一种硅片制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片制备方法，取一端面晶向为目标晶向

【技术实现步骤摘要】
一种硅片制备方法


[0001]本专利技术涉及一种硅片制备方法。

技术介绍

[0002]在光伏用单晶硅片加工过程中，硅片是通过切割单晶硅棒而获得的。目前，硅片的切割是通过多线切割来完成，属于磨削或刨削切割，在切割过程中被切割的硅块部分将被切成硅粉，产生硅料的损耗。硅料损耗在硅片成本中占有较大的比重，以目前量产中典型的40～50um直径金刚线切割180um硅片为例，每切3片硅片，约有1片硅片的硅料损耗，损耗的比例约为25%以上。随着硅片的厚度逐渐变薄，其损耗比例将进一步增加。另外，切割过程中除了磨损产生的硅料损耗外，还将伴有大量的切割废水、粉尘、噪声等非环保因素产生。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种硅片制备方法，取一端面晶向为目标晶向
±3°
的硅材，采用细丝对该硅材的一侧面进行切割，将硅材切割出硅片；以所述端面为基准面，以所述侧面为切割面，切割面与基准面垂直；每次切割包括如下步骤：在切割面开槽，以所述槽为基准槽，基准槽与基准面平行；将细丝绷直并嵌入基准槽，细丝平行于基准面，通过细丝对基准槽的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片制备方法，其特征在于，取一端面晶向为目标晶向
±3°
的硅材，采用细丝对该硅材的一侧面进行切割，将硅材切割出硅片；以所述端面为基准面，以所述侧面为切割面，切割面与基准面垂直；每次切割包括如下步骤：在切割面开槽，以所述槽为基准槽，基准槽与基准面平行；将细丝绷直并嵌入基准槽，细丝平行于基准面，通过细丝对基准槽施加一定的压力，使硅材在基准槽处自然解理断开。2.根据权利要求1所述的硅片制备方法，其特征在于，在细丝对基准槽施加压力之前，采用激光对基准槽进行瞬间加热并施加快速冷却，使基准槽形成热应力；且通过热应力和细丝压力的双重作用，使硅材在基准槽处自然解理断开。3.根据权利要求1或2所述的硅片制备方法，其特征在于，所述目标晶向为<100>、<110>或<111>。4.根据权利要求1所述的硅片制备方法，其特征在于，通过调整先后两次切割的开槽间距来控制切割出的硅片厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫龙飞，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：