【技术实现步骤摘要】
用于降低晶圆温度的装置
[0001]本专利技术涉及半导体技术
,尤其涉及用于降低晶圆温度的装置。
技术介绍
[0002]在半导体制造过程中,许多任务艺(例如沉积工艺、植入工艺、蚀刻工艺以及退火工艺等)是在高温(例如高于150度C甚至更高)的条件下执行。在回到一工艺集结机台(processing cluster tool)外的一晶圆载具(如本领域熟知的FOUP)之前或在进行下一步的工艺之前,处理后的晶圆需要被冷却(或是保温)。
[0003]晶圆从高温的反应腔体移动至设备外部的晶圆载具或晶圆盒,必须要降低温度,以避免晶圆载具和晶圆盒损坏。因此,已知发展了降低晶圆温度的技术,例如,美国公开第US20200135521号专利申请文献,揭示一种高流速的、气体吹扫的侧储存盒装置、组件、及方法,其利用设备前端模块(Equipment Front End Module,EFEM)的风机滤网设备的气源供给气体给晶圆,以达降低晶圆温度。具体而言,所述习知技术是在传递腔体(transfer chamber)的一侧提供有无门的一晶圆存 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于降低晶圆温度的装置,包含:一存放架,具有一腔室及复数个支撑件,所述复数个支撑件配置于所述腔室内,用以支撑和收容复数个晶圆;以及一气体输送模块,配置于所述存放架的一侧,且与一气体源连接,所述气体输送模块具有复数个分气出口及复数个气孔,每一分气出口对应每一气孔,且每一气孔位于两个支撑件之间。2.根据权利要求1所述用于降低晶圆温度的装置,其特征在于,所述存放架包含一分气块、一顶板及一底板,所述气体输送模块配置于所述分气块的一侧。3.根据权利要求1所述用于降低晶圆温度的装置,其特征在于,所述气体输送模块由不锈钢或铝合金金属材料加工而成。4.根据权利要求1所述用于降低晶圆温度的装置,其特征在于,所述气体输送模块与所述气体源经由一密封连接器连接。5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李慧,沙俊汀,刘忠武,
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。