一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件技术

本发明专利技术提供了一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件，属于光电材料技术领域。本发明专利技术提供的ZnO基复合层材料的电阻高于ZnO，降低了电子传输层的电子迁移率，减小了电子注入与传输的效率，有效调控了ZnO层的电子注入能力；其中，胺基修饰的SiO2包覆层的NH2‑

【技术实现步骤摘要】
一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件


[0001]本专利技术涉及光电材料
，尤其涉及一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件。

技术介绍

[0002]胶体量子点(QDs)因其吸收峰宽，发射峰窄，在整个可见光区域上的发射波长连续可调，并且具有优秀的光致发光量子产率(PLQY)，引起了广泛关注。这也决定了以量子点作为发光材料的量子点发光二极管(QuantumDot Light Emitting Diodes，QLED)具有色纯度高、发光效率高等优点，使之成为继传统发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)和有机发光二极管 (Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)之后最有前途的下一代照明显示技术。
[0003]目前认为，影响QLED性能的主要因素是量子点本身的荧光量子产率与 QLED的电荷注入。ZnO纳米晶凭借其远高于Liq3等有机材料的电子传输能力，成为了QLED器件电子传输层材料的首选。然而，ZnO电子传输层也存在一些问题：一方面，ZnO与量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ZnO基复合材料，包括ZnO纳米颗粒，以及依次包覆于所述ZnO纳米颗粒表面的SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层；所述SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层的质量比为(1～7)：1。2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述ZnO纳米颗粒与SiO2包覆层的质量比为100：(0.1～20)。3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层的总平均厚度为0.1～3nm。4.根据权利要求1～3任意一项所述的复合材料，其特征在于，所述ZnO基复合材料的平均粒径为3～6nm。5.一种如权利要求1～4所述的ZnO基复合材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将ZnO纳米颗粒与硅源和溶剂混合进行水解反应，得到SiO2包覆ZnO纳米颗粒的混合液；(2)将所述步骤(1)得到的SiO2包覆ZnO纳米颗粒的混合液与氨基硅源混合后进行水解反应，得到ZnO基复合材料。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)和步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜祖亮，王书杰，张肖月，方岩，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：