一种低通滤波器和电源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低通滤波器和电源电路，低通滤波器包括电阻模块，接入基准电压；电容阵列模块，与电阻模块连接，用于根据电阻模块输出的基准电压充电；电压输出模块，与电阻模块连接，并接入电源电压，用于输出可调控制电压至电阻模块，控制电阻模块的阻值在预设范围。本发明专利技术设置的电压输出模块能够输出可调控制电压，也即能够输出不同的电压值，以适应不同的温度和不同的工艺角，确保电阻模块的电阻值在预设范围内，使得低通滤波器的性能不受影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
一种低通滤波器和电源电路


[0001]本专利技术涉及滤波器
，特别涉及一种低通滤波器和电源电路。

技术介绍

[0002]为避免带隙基准源中的噪声通过LDO驱动电路进入后级电路，低通滤波器作为连接带隙基准源与LDO驱动的中间桥梁，起着至关重要的作用。想要降低低频处的噪声，就需要使截止频率足够小。
[0003]传统的低通滤波器，使用MOS电阻会受到温度和工艺的极大影响，导致MOS电阻过小或过大，使得滤波器的通带截频变化很大，进而影响滤波器的性能。
[0004]因而现有技术还有待改进和提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种低通滤波器和电源电路，能够有效解决因滤波器中MOS管电阻过大或过小进而影响滤波器性能的问题。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：
[0007]本申请实施例提供一种低通滤波器，包括：
[0008]电阻模块，接入基准电压；
[0009]电容阵列模块，与电阻模块连接，用于根据电阻模块输出的基准电压充电；
[0010]电压输出模块，与电阻模块连接，并接入电源电压，用于输出可调控制电压至电阻模块，控制电阻模块的阻值在预设范围。
[0011]在一些实施例的低通滤波器中，还包括控制模块，与电阻模块连接，并接入电源控制信号，用于根据电源控制信号控制电容阵列模块根据基准电压在预设时间内完成充电。
[0012]在一些实施例的低通滤波器中，电压输出模块包括可调电阻。
[0013]在一些实施例的低通滤波器中，电源输出模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和运算放大器，其中，第二电阻和第三电阻为可调电阻；
[0014]第一MOS管的源极、第二MOS管的源极、第七MOS管的源极、第八MOS管的源极和第五MOS管的源极均接电，第一MOS管的漏极与第三MOS管的源极连接，第二MOS管的漏极与第四MOS管的源极连接，第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极、第八MOS管的栅极和第五MOS管的栅极均与运算放大器的输出端连接，第五MOS管的漏极与第六MOS管的源极连接，第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第七MOS管的栅极和第八MOS管的栅极均与第九MOS管的漏极连接，第七MOS管的漏极与第九MOS管的漏极连接，第九MOS管的栅极与第九MOS管的漏极连接，第九MOS管的源极与第十MOS管的漏极连接，第八MOS管的漏极与第十一MOS管的漏极连接，第十MOS管和第十一MOS管的栅极均与第十一MOS管的漏极连接，第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均接地，第四MOS管的漏极和运算放大器的第一输入端与第一电阻的一端和第
三电阻的一端连接，第一电阻的另一端与第二三极管的发射极连接，第二三极管的基极、集电极和第三电阻的另一端均接地，第三MOS管的漏极和运算放大器的第二输入端均与第二电阻的一端和第一三极管的发射极连接，第二电阻的另一端、第一三极管的基极和集电极均接地，第六MOS管的漏极和第四电阻的一端均与电阻模块连接，第四电阻的另一端接地。
[0015]在一些实施例的低通滤波器中，电阻模块包括第十二MOS管，第十二MOS管栅极与第六MOS管的漏极和第四电阻的一端连接，第十二MOS管的源极接入基准电压，第十二MOS管的漏极与电容阵列模块和控制模块连接。
[0016]在一些实施例的低通滤波器中，电容阵列模块包括第十三MOS管和电容；电容的一端和第十三MOS管的栅极均与第十二MOS管的漏极连接，电容的另一端、第十三MOS管的源极和漏极均接地。
[0017]在一些实施例的低通滤波器中，控制模块包括第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管和第二十MOS管；
[0018]第二十MOS管的漏极接入基准电压，第二十MOS管的源极与第十二MOS管的漏极连接，第二十MOS管的栅极与第十八MOS管的漏极和第十九MOS管的漏极连接，第十八MOS管的源极、第十六MOS管的源极和第十四MOS管的源极均接电，第十四MOS管的栅极和第十五MOS管的栅极均接入电源控制信号，第十五MOS管的源极、第十七MOS管的源极和第十九MOS管的源极均接地，第十六MOS管的栅极和第十七MOS管的栅极均与第十四MOS管的漏极和第十五MOS管的漏极连接，第十八MOS管的栅极和第十九MOS管的栅极均与第十六MOS管的漏极和第十七MOS管的漏极连接。
