一种移相器及天线制造技术

本发明专利技术公开了一种移相器及天线。其中，移相器包括相对设置的第一基板和第二基板；至少一个移相单元，移相单元包括微带线、液晶层和接地金属层；移相器还包括加热电极，加热电极位于第二基板靠近所述接地金属层的一侧；移相器还包括加热电极绑定端子和驱动电极绑定端子。本发明专利技术实施例中的技术方案，提高移相器和天线在低温环境下的性能的同时，降低了加热电极布线难度，隔绝了部分射频信号与加热电极的互耦作用，保证了移相器工作可靠性，并且借助于几乎整层的接地金属层，实现液晶层的均匀加热。此外，设置加热电极绑定端子和驱动电极绑定端子在同一平面的垂直投影存在间隙，使得加热电极和驱动电极与外部驱动电路之间的连接更为便捷。更为便捷。更为便捷。

【技术实现步骤摘要】
一种移相器及天线


[0001]本专利技术实施例涉及通信
，尤其涉及一种移相器及天线。

技术介绍

[0002]液晶天线基于液晶分子各向异性的特点，利用驱动电压控制液晶分子的排列，从而改变各移相单元的介电常数，藉以控制各移相单元中射频信号的相位，最终实现对天线辐射波束指向的控制，液晶天线可广泛应用于低轨卫星接收天线、车载天线、基站天线等场景。
[0003]由于液晶天线会工作于外界环境，外界环境温度的变化会对液晶天线中液晶的状态造成影响，当外界温度过低时，液晶的响应速率降低，进而影响液晶天线的性能。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术提供了一种移相器及天线，以提高移相器和天线在低温环境下的性能。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种移相器，包括：
[0006]相对设置的第一基板和第二基板；
[0007]至少一个移相单元，所述移相单元包括微带线、液晶层和接地金属层；
[0008]所述微带线位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧，所述接地金属层位于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧，所述液晶层位于所述第一基板和所述第二基板之间；
[0009]所述移相器还包括加热电极，所述加热电极位于所述第二基板靠近所述接地金属层的一侧；
[0010]所述移相器还包括加热电极绑定端子和驱动电极绑定端子，所述加热电极绑定端子与所述加热电极电连接，所述驱动电极绑定端子与所述微带线电连接；
[0011]所述加热电极绑定端子与所述驱动电极绑定端子同层设置或异层设置，且所述加热电极绑定端子在所述第一基板所在平面上的垂直投影与所述驱动电极绑定端子在所述第一基板所在平面上的垂直投影之间存在间隙。
[0012]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种天线，包括第一方面所述的移相器。
[0013]本专利技术实施例提供的移相器及天线，在移相器内设置加热电极，通过加热电极对移相器的液晶层进行加热，保证液晶层中的液晶分子工作于正常温度范围，使移相器在低温环境下仍能维持较优的工作性能。另外，将加热电极设置于第二基板靠近接地金属层的一侧，既能降低布线难度，还能够隔绝一部分射频信号与加热电极的互耦作用，保证移相器工作可靠性，又可以借助于几乎整层的接地金属层，实现液晶层的均匀加热，进一步提高加热效果。同时，设置加热电极绑定端子和驱动电极绑定端子，能够将移相器与柔性电路板牢固连接，以使柔性电路板提供移相器工作所需电压，并且设置加热电极绑定端子和驱动电极绑定端子的垂直投影不交叠，为柔性电路板提供足够的绑定空间，降低与柔性电路板的
绑定难度，能够较为灵活的实现加热电极和微带线与柔性电路板的连接。
附图说明
[0014]图1为本专利技术实施例提供的一种移相器的结构示意图；
[0015]图2为图1在A处的放大结构示意图；
[0016]图3为图2沿B
‑
B
’
方向的截面结构示意图；
[0017]图4为本专利技术实施例提供的一种移相器与柔性电路板的连接结构示意图；
[0018]图5为本专利技术实施例提供的另一种移相器与柔性电路板的连接结构示意图；
[0019]图6为本专利技术实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
[0020]图7为本专利技术实施例提供的再一种移相器的结构示意图；
[0021]图8为图7在C处的放大结构示意图；
[0022]图9为图8沿D
‑
D
’
方向的截面结构示意图；
[0023]图10为图7在E处的放大结构示意图；
[0024]图11为图10沿F
‑
F
’
方向的截面结构示意图；
[0025]图12为本专利技术实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
[0026]图13为图12沿G
‑
G
’
方向的局部截面结构示意图；
[0027]图14为图12沿H
‑
H
’
方向的局部截面结构示意图；
[0028]图15为本专利技术实施例提供的一种移相器的局部截面结构示意图；
[0029]图16为本专利技术实施例提供的再一种移相器的结构示意图；
[0030]图17为图16沿I
‑
I
’
方向的局部截面结构示意图；
[0031]图18为图16沿J
‑
J
’
方向的局部截面结构示意图；
[0032]图19为本专利技术实施例提供的另一种移相器的局部截面结构示意图；
[0033]图20为本专利技术实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
