁波的反射频率和相位，并且具有较低的生产成本。
[0005]本专利技术的天线结构，包括第一基板、第二基板、第一液晶层、第一电极层、第二电极层以及反射层。第一基板与第二基板相对设置。第一液晶层设置在第一基板与第二基板之间。第一电极层设置在第一基板上，且位于第一液晶层与第一基板之间。第二电极层设置在第二基板上，且位于第一液晶层与第二基板之间。反射层设置在第二基板背离第二电极层的一侧。第一电极层、第二电极层和反射层相互重叠，且第一电极层具有至少一环状电极或至少一环状开口。
[0006]基于上述，在本专利技术的一实施例的天线结构中，第一电极层与第二电极层的部分重叠关系所产生的电容耦合效应可经由夹设在这两电极层间的液晶层来改变。亦即，这些电极层所形成的感应电路(或感应回路)的共振频率和相位是可调制的。由于本专利技术的天线结构无须搭配移相器即可具有相位调制的功能，因此更具有成本优势。另外，本专利技术的天线结构的尺寸较小，更适于密集排列并构成能有效抑制旁波瓣(sidelobe)形成的天线阵列。
附图说明
[0007]图1A及图1B是依照本专利技术的第一实施例的天线结构在不同方向上的俯视示意图。
[0008]图2是图1A的天线结构的剖视示意图。
[0009]图3是图1A的天线结构在不同操作模式下的反射系数S11和相位对频率的曲线图。
[0010]图4是依照本专利技术的一实施例的天线阵列的示意图。
[0011]图5A及图5B是依照本专利技术的第二实施例的天线结构在不同方向上的俯视示意图。
[0012]图6是依照本专利技术的第三实施例的天线结构的剖视示意图。
[0013]图7是图6的天线结构在不同操作模式下的反射系数S11和相位对频率的曲线图。
[0014]图8是依照本专利技术的第四实施例的天线结构的剖视示意图。
[0015]图9是图8的天线结构在不同操作模式下的反射系数S11和相位对频率的曲线图。
[0016]图10A及图10B是依照本专利技术的第五实施例的天线结构在不同方向上的俯视示意图。
[0017]图11是图10A的天线结构的剖视示意图。
[0018]图12是图10A的天线结构在不同操作模式下的反射系数S11和相位对频率的曲线图。
[0019]附图标记说明：
[0020]1：天线阵列
[0021]10、10A、10B、20、30：天线结构
[0022]50：驱动电路板
[0023]101：第一基板
[0024]102：第二基板
[0025]102s：表面
[0026]103：第三基板
[0027]104：第四基板
[0028]110、110A：第一电极层
[0029]112、132：第一环状电极
[0030]112O：第一环状开口
[0031]114、134：第二环状电极
[0032]114O：第二环状开口
[0033]116、136：第三环状电极
[0034]120、120A、120B：第二电极层
[0035]120e：延伸部
[0036]120oe：开口延伸部
[0037]120m：主部
[0038]120om：开口主部
[0039]122、122A、142：第一条状电极
[0040]122O：第一条状开口
[0041]124、124A、144：第二条状电极
[0042]124O：第二条状开口
[0043]130：第三电极层
[0044]140：第四电极层
[0045]150：反射层
[0046]AG：空气层
[0047]AU1、AU2：天线单元
[0048]G、G”：间隙
[0049]LC1：第一液晶层
[0050]LC2：第二液晶层
[0051]OW1：第一开口宽度
[0052]OW2：第二开口宽度
[0053]S：间距
[0054]W：宽度
[0055]W1：第一宽度
[0056]W2：第二宽度
[0057]X、Y、Z：方向
[0058]A
‑
A
’
、B
‑
B
’
：剖线
具体实施方式
[0059]本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如
±
30％、
±
20％、
±
15％、
±
10％、
±
5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依测量性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
[0060]在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”可为二元件间存在其它元件。
[0061]现将详细地参考本专利技术的示范性实施方式，示范性实施方式的实例说明于说明书附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0062]图1A及图1B是依照本专利技术的第一实施例的天线结构在不同方向上的俯视示意图。图2是图1A的天线结构的剖视示意图。图2对应图1A的剖线A
‑
A
’
。图3是图1A的天线结构在不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，包括：一第一基板；一第二基板，与该第一基板相对设置；一第一液晶层，设置在该第一基板与该第二基板之间；一第一电极层，设置在该第一基板上，且位于该第一液晶层与该第一基板之间；一第二电极层，设置在该第二基板上，且位于该第一液晶层与该第二基板之间；以及一反射层，设置在该第二基板背离该第二电极层的一侧，其中该第一电极层、该第二电极层和该反射层相互重叠，且该第一电极层具有至少一环状电极或至少一环状开口。2.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一电极层包括：一第一环状电极；一第二环状电极，围绕该第一环状电极设置；以及一第三环状电极，围绕该第一环状电极和该第二环状电极设置。3.如权利要求2所述的天线结构，其中该第一环状电极与该第二环状电极在一第一方向上具有一间隙，且该第二电极层重叠于该间隙。4.如权利要求3所述的天线结构，其中该间隙在该第一方向的宽度小于该第一环状电极与该第二环状电极在一第二方向上的间距，且该第一方向与该第二方向相交。5.如权利要求3所述的天线结构，其中该第二电极层具有相连接的一主部与一延伸部，该主部重叠于该第一环状电极与该第二环状电极的该间隙、该第一环状电极以及该第二环状电极，该延伸部延伸于该主部沿着一第二方向的相对两侧，且该第二方向与该第一方向相交。6.如权利要求2所述的天线结构，其中该第二环状电极在一第一方向与一第二方向上分别具有一第一宽度与一第二宽度，该第一方向与该第二方向相交，且该第一宽度不同于该第二宽度。7.如权利要求1所述的天线结构，其中该至少一环状电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪敬榔，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：