一种电机快速放电急停电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电机快速放电急停电路，包括信号处理电路，其根据电机开关状态生成电机控制信号；信号控制电路，其连接信号处理电路，根据电机开关状态选择电路通断；逻辑控制电路，其连接信号控制电路，接收电机控制信号，对电机控制信号进行放大，并根据电机控制信号控制急停输出电路的通断；电机驱动电路，其连接信号处理电路和逻辑控制电路，根据电机控制信号驱动电机运转或急停；尖峰吸收电路，其连接逻辑控制电路和电机驱动电路，辅助电机急停，并吸收急停泄放电流，为电机提供与输入电源正极相同的电压，本发明专利技术实现低压直流电机，在控制其断电后实现瞬间放电且急停，时间能达到1毫秒内，成本相对低廉。成本相对低廉。成本相对低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种电机快速放电急停电路


[0001]本专利技术涉及电学领域，特别涉及一种电机快速放电急停电路。

技术介绍

[0002]目前绝大多数低压直流电机急停电路复杂，一般需要2个MOS管实现，成本居高，且双MOS设计调试复杂、泄放速度相对较慢，泄放时间基本都是10
‑
20毫秒。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种电机快速放电急停电路，包括信号处理电路、信号控制电路、逻辑控制电路、电机驱动电路和尖峰吸收电路，实现在直流电机停止时，能同时做到能量的释放以及瞬间急停，性能优异，残余能量释放以及急停时间为毫秒级，时间短。
[0004]本专利技术的技术方案为：
[0005]一种电机快速放电急停电路，包括：
[0006]信号处理电路，其根据电机开关状态生成电机控制信号；
[0007]信号控制电路，其连接信号处理电路，根据电机开关状态选择电路通断；
[0008]逻辑控制电路，其连接信号控制电路，接收电机控制信号，对电机控制信号进行放大，并根据电机控制信号控制急停输出电路的通断；
[0009]电机驱动电路，其连接信号处理电路和逻辑控制电路，根据电机控制信号驱动电机运转或急停；
[0010]尖峰吸收电路，其连接逻辑控制电路和电机驱动电路，辅助电机急停，并吸收急停泄放电流，为电机提供与输入电源正极相同的电压。
[0011]优选的是，信号处理电路包括：
[0012]电机启停开关S1，其第一端接地；
[0013]电机变速开关S2，其第一端接地；
[0014]驱动芯片U1，其第一输入引脚PA4能够与电机启停开关S1的第二端电连接，并通过第一输出引脚PA3输出电机启停信号，第二输入引脚PA6能够与电机变速开关S2的第二端电连接，并通过第二输出引脚PA2输出电机变速信号。
[0015]优选的是，信号控制电路包括：三极管Q10、电阻R10、电阻R11、电阻R12和电阻R13，三极管Q10的基极通过电阻R12连接至驱动芯片U1的第二输出引脚PA2，发射极通过电阻R11连接至逻辑控制电路，集电极连接5V电源，电阻R13与电阻R12并联，电阻R10一端共接于电阻R11和逻辑控制电路，另一端接地。
[0016]优选的是，三极管Q10为NPN型三极管，电阻R10、电阻R11和电阻R13的电阻值均为47kR，电阻R12的电阻为52R。
[0017]优选的是，逻辑控制电路包括：三极管Q1、三极管Q3、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9、电阻R14和电阻R15，三极管Q9的基极经电阻R11连接三极管Q10的发射极，发射极接地，集电极共接于电阻R9和电阻R5的一端，三极管Q7
的基极连接电阻R5的另一端，发射极接地，集电极连接经电阻R4连接至三极管Q3的基极，电阻R6一端共接于电阻R5的另一端与三极管Q7的基极，另一端共接于三极管Q7的基极与地线，三极管Q8的基极经电阻R14连接至三极管Q7的发射极，发射极接地，集电极接电机驱动电路，三极管Q3与三极管Q1形成推挽电路，对电机控制信号进行放大，以增大尖峰吸收电路的驱动电流，电阻R15的一端共接于电阻R4和三极管Q3的基极，另一端共接于电阻R2和三极管Q3的集电极。
[0018]优选的是，三极管Q1为PNP型三极管、三极管Q3、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9为NPN型三极管，电阻R2和电阻R4的电阻值为3kR，电阻R5和电阻R6的电阻值为2kR、电阻R9的电阻值为30kR、电阻R14的电阻值为110R，电阻R15的电阻值为1.5kR，逻辑控制电路的电源为24V。
[0019]优选的是，电机驱动电路包括：三极管Q4、MOS管Q5、三极管Q6、电机B1、电阻R3和电阻R7，三极管Q4和三极管Q6形成推挽电路，对电机控制信号进行放大以增大MOS管Q5的驱动电流，三极管Q4的基极和三极管Q6的基极共接于三极管Q8的集电极和电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接驱动芯片U1的第一输出引脚PA3，MOS管Q5的G极经电阻R3共接于三极管Q4的发射极和三极管Q6的发射极，MOS管Q5的S极接地，MOS管Q5的D极共接于电机B1和尖峰吸收电路。
