一种复合聚磁薄膜制造技术

一种复合聚磁薄膜，包括：若干交替叠置的第一电镀薄膜和第二电镀薄膜；所述第一电镀薄膜为多晶态Ni

【技术实现步骤摘要】
一种复合聚磁薄膜


[0001]本专利技术属于聚磁材料
，尤指涉及一种适用于磁阻传感器的复合聚磁薄膜。

技术介绍

[0002]基于磁阻效应的各向异性磁阻传感器(AMR)、巨磁电阻传感器(GMR)及隧道磁阻传感器(TMR)由于具有诸多优点而被广泛关注。通过磁通聚集器进一步提高传感器的灵敏度，可以满足更严苛的测试环境。磁通聚集器由具有一定厚度的低矫顽场软磁材料构成，其增益因子G越大对传感器的灵敏度提升越大。磁阻传感器中，为了保证聚磁作用没有明显的衰弱，一般将磁通聚集器设置在磁传感单元附近。对于均匀的聚磁薄膜，其增益因子G＝B
x
/(μ0H
ext
)＝μ
r
/[1+(μ
r
‑
1)
·
N
x
]，式中的B
x
为磁体沿x方向的磁通密度，μ0为真空磁导率，H
ext
为外加磁场，μ
r
为相对磁导率，N
x
为沿x方向的退磁因子。当N
x
>μ
r...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合聚磁薄膜，其特征在于，包括：若干交替叠置的第一电镀薄膜和第二电镀薄膜；所述第一电镀薄膜为多晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜，所述第二电镀薄膜为非晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜；或者所述第一电镀薄膜为Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜，所述第二电镀薄膜为非磁性材料薄膜。2.如权利要求1所述的复合聚磁薄膜，其特征在于：所述非磁性材料为Cu。3.如权利要求1所述的复合聚磁薄膜，其特征在于：所述第一电镀薄膜为非晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜或多晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜，所述第二电镀薄膜为非磁性材料薄膜。4.如权利要求1或2或3所述的复合聚磁薄膜，其特征在于：所述非磁性材料薄膜的厚度为10nm～50nm。5.如权利要求1或3所述的复合聚磁薄膜，其特征在于：所述多晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜的厚度为0.3μm～1.5μm。6.如权利要求1或3所述的复合聚磁薄膜，其特征在于：所述非晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜的厚度为1μm～5μm。7.如权利要求1所述的复合聚磁薄膜，其特征在于：所述多晶态Ni
x
Fe
y
Mo
z
薄膜中Ni
x
Fe
y
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，马孝瑜，关蒙萌，胡忠强，朱家训，
申请(专利权)人：珠海多创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：