本发明专利技术提供了一种提高5083H116薄板晶间腐蚀的方法,包括:采用气垫式连续热处理炉对铝合金带材进行热处理。本发明专利技术主要针对箱式炉稳定化处理过程中出现的晶间腐蚀不合格问题,通过采用气垫式连续热处理炉实现带材连续热处理,带材在炉内通过快速升降温,且整个稳定化热处理过程中,带材均匀进行加热和冷却,通过气垫压力实现带材悬空,最终实现制备得到各项性能良好的5083H116合格产品,解决晶间腐蚀不稳定、表面质量差、生产效率低、综合成本高的问题。问题。
【技术实现步骤摘要】
一种提高铝合金薄板晶间腐蚀的方法
[0001]本专利技术属于铝合金
,尤其涉及一种提高铝合金薄板晶间腐蚀的方法。
技术介绍
[0002]5083铝合金属是高镁合金,在不可热处理的合金中具有中高强度,其耐蚀性、可切削性良好;阳极化处理后表面美观,电弧焊性能良好。5083合金中的主要合金元素为镁,具有良好的抗蚀性与可焊接性能;其优良的抗腐蚀性能使5083合金广泛用于海事用途如船舶,以及汽车、飞机焊接件、地铁轻轨,需严格防火的压力容器(如液体罐车、冷藏车、冷藏集装箱)、制冷装置、电视塔、钻探设备、交通运输设备、导弹零件、装甲等领域。
[0003]船舶用5083合金主要采用H116状态,该状态除需要获得一定的力学性能外,还需要良好的抗腐蚀性能,主要体现在晶间腐蚀和剥落腐蚀方面,标准腐蚀要求为晶间腐蚀≤15mg/cm2。晶间腐蚀是一种由组织电化学不均匀引起的局部腐蚀,是沿着金属晶粒间分界面内部扩展的腐蚀,这种腐蚀在合金表面无任何变化的情况下,使晶粒间失去结合力,金属强度完全丧失导致设备突发性破坏。
[0004]实现5083H116状态一般为热轧后,通过一定程度的冷变形量,然后采用低温稳定化处理获得,一般稳定化处理的温度低于100℃,主要采用箱式热处理实现;但箱式热处理在工业化生产中,装炉量较大,卷径或料剁较厚,升温及降温过程很难达到快速升降温,导致5083铝合金在晶界上析出β相(Al2Mg3),出现较严重的晶间腐蚀现象,无法满足材料的标准要求。因此,为解决箱式稳定化热处理过程中出现的晶间腐蚀现象,工业化生产主要通过降低单炉装炉量对升降温速率进行控制,使晶间腐蚀达到标准的要求,但会导致生产效率降低、生产成本增加,不利于批量化生产。
[0005]目前冷轧后采用的箱式炉卷式或片式稳定化处理工艺,主要有以下方面的缺点:升降温速率较慢,升降温过程中晶界上β相(Al2Mg3)容易析出,导致晶间腐蚀很难控制,经常出现检测结果超标的现象;即使通过降低装炉量提高升降温速率,但因升温及降温过程中,板材或卷材内外圈、横向、纵向等升降温存在差异,晶界上β相(Al2Mg3)析出不均匀,导致晶间腐蚀检测结果不均匀;箱式炉进行稳定化处理,为控制装炉量,生产效率低、成本高,且表面质量在热处理过程中容易出现损伤等现象。
技术实现思路
[0006]有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种提高铝合金薄板晶间腐蚀的方法,本专利技术提供的方法能够解决晶间腐蚀不稳定、表面质量差、生产效率低、综合成本高等问题。
[0007]本专利技术提供了一种提高铝合金薄板晶间腐蚀的方法,包括:
[0008]采用气垫式连续热处理炉对铝合金带材进行热处理。
[0009]优选的,所述气垫式连续热处理炉的宽度为800~2400mm。
[0010]优选的,所述铝合金薄板为5083H116铝合金薄板。
[0011]优选的,所述铝合金带材的制备方法包括:
[0012]将铝合金进行热轧后再进行冷变形,得到带材;
[0013]所述铝合金为5083铝合金。
[0014]优选的,所述热轧的方法包括:
[0015]先进行粗轧再进行精轧;
[0016]所述粗轧后的产品的厚度为20~30mm;
[0017]所述精轧的终轧温度为280~320℃。
[0018]优选的,所述冷变形的方法为冷轧;
[0019]所述冷轧过程中每道次的压下量小于1.0mm。
[0020]优选的,所述冷变形后的产品的变形量为30~60%。
[0021]优选的,所述带材的厚度为1.5~5.0mm。
[0022]优选的,所述热处理过程中的温度为270~300℃,炉内停留时间为1~10min。
[0023]优选的,所述炉内停留时间为2~3min。
