一种六方层状硼化物陶瓷h-MAB材料及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种六方层状硼化物陶瓷h

【技术实现步骤摘要】
一种六方层状硼化物陶瓷h
‑
MAB材料及制备方法


[0001]本专利技术属于一种材料
，是新型无机材料及制备方法，涉及一种六方层状硼化物陶瓷h
‑
MAB材料及制备方法。

技术介绍

[0002]二元过渡金属硼化物的高硬度和高熔点的特性，使它们具有优异的导电性和导热性，有望应用在耐磨涂层、高温结构材料、化学催化剂和原电池电极等领域(Inorg.Chem.,2016,51,11140；J.Am.Chem.Soc.,2017,139,12915；J.Am.Chem.Soc.,2017,139,12370
‑
12373)。然而二元过渡金属硼化物的损伤容限和断裂韧性较低、加工成本高，最重要的是在空气中抗氧化能力差，所以其应用受到限制。2015年，Ade和Hillebrecht将一类具有正交结构的三元过渡金属硼化物命名为MAB相，因为属于正交晶系，简称“o
‑
MAB相”(Inorg.Chem.，2015，54,6122)。o
‑
MAB相通常由过渡金属硼化物组成的锯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种六方层状硼化物陶瓷h
‑
MAB材料，其特征在于h
‑
MAB相材料具有六方晶系、层状的微观结构，层间采用化学键连接；分子式表示为M
n+1
AB
n
或者(MB)
2z
A
x
(MB2)
y
，所述M选自IIIB，IVB，VB，VIB，VIIB，VIIIB族元素中的任意一种，所述A选自IIIA，IVA，VBA，VIA，VIIA元素中任意一种，所述B为硼元素；其中n＝1、2或者3，z＝1
–
2；x＝1
–
2；y＝0
–
2；所述M
n+1
AB
n
空间群包括但不限于P
63
/mmc、R3m或所述(MB)
2z
A
x
(MB2)
y
包括但不限于2.根据权利要求1所述六方层状硼化物陶瓷h
‑
MAB材料，其特征在于：所述M包括但不限于Sc、Y、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Mn元素中的任意一种或几种的组合。3.根据权利要求1所述六方层状硼化物陶瓷h
‑
MAB材料，其特征在于：所述A包括但不限于Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、P、As、Sb、Bi、S或Se元素中的任意一种或几种的组合。4.根据权利要求1所述六...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊杰，巩玉同，苗楠茜，张怀豫，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：