一种屏蔽膜的包边方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种屏蔽膜的包边方法及其应用，涉及FPC制备技术领域。包括以下步骤：开料、切槽、压合；所述切槽步骤中，按预定形状切除屏蔽膜，使剩余屏蔽膜相互连结，且零件区域之间的屏蔽膜被切断。该包边方法通过设计特定的屏蔽膜切除区域，采用激光切割的方法不完全切除废料区域的屏蔽膜，使残留屏蔽膜相互连结，降低压合后的拉伸变形程度，同时还易于后续的撕离型膜工序的进行，降低漏撕离型膜造成零件报废的风险。废的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽膜的包边方法及其应用


[0001]本专利技术涉及FPC制备
，特别是涉及一种屏蔽膜的包边方法及其应用。

技术介绍

[0002]柔性线路板中的屏蔽膜包边技术是将屏蔽膜保护FPC的一种技术，目的是为了在高频的时候，防止信号从FPC的侧壁泄露，随着5G时代到来，信号传输频率越来越高。对信号传输线屏蔽的要求也在不断提升。为了节省安装空间，实现高密度安装，5G智能手机中的连接主板和天线的部分，由FPC代替同轴电缆。由多层FPC代替同轴电缆。由于FPC边缘信号泄漏的问题，需要用电磁膜对FPC进行保护处理，即用电磁膜将FPC包裹起来。
[0003]在目前现有的技术，电磁膜包边工艺仍然存在各种问题点，例如FPC的压合方式、屏蔽膜的切割方式、生产效率等，其中屏蔽膜的切割设计会直接影响到生产的加工效率和后工序。目前主流的的方案有两种，方案一：单SET整版贴合，方案二：单pcs屏蔽膜转印微粘膜，但这两种方式都存在一定的缺点。方案一采用单SET整版贴合屏蔽膜的方式，主要的缺点在于零件的局部偏位影响后工序的对位问题，特别是SMT制程中的器件焊接时的对位。其次，方案二中采用单pcs屏蔽膜转印微粘膜，在实际的操作过程中生产效率低，而且存在漏撕离型膜的风险。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术提供一种屏蔽膜的包边方法，该包边方法通过激光切割的方法在不完全切除废料区域的屏蔽膜，使残留屏蔽膜相互连结，降低压合后的拉伸变形程度，同时还易于后续的撕离型膜工序的进行，降低漏撕离型膜造成零件报废的风险。r/>[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种屏蔽膜的包边方法，包括以下步骤：开料、切槽、压合；所述切槽步骤中，按预定形状切除屏蔽膜，使剩余屏蔽膜相互连结，且零件区域之间的屏蔽膜被切断。
[0006]本专利技术人对现有技术中的两种屏蔽膜的切割方法进行研究发现：方案一的单SET整版贴合，如图1所示，虽然生产效率高，屏蔽膜上的离型膜易分离，不会漏失；对于一般的未镂空的板子压合，由于零件有支撑力，压合屏蔽膜时不容易出现零件变形的问题，而对于屏蔽膜包边的产品采用传统的工艺进行屏蔽膜压合时，由于包边的需求，导致零件本身只有连结筋，大部分都是镂空的状态，在压合屏蔽膜时，由于零件没有支撑了，受到外界挤压时，容易出现零件变形的情况，分析其挤压过程中受力的情况，分析变形的主要原因，是因为压合过程中，板子在收到垂直向下的压力时，屏蔽膜会向中收缩或拉伸，导致零件水平方向的变形转动，如图2所示，以至于单pcs的零件位置出现偏位，无法通过板子上的MARK点进行对位，从而对于SMT的打件造成困难。而方案二的单pcs屏蔽膜转印微粘膜，如图3所示，虽然屏蔽膜的废料区域几乎没有，拉伸变形小，如图4所示，对于板中的单pcs零件的位置影响小，可以保证MARK点与零件的位置可以一一对应，利于后面的SMT打件制程；但方案二需要通过离型膜转印的方式来进行屏蔽膜的加工，效率低，在贴合是不利于对位，并且因为屏蔽
膜包括保护膜、导电胶层、金属层、绝缘层和离型膜，如图5所示，其中保护膜和离膜的作用是保护屏蔽膜的主体在使用过程中不会受损，因此在生产过程中需要去掉，采用方案二，则压合后需要撕掉单pcs的屏蔽膜的离型膜，效率低下，容易导致出现漏撕载膜的风险造成零件报废。因此，本专利技术人提出上述包边方法，通过激光切割的方法不完全切除废料区域的屏蔽膜，使残留屏蔽膜相互连结，降低压合后的拉伸变形程度，同时因残留屏蔽膜相互连结，易于后续的撕离型膜工序的进行，进而降低漏撕离型膜造成零件报废的风险，既保证了加工的效率，又保障了SMT的打件。
