缓冲电路和延时电路制造技术

本发明专利技术公开了一种缓冲电路和延时电路。所述缓冲电路包括：输入端子、输出端子和供电电源端子，所述输入端子用于接入输入差分信号，所述输出端子用于连接功能电路，所述供电电源端子用于接入供电电源；驱动单元，用于响应所述输入端子处的输入差分信号并生成输出差分信号至所述输出端子；负载单元，耦合于所述输出端子与供电电源端子之间；负电容单元，耦合于所述供电电源端子与所述输出端子之间，用于降低所述功能电路的电容。本发明专利技术能够提高缓冲电路的工作频率。电路的工作频率。电路的工作频率。

【技术实现步骤摘要】
缓冲电路和延时电路


[0001]本专利技术实施例涉及电路
，尤其涉及一种缓冲电路和延时电路。

技术介绍

[0002]缓冲电路能够将输入信号进行缓冲后输出，具有增大电路驱动能力和优化波形等优点，在各种电路中有着广泛的应用。
[0003]然而，现有的缓冲电路速度存在限制，工作频率较低，在更高频的场合应用效果不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种缓冲电路和延时电路，以提高缓冲电路的工作频率。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种缓冲电路，所述缓冲电路包括：
[0006]输入端子、输出端子和供电电源端子，所述输入端子用于接入输入差分信号，所述输出端子用于连接功能电路，所述供电电源端子用于接入供电电源；
[0007]驱动单元，用于响应所述输入端子处的输入差分信号并生成输出差分信号至所述输出端子；
[0008]负载单元，耦合于所述输出端子与供电电源端子之间；
[0009]负电容单元，耦合于所述供电电源端子与所述输出端子之间，用于降低所述功能电路的电容。
[0010]可选地，所述输出端子包括第一输出端子和第二输出端子；所述负载单元包括第一负载和第二负载；所述负电容单元包括第一三极管、第二三极管、第一二极管结构和第二二极管结构；
[0011]所述第一负载、所述第一三极管和所述第一二极管结构串接于所述供电电源端子与所述第一输出端子之间；所述第二负载、所述第二三极管及所述第二二极管结构串接于所述供电电源端子与所述第二输出端子之间；
[0012]其中，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极电连接。
[0013]可选地，所述第一负载的第一端与所述供电电源端子电连接，所述第一负载的第二端与所述第一三极管的集电极电连接；所述第一三极管的发射极与所述第一二极管结构的第一极电连接，所述第一二极管结构的第二极与所述第一输出端子电连接；
[0014]所述第二负载的第一端与所述供电电源端子电连接，所述第二负载的第二端与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的发射极与所述第二二极管结构的第一极电连接，所述第二二极管结构的第二极与所述第二输出端子电连接。
[0015]可选地，所述第一二极管结构的第一极与所述供电电源端子电连接，所述第一二极管结构的第二极与所述第一三极管的集电极电连接；所述第一三极管的发射极与所述第一负载的第一端电连接，所述第一负载的第二端与所述第一输出端子电连接；
[0016]所述第二二极管结构的第一极与所述供电电源端子电连接，所述第二二极管结构的第二极与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的发射极与所述第二负载的第一端电连接，所述第二负载的第二端与所述第二输出端子电连接。
[0017]可选地，所述第一二极管结构包括第三三极管，所述第三三极管的基极与所述第三三极管的集电极电连接后作为所述第一二极管结构的第一极，所述第三三极管的发射极作为所述第一二极管结构的第二极；
[0018]所述第二二极管结构包括第四三极管，所述第四三极管的基极与所述第四三极管的集电极电连接后作为所述第二二极管结构的第一极，所述第四三极管的发射极作为所述第二二极管结构的第二极。
[0019]可选地，所述驱动单元包括第五三极管和第六三极管；所述输入端子包括第一输入端子和第二输入端子；所述输出端子包括第一输出端子和第二输出端子；
[0020]所述第五三极管的集电极与所述第一输出端子电连接，所述第五三极管的发射极与所述第六三极管的发射极电连接，所述第五三极管的基极与所述第一输入端子电连接；
[0021]所述第六三极管的集电极与所述第二输出端子电连接，所述第六三极管的基极与所述第二输入端子电连接。
[0022]可选地，所述缓冲电路还包括第一电流源，所述第一电流源的第一端与所述第五三极管的发射极以及所述第六三极管的发射极电连接，所述第一电流源的第二极接地。
[0023]可选地，所述缓冲电路还包括：
[0024]第一射极跟随器和第二射极跟随器；
[0025]所述第一输出端子与所述第一射极跟随器的输入端电连接，所述第一射极跟随器的输出端作为所述缓冲电路的第一跟随输出端；
[0026]所述第二输出端子与所述第二射极跟随器的输入端电连接，所述第二射极跟随器的输出端作为所述缓冲电路的第二跟随输出端。
