一种用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法。所述用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法包括以下步骤：（1）采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列Si NWs；（2）在所述硅纳米线阵列Si NWs上高速旋涂负载增强材料；（3）制备光电极基片；以及（4）在所述光电极基片上修饰抗体。修饰抗体。修饰抗体。

【技术实现步骤摘要】
一种用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法


[0001]本专利技术属于生物医学检测领域，尤其涉及一种基于硅纳米线阵列(SiNWs)复合结构材料的心肌损伤标记物光电化学免疫传感器的制备方法与应用。

技术介绍

[0002]氢肌钙蛋白(cTn)是临床上公认的急性心肌梗死(Acute Myocardial Infarction， AMI)的金标准。近来，心肌损伤标记物(肌钙蛋白Ⅰ、肌红蛋白及CK
‑
MB等)的检测已被推荐用于心肌梗死的早期诊断[《美国心脏学杂志》(Am.HeartJ.)(1981)，110，1334
‑
1344 页；《分子免疫》(MolecularImmunology)(1992)，29(2)，271
‑
278页]。此外，目前认为患有代表着心肌缺血关键阶段的不稳定型心绞痛患者可能有较高的风险发生心肌梗死和猝死。对这类患者的尸检研究表明，在这些并发症出现之前往往有心肌的微梗死发生 [DaviesM.J.等，《循环》(Circulation)(1985)，71，699...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列Si NWs；（2）在所述硅纳米线阵列Si NWs上高速旋涂负载增强材料；（3）制备光电极基片；以及（4）在所述光电极基片上修饰抗体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（1）中，选用n型硅片，清洗后将其置于0.1
‑
5 M氢氟酸和0.01
‑
1 M硝酸银混合溶液中进行刻蚀20
‑
60分钟，刻蚀完成后取出硅基片，放入浓硝酸溶液中浸泡30分钟
‑
2小时，冲洗、干燥后得到所述硅纳米线阵列Si NWs。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（2）中，采用高速旋涂法将增强材料旋涂负载到所述Si NWs上，旋涂参数为：每次取20
‑
80μL浓度为0.5
‑
2 mg/mL的增强材料水溶液滴涂到硅片中心处，旋涂时间20
‑
60s，旋涂速度500
‑
12000 rpm，加速度为200
‑
1000 rpm/s。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王平，王现英，何斌，严雅，张加加，彭攀，刘韦卓，郭小瑜，洪婷，
申请(专利权)人：上海市胸科医院，
类型：发明
国别省市：