[0034]图21为本专利技术实施例提供的再一种移相器的结构示意图；
[0035]图22为图21在K处的放大结构示意图；
[0036]图23为本专利技术实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
[0037]图24为本专利技术实施例提供的一种天线的结构示意图；
[0038]图25为本专利技术实施例提供的一种天线的局部截面结构示意图；
[0039]图26为本专利技术实施例提供的又一种天线的局部截面结构示意图；
[0040]图27为本专利技术实施例提供的再一种天线的局部截面结构示意图。
[0041]附图标记说明：
[0042]第一基板
‑
10；第一绑定台阶
‑
101；第二基板
‑
11；第二绑定台阶
‑
111；移相单元
‑
12；微带线
‑
13；液晶层
‑
14；液晶分子
‑
141；接地金属层
‑
15；第一镂空部
‑
151；第二镂空部
‑
152；加热电极
‑
16；加热电极分部
‑
161；加热连接分部
‑
162；加热电极绑定端子
‑
17；第一加热电极绑定端子
‑
171；第二加热电极绑定端子
‑
172；驱动电极绑定端子
‑
18；第一驱动电极绑定端子
‑
181；第二驱动电极绑定端子
‑
182；驱动电压传输线
‑
19；柔性电路板
‑
20；导电连接结构
‑
21；第一导电连接结构
‑
211；第二导电连接结构
‑
212；胶框
‑
213；导电结构
‑
214；第一绝缘层
‑
22；辐射电极
‑
23；馈电网络
‑
24；射频信号接口
‑
25；焊盘
‑
26；第三基板
‑
27；胶层
‑
28；第四基板
‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板；至少一个移相单元，所述移相单元包括微带线、液晶层和接地金属层；所述微带线位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧，所述接地金属层位于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧，所述液晶层位于所述第一基板和所述第二基板之间；所述移相器还包括加热电极，所述加热电极位于所述第二基板靠近所述接地金属层的一侧；所述移相器还包括加热电极绑定端子和驱动电极绑定端子，所述加热电极绑定端子与所述加热电极电连接，所述驱动电极绑定端子与所述微带线电连接；所述加热电极绑定端子与所述驱动电极绑定端子同层设置或异层设置，且所述加热电极绑定端子在所述第一基板所在平面上的垂直投影与所述驱动电极绑定端子在所述第一基板所在平面上的垂直投影之间存在间隙。2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一基板包括第一绑定台阶，至少部分所述第一绑定台阶位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的垂直投影的覆盖区域之外，所述驱动电极绑定端子位于所述第一绑定台阶上；所述第二基板包括第二绑定台阶，至少部分所述第二绑定台阶位于所述第一基板在所述第二基板所在平面的垂直投影的覆盖区域之外，所述加热电极绑定端子位于所述第二绑定台阶上。3.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，沿平行于所述第一基板所在平面的方向，所述第一绑定台阶和所述第二绑定台阶位于所述移相器的不同侧。4.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，沿平行于所述第一基板所在平面的方向，所述第一绑定台阶和所述第二绑定台阶位于所述移相器的同一侧；所述第二绑定台阶在所述第一基板所在平面上的垂直投影位于所述第一绑定台阶所在区域之外。5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一基板包括第一绑定台阶，所述第一绑定台阶位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的垂直投影的覆盖区域之外，所述加热电极绑定端子和所述驱动电极绑定端子均位于所述第一绑定台阶上；所述移相器还包括导电连接结构，所述导电连接结构包括第一导电连接结构，所述加热电极通过所述第一导电连接结构与所述加热电极绑定端子电连接。6.根据权利要求5所述的移相器，其特征在于，所述加热电极在所述第一基板上的垂直投影与所述加热电极绑定端子在所述第一基板上的垂直投影至少部分交叠。7.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二基板包括第二绑定台阶，至少部分所述第二绑定台阶位于所述第一基板在所述第二基板所在平面的垂直投影的覆盖区域之外，所述加热电极绑定端子和所述驱动电极
绑定端子均位于所述第二绑定台阶上；所述移相器还包括导电连接结构，所述导电连接结构包括第二导电连接结构，所述微带线通过所述第二导电连接结构与所述驱动电极绑定端子电连接。8.根据权利要求5或7所述的移相器，其特征在于，所述导电连接结构包括银浆。9.根据权利要求5或7所述的移相器，其特征在于，所述导电连接结构包括胶框和位于所述胶框内的导电结构。10.根据权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述导电结...

【专利技术属性】
技术研发人员：张莉平，王景，李津，吴朝华，席克瑞，贾振宇，
申请(专利权)人：天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：