[0027]可选地，所述第一射极跟随器包括第七三极管和第二电流源；所述第七三极管的基极与所述第一输出端子电连接，所述第七三极管的集电极与所述供电电源端子电连接，所述第七三极管的发射极与所述第二电流源的第一端以及所述第一跟随输出端电连接，所述第二电流源的第二端接地；
[0028]所述第二射极跟随器包括第八三极管和第三电流源；所述第八三极管的基极与所述第二输出端子电连接，所述第八三极管的集电极与所述供电电源端子电连接，所述第八三极管的发射极与所述第三电流源的第一端以及所述第二跟随输出端电连接，所述第三电流源的第二端接地。
[0029]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种延时电路，所述延时电路包括第一方面所述的缓冲电路和功能电路，其中，所述缓冲电路的输出端子用于连接所述功能电路；所述功能电路为压控延时单元，所述压控延时单元用于将输入信号延时后输出。
[0030]本专利技术实施例的技术方案，采用的缓冲电路包括：输入端子、输出端子和供电电源端子，输入端子用于接入输入差分信号，输出端子用于连接功能电路，供电电源端子用于接入供电电源；驱动单元，用于响应输入端子处的输入差分信号并生成输出差分信号至输出端子；负载单元，耦合于输出端子与供电电源端子之间；负电容单元，耦合于供电电源端子与输出端子之间，用于降低功能电路的电容。通过在缓冲电路的供电电源端子与输出端子
之间耦合负电容单元，能够极大地降低功能电路的电容，从而提高信号传输的速度，进而提高缓冲电路的工作频率。
附图说明
[0031]图1为本专利技术实施例提供的一种缓冲电路的电路结构示意图；
[0032]图2为本专利技术实施例提供的又一种缓冲电路的电路结构示意图；
[0033]图3为本专利技术实施例提供的又一种缓冲电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0035]图1为本专利技术实施例提供的一种缓冲电路的电路结构示意图，参考图1，缓冲电路包括：输入端子、输出端子和供电电源端子VCC，输入端子用于输入差分信号，输出端子用于连接功能电路，供电电源端子VCC用于接入供电电源；驱动单元11，用于响应输入端子处的输入差分信号并生成输出差分信号至输出端子；负载单元13，耦合于输出端子与供电电源端子之间；负电容单元12，耦合于供电电源端子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓冲电路，其特征在于，所述缓冲电路包括：输入端子、输出端子和供电电源端子，所述输入端子用于接入输入差分信号，所述输出端子用于连接功能电路，所述供电电源端子用于接入供电电源；驱动单元，用于响应所述输入端子处的输入差分信号并生成输出差分信号至所述输出端子；负载单元，耦合于所述输出端子与供电电源端子之间；负电容单元，耦合于所述供电电源端子与所述输出端子之间，用于降低所述功能电路的电容。2.根据权利要求1所述的缓冲电路，其特征在于，所述输出端子包括第一输出端子和第二输出端子；所述负载单元包括第一负载和第二负载；所述负电容单元包括第一三极管、第二三极管、第一二极管结构和第二二极管结构；所述第一负载、所述第一三极管和所述第一二极管结构串接于所述供电电源端子与所述第一输出端子之间；所述第二负载、所述第二三极管及所述第二二极管结构串接于所述供电电源端子与所述第二输出端子之间；其中，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极电连接。3.根据权利要求2所述的缓冲电路，其特征在于，所述第一负载的第一端与所述供电电源端子电连接，所述第一负载的第二端与所述第一三极管的集电极电连接；所述第一三极管的发射极与所述第一二极管结构的第一极电连接，所述第一二极管结构的第二极与所述第一输出端子电连接；所述第二负载的第一端与所述供电电源端子电连接，所述第二负载的第二端与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的发射极与所述第二二极管结构的第一极电连接，所述第二二极管结构的第二极与所述第二输出端子电连接。4.根据权利要求2所述的缓冲电路，其特征在于，所述第一二极管结构的第一极与所述供电电源端子电连接，所述第一二极管结构的第二极与所述第一三极管的集电极电连接；所述第一三极管的发射极与所述第一负载的第一端电连接，所述第一负载的第二端与所述第一输出端子电连接；所述第二二极管结构的第一极与所述供电电源端子电连接，所述第二二极管结构的第二极与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的发射极与所述第二负载的第一端电连接，所述第二负载的第二端与所述第二输出端子电连接。5.根据权利要求3或4所述的缓冲电路，其特征在于，所述第一二极管结构包括第三三极管，所述第三三极管的基极与所述第三三极管的集电极电连接后作为所述第一二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：许强，王悦，
申请(专利权)人：普源精电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：