开关电路、多通道采样控制电路、模数转换电路和芯片制造技术

本公开涉及一种开关电路、多通道采样控制电路、模数转换电路和芯片，其中，开关电路包括：并联连接的多个开关支路，多个开关支路中的每个开关支路包括ESD电阻和开关模块，ESD电阻与开关模块串联连接在开关电路的输入端与输出端之间。该多通道采样控制电路，包括：多通道复用电路，包括多个第一开关电路，其中，每个第一开关电路的输入端被配置为接收输入信号，每个第一开关电路的输出端与多通道复用电路的输出端连接，多通道复用电路的输出端用于连接ADC电路的输入端；其中，每个第一开关电路包括该开关电路。根据本公开，可减小电路面积，并降低ESD电阻对开关电路信号传输的影响。降低ESD电阻对开关电路信号传输的影响。降低ESD电阻对开关电路信号传输的影响。

【技术实现步骤摘要】
开关电路、多通道采样控制电路、模数转换电路和芯片


[0001]本公开涉及电路
，尤其涉及一种开关电路、多通道采样控制电路、模数转换电路和芯片。

技术介绍

[0002]在模数转换器(Analog to Digital Converter，简称为ADC)的输入通道等开关电路中，存在静电放电(Electrostatic discharge，简称为ESD)问题。相关技术中，采用ESD器件或ESD电阻来解决静电放电问题。然而，ESD器件需要很大的面积，而ESD电阻在一定程度上影响开关电路信号传输的精度，特别是在宽电源域中的低压条件下，ESD电阻的影响很明显。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供了一种开关电路、多通道采样控制电路、模数转换电路和芯片，以至少降低ESD电阻的影响。
[0004]根据本公开的一方面，提供了一种开关电路，包括：并联连接的多个开关支路，多个开关支路中的每个开关支路包括ESD电阻和第一开关模块，ESD电阻与第一开关模块串联连接在开关电路的输入端与输出端之间。
[0005]根据本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，其特征在于，包括：并联连接的多个开关支路，所述多个开关支路中的每个开关支路包括ESD电阻和第一开关模块，所述ESD电阻与所述第一开关模块串联连接在所述开关电路的输入端与输出端之间。2.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，每个第一开关模块的控制端被配置为接收控制信号，其中，所述多个开关支路中的第一开关模块在所述控制信号的驱动下一并被选通或一并被关断。3.根据权利要求1或2所述的开关电路，其特征在于，所述第一开关模块包括：一个或多个第一MOS场效应晶体管，所述一个或多个第一MOS场效应晶体管中的每个第一MOS场效应晶体管的衬底端连接有：第一开关，连接在所述第一MOS场效应晶体管的衬底端与所述输出端之间；第二开关，连接在所述第一MOS场效应晶体管的衬底端与预设电源节点之间。4.根据权利要求3所述的开关电路，其特征在于，在所述第一开关模块被选通时，所述第二开关被关断，所述第一开关被选通，以将所述第一MOS场效应晶体管的衬底端连接至所述开关电路的输出端；在所述第一开关模块被关断时，所述第一开关被关断，所述第二开关被选通，以将所述第一MOS场效应晶体管的衬底端连接至预设电源节点。5.根据权利要求3所述的开关电路，其特征在于，所述一个或多个第一MOS场效应晶体管包括一个或多个PMOS场效应晶体管和/或一个或多个NMOS场效应晶体管。6.根据权利要求3所述的开关电路，其特征在于，所述第一开关模块为第一CMOS传输门。7.根据权利要求6所述的开关电路，其特征在于，所述第一CMOS传输门包括并联的第一PMOS场效应晶体管和第一NMOS场效应晶体管。8.一种多通道采样控制电路，其特征在于，包括：多通道复用电路，包括多个第一开关电路，其中，所述多个第一开关电路中的每个第一开关电路的输入端被配置为接收输入信号，每个第一开关电路的输出端与所述多通道复用电路的输出端连接，所述多通道复用电路的输出端用于连接ADC电路的输入端；其中，所述第一开关电路为如权利要求1
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7任一项所述的开关电路。9.根据权利要求8所述的多通道采样控制电路，其特征在于，还包括：多个第二开关电路，其中，所述多个第二开关电路中的每个第二开关电路连接在相应的第一开关电路的输出端与所述多通道复用电路的输出端之间。10.根据权利要求9所述的多通道采样控制电路，其特征在于，所述多个第二开关电路中的每...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁超，刘帅锋，
申请(专利权)人：合肥市芯海电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：