元件以及电子设备制造技术

在包括QD荧光体粒子(140)的QD层(14)的元件(1)中，位于第一电极(12)与QD层(14)之间的第一空穴传输层(13A)由第一载流子传输材料的连续膜构成。位于第一空穴传输层(13A)与QD层(14)之间的第二空穴传输层(13B)包含由第二载流子传输材料构成的纳米粒子(130)。流子传输材料构成的纳米粒子(130)。流子传输材料构成的纳米粒子(130)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】元件以及电子设备


[0001]本公开的一方式涉及一种包括量子点(Quantum Dot，QD)荧光体粒子的元件。

技术介绍

[0002]近年来，已经使用了包括QD荧光体粒子(也称为半导体纳米粒子荧光体)的元件(光电转换元件)。专利文献1中公开了作为该元件的一个示例的发光元件。专利文献1的发光元件具备：(i)包含QD荧光体粒子的层(发光层)；和(ii)包含无机纳米粒子的层(电子注入/传输层、或空穴注入/传输层)。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本公表专利公报“特表2012
‑
533156号”
技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0004]本公开的一方式的目的在于，与以往相比能够提高元件的性能。用于解决问题的方案
[0005]为了解决上述问题，本专利技术的一方式涉及的元件包括：第一电极；第二电极；量子点荧光体层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含量子点荧光体粒子；第一载流子传输层，其位于所述第一电极与所述量子点荧光体层之间，并且由第一载流子传输材料的连续膜构成；以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种元件，其特征在于，包括：第一电极；第二电极；量子点荧光体层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含量子点荧光体粒子；第一载流子传输层，其位于所述第一电极与所述量子点荧光体层之间，并且由第一载流子传输材料的连续膜构成；以及第二载流子传输层，其位于所述第一载流子传输层与所述量子点荧光体层之间，并且包含由第二载流子传输材料构成的纳米粒子。2.如权利要求1所述的元件，其特征在于，在所述量子点荧光体层与所述第二载流子传输层之间还具备包含所述量子点荧光体粒子和所述纳米粒子的混合层。3.如权利要求1或2所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输材料为化合物半导体。4.如权利要求3所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输材料中的所述化合物半导体为氧化物半导体。5.如权利要求1至4中任一项所述的元件，其特征在于，所述第二载流子传输材料为化合物半导体。6.如权利要求5所述的元件，其特征在于，所述第二载流子传输材料中的所述化合物半导体为氧化物半导体。7.如权利要求1至6中任一项所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输层的导电型与所述第二载流子传输层的导电型相同。8.如权利要求1至7中任一项所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输层的导电型和所述第二载流子传输层的导电型中的至少一者为i型。9.如权利要求1至8中任一项所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输材料和所述第二载流子传输材料包含相同的阳离子。10.如权利要求9所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素和所述第二载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素是相同的元素。11.如权利要求10所述的元件，其特征在于，所述第一载流子传输材料和所述第二载流子传输材料是相同的材料。12.如权利要求1至11中任一项所述的元件，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第一载流子传输材料为氧化物，所述第一载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素为Zn、Ti、Sr或Sn...

【专利技术属性】
技术研发人员：木本贤治，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：