【技术实现步骤摘要】
放电体以及电场装置和臭氧发生器
[0001]本专利技术涉及一种放电体以及电场装置和臭氧发生器。
技术介绍
[0002]气体放电(等离子体)法:最常用的是介质阻挡放电法,简称为DBD法,介质阻挡放电是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电又称介质阻挡电晕放电或无声放电。
[0003]现有的介质阻挡技术中,常用玻璃管作为介质套在放电极上,一方面由于玻璃管与放电极之间没有进行很好的固定,在运输以及使用中容易出现破碎,另一方面,该介质阻挡技术的电场荷电效率不高、能耗过高。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中电场荷电效率不高、能耗过高、处理效率低等问题,本专利技术提供了一种放电体以及电场装置和臭氧发生器。
[0005]根据本专利技术的一方面,提供了一种放电体,所述放电体至少包括第一介质、第二介质以及导体,其中,所述第一介质设置在所述导体的表面并环绕所述导体的至少一部分布置,所述第二介质设置于所述第一介质的表面。
[0006]在一个实施例中,第一介质由粘土材料制成,和/或第二介质由
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种放电体,其特征在于,所述放电体至少包括第一介质、第二介质以及导体,其中,所述第一介质设置在所述导体的表面并环绕所述导体的至少一部分布置,所述第二介质设置于所述第一介质的表面。2.根据权利要求1所述的放电体,其特征在于,所述第一介质由粘土材料制成,和/或所述第二介质由玻璃质材料制成。3.根据权利要求1-2任一项所述的放电体,其特征在于,所述导体至少包括第一段和第二段,所述第一介质环绕所述第一段的表面设置,所述第二介质环绕所述第一介质的表面设置。4.根据权利要求1-3任一项所述的放电体,其特征在于,所述第一介质在所述导体的表面形成均匀的第一厚度d1。5.根据权利要求4所述的放电体,其特征在于,所述第二介质在所述导体的表面形成均匀的第二厚度d2。6.根据权利要求5所述的放电体,其特征在于,所述第一厚度d1与所述第二厚度d2满足以下关系:d2≦d1。7.根据权利要求1-5任一项所述的放电体,其特征在于,所述第一介质与所述第二介质具有不同的导电率。在一个实施例中,所述第一介质和所述第二介质为绝缘介质。8.根据权利要求1-7任一项所述的放电体,其特征在于,所述第一介质具有靠近所述第二段的第一端和与所述第一端相对的第二端,所述第一端的端面设有防爬电结构。9.根据权利要求1-8任一项所述的放电体,其特征在于,所述防爬电结构为设置于所述第一介质的第一端端面上的凹陷,所述凹陷环绕所述导体布置。10.根据权利要求1-9任一项所述的放电体,其特征在于,所述防爬电结构为设置于所述第一端端面的凸起,所述凸起环绕所述导体布置。较佳地,所述导体采用金属制成,较佳地,所述金属为低碳钢。11.根据权利要求1-10任一项所述的放电体,其特征在于,所述第一介质为陶瓷,和/或所述第二介质为釉。12.根据权利要求9所述的放电体,其特征在于,所述凹陷为漏斗状、柱体状、圆环状中的任意一种或多种。13.根据权利要求1-12任一项所述的放电体,其特征在于,所述导体包括依次相连的第一段、第二段以及第三段,所述第一介质环绕所述第二段的表面设置,所述第二介质环绕所述第一介质的表面设置,所述第一介质两端的端面上分别设有所述防爬电结构,或所述第一介质分别环绕所述第一段、第三段的表面设置,所述第二介质环绕所述第一介质的表面设置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜诗中,曾志海,徐国华,奚勇,
申请(专利权)人:上海必修福企业管理有限公司,
类型:发明
国别省市:
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