一种含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法，所述制备方法包括如下合成路线：其中，R1和R2分别为氢原子或烷基；所述制备方法具体包括如下步骤：a)将化合物Ⅳ与硫粉混合并加热，在加热条件下滴加液溴，经取代反应，得到含化合物Ⅲ的混合物；b)将步骤a)所得含化合物Ⅲ的混合物加入二氯甲烷和冰水进行萃取，然后有机相进行水洗，再碱洗并调节有机相pH值使水层的pH值至6～7，经浓缩、蒸馏得到化合物Ⅲ；c)将步骤b)得到的所述化合物Ⅲ、化合物Ⅱ、阻聚剂与二氯甲烷混合，并滴加三乙胺，经酯化反应，反应后混合液纯化，得到含内酯结构的光刻胶树脂单体Ⅰ。本发明专利技术的制备方法得到的产物收率高、纯度高、杂质少。杂质少。杂质少。

【技术实现步骤摘要】
一种含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法


[0001]本专利技术涉及ArF光刻胶
，具体涉及一种含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法。

技术介绍

[0002]193nm光刻胶基本为化学放大胶，化学放大胶是一种基于化学放大原理的光刻胶，其主要成分是聚合物树脂、光致产酸剂以及相应的添加剂(碱性添加剂、溶解抑制剂等)和溶剂。其中，聚合物树脂是由不同侧链结构的树脂单体之间共聚形成的，侧链结构是赋予聚合物树脂所需功能的关键组分，通常为聚合物树脂提供极性集团和酸敏基团。极性基团可以平衡树脂的亲疏水性，改善树脂与基底间的粘附性，并为主体树脂提供可显影性。酸敏基团可以在光致产酸剂作用下从侧链脱离，使树脂由不溶转变为碱可溶，实现曝光区域与未曝光区域的溶解度反差。其中，极性基团包括羟基、羧基、内酯基(如1，4
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丁内酯、δ
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环戊内酯、β,β
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二甲基
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γ
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丁内酯)等。
[0003]内酯类的树脂体系是一种广泛应用于193nm光刻胶的树脂聚合物，但是现有技术制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下合成路线：其中，R1和R2分别为氢原子或烷基；所述制备方法具体包括如下步骤：a)将化合物Ⅳ与硫粉混合并加热，在加热条件下滴加液溴，经取代反应，得到含化合物Ⅲ的混合物；b)将步骤a)所得含化合物Ⅲ的混合物加入二氯甲烷和冰水进行萃取，然后有机相进行水洗，再碱洗并调节有机相pH值使水层的pH值至6～7，经浓缩、蒸馏得到化合物Ⅲ；c)将步骤b)得到的所述化合物Ⅲ、化合物Ⅱ、阻聚剂与二氯甲烷混合，并滴加三乙胺，经酯化反应，反应后混合液纯化，得到含内酯结构的光刻胶树脂单体Ⅰ。2.如权利要求1所述的含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，在步骤a)中，还包括如下技术特征中的至少一项：a1)所述化合物Ⅳ、液溴和硫粉的摩尔比为1：(1～3)：(0.01～0.2)；a2)所述加热的温度为80～90℃；a3)所述滴加液溴的时间为2h～4h；a4)所述取代反应的温度为75～85℃，时间为2～4h。3.如权利要求1所述的含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，在步骤b)中，还包括如下技术特征中的至少一项：b1)首先向步骤a)所得含化合物Ⅲ的混合物中通惰性气体；b2)在步骤b)中，所述碱洗为饱和碳酸氢钠溶液洗涤；b3)所述蒸馏为油泵蒸馏，收集顶温为68～74℃的馏分。4.如权利要求3所述的含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，还包括如下技术特征中的至少一项：b11)在步骤b1)中，所述通惰性气体的时间为0.5～2h；b12)在步骤b1)中，所述惰性气体为氮气。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，潘新刚，余文卿，郭有壹，孙元健，邵严亮，
申请(专利权)人：徐州博康信息化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：