传感器设备和用于制造传感器设备的方法技术

描述一种传感器设备(10)，具有传感器芯片(16)，其中传感器芯片(16)具有多个被印刷的陶瓷层(12)和未被印刷的陶瓷层(11)，其中被印刷的陶瓷层(12)至少部分地用导电材料(13)印刷，并且其中传感器芯片(16)的电阻通过导电材料(13)的重叠区域(17)确定。此外，传感器设备(10)具有衰减层(14)。此外，描述一种用于制造传感器设备(10)的方法。传感器设备(10)的方法。传感器设备(10)的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感器设备和用于制造传感器设备的方法


[0001]本专利技术涉及一种传感器设备，尤其是用于测量温度的传感器设备。本专利技术还涉及一种用于制造传感器设备的方法。

技术介绍

[0002]在不同的应用中尤其对高功率模块、如PIM(Power Integrated Modules，功率集成模块)使用芯片，尤其是陶瓷芯片。所述芯片此外用于温度测量。
[0003]通常，相应的系统由陶瓷芯片构成，所述陶瓷芯片以终止层借助于烧结工艺施加到基板上。所述陶瓷芯片随后借助于键合线在表面上接触，其中终止层必须匹配于键合材料和键合技术。
[0004]陶瓷芯片通常从烧结的和抛光的基板中切出，其中器件的电阻通过几何形状来控制。尤其对于小的电阻公差，所述工艺是相对耗费的，因为几何形状具有非常大的影响。由此，所述工艺是具有次品的，相对复杂的且昂贵的。此外，器件的几何形状不是统一的，因为出自每个陶瓷基板的芯片可以具有略微不同的几何形状。由于锯割工艺也会出现器件的损坏。
[0005]与键合技术和对整个模块选择的工艺参数(键合线材料、键合线厚度)相关地，此外非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种传感器设备(10)，所述传感器设备具有传感器芯片(16)，其中所述传感器芯片(16)具有多个被印刷的陶瓷层(12)和未被印刷的陶瓷层(11)，其中所述传感器设备(10)具有至少一个用于电接触所述导电材料(13)的终止层(15、15a、15b)，其中所述终止层(15、15a、15b)至少在所述传感器芯片(16)的上侧(20)和/或下侧(21)处构成，其中所述被印刷的陶瓷层(12)至少部分地用导电材料(13)印刷，并且其中所述传感器芯片(16)的电阻通过所述导电材料(13)的重叠区域(17)或通过所述导电材料(13)距所述终止层(15、15a、15b)的间距确定，其中所述传感器设备(10)具有至少一个衰减层(14)，其中所述衰减层(14)直接施加在所述传感器芯片(16)的外面的至少一个子区域上，并且其中所述衰减层(14)的材料具有比所述终止层(15)的材料更大的弹性。2.根据权利要求1所述的传感器设备(10)，其中所述至少一个终止层(15)具有贵金属。3.根据权利要求1或2所述的传感器设备(10)，其中所述至少一个终止层(15)是印刷或溅镀的。4.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，其中所述至少一个衰减层(14)在所述传感器芯片(16)和所述终止层(15)之间构成。5.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，其中所述传感器设备(10)具有内部终止层(15c)，所述内部终止层设置在所述至少一个衰减层(14)和所述传感器芯片(16)之间。6.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，其中所述衰减层(14)具有导电聚合物或具有填充有银颗粒的环氧树脂。7.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，其中所述衰减层(14)借助于丝网印刷来施加到所述传感器芯片(16)的外面(16a)的至少一个子区域上。8.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔弗雷德，
申请(专利权)人：TDK电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：