[0019]在一些实施例的低通滤波器中，第十二MOS管为P沟道MOS管。
[0020]在一些实施例的低通滤波器中，第二十MOS管为P沟道MOS管。
[0021]一种电源电路，包括：
[0022]如上述的低通滤波器；
[0023]带隙基准源，与电阻模块连接，并接入电源控制信号，用于为电阻模块提供基准电压；
[0024]稳压器，与电容阵列模块和电阻模块，用于根据电阻模块输出的基准电压输出驱动电压。
[0025]相较于现有技术，本专利技术提供了一种低通滤波器和电源电路，该低通滤波器中设置的电压输出模块能够输出可调控制电压，也即能够输出不同的电压值，以适应不同的温度和不同的工艺角，确保电阻模块的电阻值在预设范围内，使得低通滤波器的性能不受影响。
附图说明
[0026]图1为本专利技术提供的低通滤波器中第一实施例的结构框图。
[0027]图2为本专利技术提供的低通滤波器中第二实施例的结构框图。
[0028]图3为本专利技术提供的低通滤波器的电路原理图。
[0029]图4为本专利技术提供的低通滤波器中电阻模块的电阻值随温度变化的示意图。
[0030]图5为本专利技术提供的低通滤波器中不同工艺角下可调控制电压随温度变化的示意图。
[0031]图6为本专利技术提供的电源电路的电路原理图。
[0032]图7为本专利技术提供的电源电路中采用不同滤波器时稳压器输出的噪声对比示意图。
具体实施方式
[0033]本专利技术的目的在于提供一种低通滤波器和电源电路，能够有效解决因滤波器中MOS管电阻过大或过小进而影响滤波器性能的问题。
[0034]为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0035]请参阅图1，本专利技术的第一实施例中提供的低通滤波器包括电阻模块100，接入基准电压Vref；电容阵列模块200，与电阻模块100连接，用于根据电阻模块100输出的基准电压Vref充电，确保输入至稳压器的电压的稳定性；电压输出模块300，与电阻模块100连接，并接入电源电压，用于输出可调控制电压Vg至电阻模块100，控制电阻模块100的阻值在预设范围。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低通滤波器，其特征在于，包括：电阻模块，接入基准电压；电容阵列模块，与所述电阻模块连接，用于根据所述电阻模块输出的所述基准电压充电；电压输出模块，与所述电阻模块连接，并接入电源电压，用于输出可调控制电压至所述电阻模块，控制所述电阻模块的阻值在预设范围。2.根据权利要求1所述的低通滤波器，其特征在于，还包括控制模块，与所述电阻模块连接，并接入电源控制信号，用于根据所述电源控制信号控制所述电容阵列模块根据所述基准电压在预设时间内完成充电。3.根据权利要求2所述的低通滤波器，其特征在于，所述电压输出模块包括可调电阻。4.根据权利要求3所述的低通滤波器，其特征在于，所述电源输出模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和运算放大器，其中，所述第二电阻和所述第三电阻为可调电阻；所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第七MOS管的源极、所述第八MOS管的源极和第五MOS管的源极均接电，所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极、所述第八MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接，第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第七MOS管的栅极和第八MOS管的栅极均与第九MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极连接，所述第九MOS管的栅极与所述第九MOS管的漏极连接，所述第九MOS管的源极与所述第十MOS管的漏极连接，所述第八MOS管的漏极与所述第十一MOS管的漏极连接，所述第十MOS管和所述第十一MOS管的栅极均与所述第十一MOS管的漏极连接，所述第十MOS管的源极和所述第十一MOS管的源极均接地，所述第四MOS管的漏极和所述运算放大器的第一输入端与所述第一电阻的一端和所述第三电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的基极、集电极和所述第三电阻的另一端均接地，第三MOS管的漏极和所述运算放大器的第二输入端均与所述第二电阻的一端和...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪喆颖，向渝，包蕾，徐小杰，
申请(专利权)人：南京迈矽科微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：