[0024]本专利技术主要针对箱式炉稳定化处理过程中出现的晶间腐蚀不合格问题,通过采用气垫式连续热处理炉实现带材连续热处理,带材在炉内通过快速升降温,且整个稳定化热处理过程中,带材均匀进行加热和冷却,通过气垫压力实现带材悬空,最终实现制备得到各项性能良好的5083H116合格产品,解决晶间腐蚀不稳定、表面质量差、生产效率低、综合成本高的问题。本专利技术解决了5083铝合金箱式热处理晶间腐蚀较差且不稳定的问题,以及各项性能不均匀的问题。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例中退火的示意图;
[0026]图2为本专利技术实施例1制备的产品晶间腐蚀分布图;
[0027]图3为本专利技术比较例1制备的产品晶间腐蚀单值控制图。
具体实施方式
[0028]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0029]本专利技术提供了一种提高铝合金薄板晶间腐蚀的方法,包括:
[0030]采用气垫式连续热处理炉对铝合金带材进行热处理。
[0031]在本专利技术中,所述铝合金薄板优选为5083H116铝合金薄板;所述铝合金薄板的厚度优选为1.5~5.0mm,更优选为2.0~4.0mm,最优选为3.0~4.0mm。
[0032]在本专利技术中,所述气垫式连续热处理炉的宽度优选为800~2400mm,更优选为2400mm;可由市场购买获得,如可采用奥地利ENBER(艾伯纳)公司提供的0.8~6.0*2400mm规格的气垫式连续热处理炉。
[0033]图1为本专利技术实施例中退火(热处理)的示意图,其中1为铝带,2为气垫箱,3为铝板漂浮波浪度,4为铝带漂浮高度。
[0034]在本专利技术中,所述铝合金带材的制备方法优选包括:
[0035]将铝合金进行热轧后再进行冷变形,得到带材。
[0036]在本专利技术中,所述铝合金优选为5083铝合金。
[0037]在本专利技术中,所述铝合金带材优选为冷轧态铝合金。
[0038]在本专利技术中,所述铝合金优选为铝合金铸锭;所述热轧之前优选还包括:
[0039]将铝合金铸锭进行铣面后加热再进行热轧。
[0040]在本专利技术中,所述铝合金铸锭优选为5083成分铝合金铸锭;所述铝合金铸锭的规格优选为(500~520)*(2300~2340)*(3800~4200)mm,更优选为(505~515)*(2310~2330)*(3900~4100)mm,最优选为510*2320*4000mm。
[0041]本专利技术对所述铣面的方法没有特殊的限制,采用本领域技术人员熟知的铣面方法进行铣面即可;所述铣面后的铸锭的规格优选为(480~500)*(2280~2320)*(3900~4100)mm,更优选为(485~495)*(2290~2310)*(3950~4050)mm,最优选为490*2300*4000mm。
[0042]在本专利技术中,所述加热的温度优选为480~500℃,更优本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高铝合金薄板晶间腐蚀的方法,包括:采用气垫式连续热处理炉对铝合金带材进行热处理。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述气垫式连续热处理炉的宽度为800~2400mm。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述铝合金薄板为5083H116铝合金薄板。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述铝合金带材的制备方法包括:将铝合金进行热轧后再进行冷变形,得到带材;所述铝合金为5083铝合金。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述热轧的方法包括:先进行粗轧再进行精轧;所述粗轧后的产品的厚度为20...
【专利技术属性】
技术研发人员:滕明和,王理,周劲,颜顺,叶陶勇,
申请(专利权)人:西南铝业集团有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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