一种胶带及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供了一种胶带及其制备方法和用途。所述胶带包括依次层叠的基材层、底涂层、减粘胶层和离型膜层；所述底涂层的材料包括丙烯酸乳液和胺类交联剂。所述胶带的制备方法包括：将基材层、底涂层、减粘胶层和离型膜层依次层叠，熟化，得到所述胶带。所述胶带通过选用特定的底涂层和减粘胶层，配合基材层和离型膜层的使用，具有优异的延展性和附着性，初始粘性高，发泡后迅速脱落、无残胶，尤其适用于电感芯片的扩膜工序。片的扩膜工序。片的扩膜工序。

【技术实现步骤摘要】
一种胶带及其制备方法和用途


[0001]本专利技术属于芯片切割保护膜
，具体涉及一种胶带及其制备方法和用途。

技术介绍

[0002]电感芯片的切割工艺包括切割、倒膜、扩膜等工序；而在这些工序中，必不可少的材料是芯片保护膜，随着芯片工艺的发展，对芯片保护膜的要求也越来越高。尤其是小尺寸的芯片，切割时因为芯片间距过小，给切割造成一定难度，这就要求固定芯片的保护膜需要有很好的扩张性。
[0003]现有技术中芯片保护膜多采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材的热减粘胶膜和聚氯乙烯(PVC)基材的热减粘胶膜。例如，CN211363791U公开了一种PET热减粘双层保护膜，所述PET热减粘双层保护膜包括粘结层，第一PET膜层，第二PET膜层，第一热减粘胶层，第二热减粘胶层，第一离型纸层，第二离型纸层。所述PET热减粘双层保护膜具有表面热减粘作用，且通过引入热减粘胶层，设计成PET膜的双层结构，增大了强度，延长了整体保护膜的使用寿命和耐用性。但是PET材料的延展性差，常用于切割陶瓷电容，无法应用于较小的芯片切割。
[0004]CN111本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种胶带，其特征在于，所述胶带包括依次层叠的基材层、底涂层、减粘胶层和离型膜层；所述底涂层的材料包括丙烯酸乳液和胺类交联剂。2.根据权利要求1所述的胶带，其特征在于，所述底涂层的厚度为1～4μm；优选地，以重量份计所述底涂层的材料包括90～110份丙烯酸乳液和2～5份胺类交联剂；优选地，所述丙烯酸乳液的重均分子量为5万～10万；优选地，所述丙烯酸乳液的粘度为20～100cps；优选地，所述丙烯酸乳液的固含量为25～35％；优选地，所述丙烯酸乳液和胺类交联剂的质量比为(45～55)：1；优选地，所述胺类交联剂包括聚氮丙啶和/或N,N
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二异丙基乙胺。3.根据权利要求1或2所述的胶带，其特征在于，所述减粘胶层的厚度为25～60μm；优选地，以重量份计，所述减粘胶层的材料包括90～110份丙烯酸树脂、0.9～2.5份固化剂和2～5份发泡微球；优选地，所述丙烯酸树脂的固含量为30～40％；优选地，所述丙烯酸树脂的粘度为500～1800cps；优选地，所述丙烯酸树脂的重均分子量为50万～60万；优选地，所述丙烯酸树脂的玻璃化转变温度为
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40～
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30℃；优选地，所述固化剂包括三苯基甲烷三异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯三聚体、甲苯二异氰酸酯三聚体、异佛尔酮二异氰酸酯三聚体或硫代磷酸三(4
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苯基异氰酸酯)中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述发泡微球是具有核壳结构的发泡微球；优选地，所述核壳结构中的外壳为热塑性丙烯酸聚合物；优选地，所述核壳结构中的内壳为烷烃气体；优选地，所述发泡微球的初始粒径为3～20μm；优选地，所述发泡微球发泡后最大粒径为60～120μm。4.根据权利要求1～3任一项所述的胶带，其特征在于，所述基材层包括聚氯乙烯基材层、聚酯基材层或聚酰亚胺基材层中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阜阳，邹学良，陈洪野，吴小平，
申请(专利权)人：苏州赛伍应用技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：