[0007]在其中一个实施例中，所述预定形状的设计方法包括以下步骤：设定连接区域和残留区域，所述零件区域通过所述连接区域连接所述残留区域，所述零件区域之间断开；所述剩余屏蔽膜包括所述连接区域的屏蔽膜、所述零件区域的屏蔽膜和所述残留区域的屏蔽膜。
[0008]在其中一个实施例中，所述残留区域的屏蔽膜的残留量为45
‑
55％。
[0009]在其中一个实施例中，所述残留区域的屏蔽膜的残留量为50％。
[0010]在其中一个实施例中，所述切槽步骤中，采用激光切割的方法切除屏蔽膜。
[0011]在其中一个实施例中，所述激光切割的切割速度为900
‑
1100mm/s、脉冲频率为800000
‑
1200000Hz、激光能量为10
‑
20W、光斑间距为0.8
‑
1.0mm。
[0012]在其中一个实施例中，所述激光切割的切割速度为1000mm/s、脉冲频率为1000000Hz、激光能量为15W、切割次数为10次、焦距偏移为0、光斑间距为0.9mm。
[0013]在其中一个实施例中，所述屏蔽膜包括保护膜、导电胶层、金属层、绝缘层、离型膜。
[0014]在其中一个实施例中，所述压合包括以下步骤：撕保护膜、贴合、真空快压、撕离型膜、快压、烘烤。
[0015]在其中一个实施例中，所述真空快压的压合温度为200
‑
220℃；所述快压的压力为10
‑
20kg、压合时间为250
‑
350s、压合温度为160
‑
200℃；所述烘烤的温度为140
‑
180℃、烘烤的时间为1.5
‑
2.5h。
[0016]在其中一个实施例中，所述真空快压的负性方式为GX125/FPC/GX
‑
125。
[0017]本专利技术还提供了所述包边方法在FPC制备中的应用。
[0018]本专利技术还提供了一种FPC，该FPC采用所述包边方法制备得到。
[0019]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0020]本专利技术的一种屏蔽膜的包边方法及其应用，该包边方法通过在切槽步骤中采用激光切割的方式不完全切除废料区域的屏蔽膜，使残留屏蔽膜相互连结，降低压合后的拉伸变形程度，同时还易于后续的撕离型膜工序的进行，降低漏撕离型膜造成零件报废的风险。
附图说明
[0021]图1为
技术实现思路
部分中方案一单SET整版贴合工艺的示意图；
[0022]图2为
技术实现思路
部分中方案一单SET整版贴合工艺在屏蔽膜压合过程中的受力情况示意图；
[0023]图3为
技术实现思路
部分中方案二单pcs屏蔽膜转印微粘膜工艺的示意图；
[0024]图4为
技术实现思路
部分中方案二单pcs屏蔽膜转印微粘膜工艺在屏蔽膜压合过程中
的受力情况示意图；
[0025]图5为
技术实现思路
部分中屏蔽膜的叠构图；
[0026]图6为实施例1中采用激光切割的方法进行整版切槽屏蔽膜的示意图。
[0027]其中，1为保留的屏蔽膜，2为去除的屏蔽膜，3为屏蔽膜，4为零件，5为保护膜，6为导电胶层，7为金属层，8为绝缘层，9为离型层，10为连接区域，11为残留区域，12为零件区域。
具体实施方式
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽膜的包边方法，其特征在于，包括以下步骤：开料、切槽、压合；所述切槽步骤中，按预定形状切除屏蔽膜，使剩余屏蔽膜相互连结，且零件区域之间的屏蔽膜被切断。2.根据权利要求1所述的包边方法，其特征在于，所述预定形状的设计方法包括以下步骤：设定连接区域和残留区域，所述零件区域通过所述连接区域连接所述残留区域，所述零件区域之间断开；所述剩余屏蔽膜包括所述连接区域的屏蔽膜、所述零件区域的屏蔽膜和所述残留区域的屏蔽膜。3.根据权利要求2所述的包边方法，其特征在于，所述残留区域的屏蔽膜的残留量为45
‑
55％。4.根据权利要求1所述的包边方法，其特征在于，所述切槽步骤中，采用激光切割的方法切除屏蔽膜。5.根据权利要求4所述的包边方法，其特征在于，所述激光切割的切割速度为900
‑
1100mm/s、脉冲频率为800000
‑
1200000Hz、激光能量为10
‑
20W、光斑间距...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘丽，周素文，郑道远，郭好永，
申请(专利权)人：安捷利电子科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：