封装结构、装置、板卡及布局集成电路的方法制造方法及图纸

本披露提供封装结构、集成电路装置、板卡及在封装结构的晶片上布局集成电路的方法。在晶片上的系统区域芯片贴装片上系统；在晶片上的存储区域芯片贴装内存；在晶片上的电容区域芯片贴装多个电容器。所述电容区域为所述系统区域及所述存储区域以外的畸零区域。区域及所述存储区域以外的畸零区域。区域及所述存储区域以外的畸零区域。

【技术实现步骤摘要】
封装结构、装置、板卡及布局集成电路的方法


[0001]本披露一般地涉及半导体。更具体地，本披露涉及封装结构、集成电路装置、板卡及在封装结构的晶片上布局集成电路的方法。

技术介绍

[0002]CoWoS(chip on wafer on substrate)是一种整合生产技术，先将芯片通过CoW(chip on wafer)的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板(substrate)连接，整合成CoWoS。通过这种技术可以把多颗芯片封装到一起，平面上的裸芯片彼此通过硅中介层(silicon interposer)互联，达到了封装体积小、功耗低、引脚少的技术功效。CoWoS的电源是以电容器蓄电来提供。
[0003]一种常见的应用是将多个不同功能的芯片以CoWoS进行封装，但配置多个电容时，往往会额外增加芯片面积，导致成本提高，因此一种节省面积来容置电容器的方案是迫切需要的。

技术实现思路

[0004]为了至少部分地解决
技术介绍
中提到的技术问题，本披露的方案提供了封装结构、集成电路装置、板卡及在封装结构的晶片上布局集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在封装结构的晶片上布局集成电路的方法，包括：在所述晶片上的系统区域芯片贴装片上系统；在所述晶片上的存储区域芯片贴装内存；以及在所述晶片上的电容区域芯片贴装多个电容器；其中，所述电容区域为所述系统区域及所述存储区域以外的畸零区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容区域位于所述系统区域与所述晶片边缘间。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容区域位于所述系统区域与所述存储区域间。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容区域位于所述存储区域与所述晶片边缘间。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容区域位于多个所述存储区域间。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器与所述系统区域的距离大于0.5毫米。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器与所述存储区域的距离大于1毫米。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器与所述晶片边缘的距离大于0.5毫米。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器间的距离大于0.5毫米。10.根据权利要求1至9任一项所述的方法，还包括：利用硅通孔在晶片的第一侧形成多个重布线层；在所述多个重布线层上形成多个第一晶圆凸块；以及键合所述多个第一晶圆凸块与所述片上系统、所述内存及所述多个电容器。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在所述系统区域及所述存储区域填上底部填充胶。12.根据权利要求11所述的方法，还包括：塑封所述片上系统、所述内存及所述多个电容器，以形成CoW结构。13.根据权利要求12所述的方法，还包括：玻璃键合所述CoW结构；以及抛光所述晶片，使得所述硅通孔的另一侧的表面与所述晶片的第二侧的表面齐平。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：在所述第二侧上形成多个第二晶圆凸块连接所述硅通孔的另一侧；以及焊接所述多个第二晶圆凸块至基板。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述形成多个第一晶圆凸块及所述形...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：中科寒武纪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：