[0020]优选的是，三极管Q4为NPN型三极管，MOS管Q5为N沟道MOS管，三极管Q6为PNP型三极管，电阻R3的电阻值为51R，电阻R7的电阻为1kR，电机B1的电源为24V。
[0021]优选的是，尖峰吸收电路包括电容C1、电阻R1和MOS管Q2，MOS管Q2的G极共接于三极管Q1的发射极和三极管Q3的发射极，D极共接于电机B1和MOS管Q5的D极，S极连接电容C1，电阻R1的一端共接于三极管Q1的发射极、三极管Q3的发射极和MOS管的G极，另一端共接于MOS管Q2的S极和电容C1。
[0022]优选的是，MOS管Q2为P沟道MOS管，电容C1的容量为100uF，电阻R1的电阻值为30kR。
[0023]本专利技术的有益效果是：
[0024]1、本专利技术提供了一种电机快速放电急停电路，实现在直流电机停止时，能同时做到能量的释放以及瞬间急停，性能优异，残余能量释放以及急停时间为毫秒级，时间短。
[0025]2、本专利技术能应用于绝大部分直流电机驱动系统，针对不同功率、不同的输入电压的电机，只要修改驱动MOS和泄放MOS的规格即可，基本实现免调试，普适性广。
[0026]3、本专利技术的放电回路只需要1个MOS即可，相比目前需要N沟道MOS管与P沟道MOS管组成对管的做法相比，节省了1个N沟道MOS管，对于成本敏感型的产品具有积极的效益。
附图说明
[0027]图1为本专利技术提供的一种电机快速放电急停电路的示意图。
[0028]图2为本专利技术提供的一个实施例中电机启动的流程图。
[0029]图3为本专利技术提供的一个实施例中电机急停的流程图。
[0030]图4为本专利技术提供的一个实施例中电机转速切换的流程图。
具体实施方式
[0031]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]“内”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]此外，还需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接；可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电机快速放电急停电路，其特征在于，包括：信号处理电路，其根据电机开关状态生成电机控制信号；信号控制电路，其连接所述信号处理电路，根据所述电机开关状态选择电路通断；逻辑控制电路，其连接所述信号控制电路，接收所述电机控制信号，对所述电机控制信号进行放大，并根据所述电机控制信号控制急停输出电路的通断；电机驱动电路，其连接所述信号处理电路和所述逻辑控制电路，根据所述电机控制信号驱动电机运转或急停；尖峰吸收电路，其连接所述逻辑控制电路和所述电机驱动电路，辅助电机急停，并吸收急停泄放电流，为电机提供与输入电源正极相同的电压。2.如权利要求1所述的电机快速放电急停电路，其特征在于，所述信号处理电路包括：电机启停开关S1，其第一端接地；电机变速开关S2，其第一端接地；驱动芯片U1，其第一输入引脚PA4能够与所述电机启停开关S1的第二端电连接，并通过第一输出引脚PA3输出电机启停信号，第二输入引脚PA6能够与所述电机变速开关S2的第二端电连接，并通过第二输出引脚PA2输出电机变速信号。3.如权利要求2所述的电机快速放电急停电路，其特征在于，所述信号控制电路包括：三极管Q10、电阻R10、电阻R11、电阻R12和电阻R13，所述三极管Q10的基极通过电阻R12连接至所述驱动芯片U1的第二输出引脚PA2，发射极通过电阻R11连接至所述逻辑控制电路，集电极连接5V电源，所述电阻R13与所述电阻R12并联，所述电阻R10一端共接于所述电阻R11和所述逻辑控制电路，另一端接地。4.如权利要求3所述的电机快速放电急停电路，其特征在于，所述三极管Q10为NPN型三极管，所述电阻R10、电阻R11和电阻R13的电阻值均为47kR，所述电阻R12的电阻为52R。5.如权利要求4所述的电机快速放电急停电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：三极管Q1、三极管Q3、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9、电阻R14和电阻R15，所述三极管Q9的基极经电阻R11连接所述三极管Q10的发射极，发射极接地，集电极共接于所述电阻R9和电阻R5的一端，所述三极管Q7的基极连接所述电阻R5的另一端，发射极接地，集电极连接经所述电阻R4连接至所述三极管Q3的基极，所述电阻R6一端共接于所述电阻R5的另一端与所述三极管Q7的基极，另一端共接于所述三极管Q7的基极与地线，所述三极管Q8的基极经电阻R14连接至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄嘉威，
申请(专利权)人：惠州市惠莱特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：