采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构制造技术

本发明专利技术公开了一种采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，包括水平通道、第一喷射器、排气机构、喷淋装置和样品承载机构。初始雾化后的压印胶通过通道的入口进入该水平通道。第一喷射器布置在所述水平通道内，该第一喷射器用于喷射第一高压气体以形成第一激波。排气机构设置在所述水平通道内且位于所述第一喷射器的下游，该排气机构的内部填充有密度小于空气的气体，所述排气机构具有排气部以用于向上排出所述密度小于空气的气体。喷淋装置布置在所述排气机构的下游以于向下喷射高速气体。样品承载机构位于喷淋装置的下方。本发明专利技术的纳米压印胶的雾化喷涂结构，能够将初始雾化的压印胶进一步地雾化以形成更小的雾滴。印胶进一步地雾化以形成更小的雾滴。印胶进一步地雾化以形成更小的雾滴。

【技术实现步骤摘要】
采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构


[0001]本专利技术是关于纳米压印领域，特别是关于一种纳米压印胶的雾化喷涂结构。

技术介绍

[0002]纳米压印技术是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。该压印技术主要分为三步，第一步是模板的加工。一般使用电子束刻蚀等手段，在硅或其他衬底上加工出所需要的结构作为模板。第二步是图样的转移。在待加工的材料表面涂上压印光刻胶，然后将模板压在其表面，采用加压的方式使图案转移到光刻胶上。第三步是衬底的加工。用紫外光使光刻胶固化，然后使用化学刻蚀的方法进行加工，完成后去除全部光刻胶，最终得到高精度加工的材料。
[0003]在做转移模板以及压印过程中，都要用到涂胶等工艺。现有的涂胶工艺中，第一种是旋涂，主要工艺是在样品表面滴胶液，采用高速旋转，将样品表面多余胶液甩出样品。第二种是喷涂，主要是采用微射流，通过微射流喷嘴等，在样品表面喷涂微胶液，形成薄膜。
[0004]第一种旋涂方式，首先会造成胶液的浪费，其次就是胶液在样品的边缘，胶厚不一致，胶的质量较差。第二种喷涂方式，微射流很难保证样品表面胶膜厚度均匀。
[0005]如何将压印胶充分雾化以便均匀地喷涂在纳米压印模板上是本领域技术人员迄待解决的技术难题。
[0006]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，其能够将初始雾化的压印胶进一步地雾化以形成更小的雾滴。
[0008]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，包括水平通道、第一喷射器、排气机构、喷淋装置和样品承载机构。水平通道具有入口和出口，初始雾化后的压印胶通过所述入口进入该水平通道。第一喷射器布置在所述水平通道内，该第一喷射器用于喷射第一高压气体以形成第一激波。排气机构设置在所述水平通道内且位于所述第一喷射器的下游，该排气机构的内部填充有密度小于空气的气体，所述排气机构具有排气部以用于向上排出所述密度小于空气的气体。喷淋装置布置在所述排气机构的下游以用于向下喷射高速气体。样品承载机构位于所述喷淋装置的下方，用于放置待喷涂压印胶的样品。
[0009]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构还包括第二喷射器，布置在所述第一喷射器的下游和喷淋装置之间，该第二喷射器内填充有第二高压气体，所述第二喷射器用于喷射第二高压气体以形成第二激波。
[0010]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构还包括导流机构，布置在所述第一喷射器与所述喷淋装置之间且位于所述水平通道
内，该导流机构用于将雾化胶引导至所述样品承载机构。
[0011]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述排气机构为气垫，所述排气部为气垫表面的气孔。
[0012]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述第一喷射器具有第一开关，所述第二喷射器具有第二开关。
[0013]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构还包括导流机构。所述导流机构设在所述第一喷射器与所述第二喷射器之间且位于所述水平通道内，所述导流机构的布置位置和定向使得雾化胶被引导至与所述第二激波相遇。所述导流机构可以包括从所述水平通道的顶壁向下倾斜延伸的斜面或曲面结构，所述曲面结构例如为抛物线形式。
[0014]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述水平通道的高度介于4mm
‑
8mm之间。第一高压气体和第二高压气体的压强介于3MPa～30MPa之间。
[0015]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述喷淋装置具有气体进口和多个喷口。
[0016]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述样品承载机构上设有转轴，用于使得所述样品承载机构旋转。
[0017]与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，初始雾化的压印胶穿过在水平通道的入口，并通过一次或多次喷射高压气体，利用高压气体急速膨胀，产生激波，使雾化胶液滴进一步变小变细并将其通入到待涂胶的样品上方。另外，样品承载机构上方设置了喷淋装置，通过该喷淋装置喷射的竖直气流来下压水平气流，使雾化胶液均匀滴沉积在样品表面。此外，转轴的设置可以使得并通过待涂胶样品高速旋转，使胶液的滴落更加均匀。
附图说明
[0018]图1是根据本专利技术一实施方式的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构的整体示意图；
[0019]图2是根据本专利技术一实施方式的被雾化的压印胶涂敷待涂胶样品的示意图。
[0020]主要附图标记说明：
[0021]1‑
入口，2
‑
通道，4
‑
第一喷射器，12
‑
第二喷射器，18
‑
喷淋装置。
具体实施方式
[0022]下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0023]除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
[0024]如
技术介绍
所述，如何将压印胶充分雾化以便均匀地喷涂在纳米压印模板上是本领域技术人员急需解决的技术难题。本专利技术利用一个或多个喷射器喷射出高压气体来形成激波，以将初始雾化的压印胶进一步打散细化，形成了粒径更小的雾滴形式的纳米压印胶，从而可以更加均匀地喷涂在压印模板的图形化结构上。
[0025]如图1所示，根据本专利技术一实施方式的纳米压印胶的雾化喷涂结构，包括通道2。该通道2大致呈水平方向布置且具有入口1和出口20。在该通道2内设有第一喷射器4，该第一喷射器4内填充有第一高压气体5。所述第一高压气体可以是氮气，也可以是氢气及氩气等气体。该第一喷射器4用于喷射第一高压气体5以形成第一激波。通过超声或者冲波等方式得到了初始雾化压印胶与空气、氮气或者氩气等的混合气体，该混合气体从入口1进入到通道2内。在运动至第一喷射器4附近时，由于第一喷射器4内的第一高压气体5会形成激波，使得所述混合气体会瞬间膨胀，导致该混合气体进一步雾化成更小雾滴。
[0026]具体地，在一实施方式当中，第一喷射器4优选地可以布置在通道2的入口1附近且设置于通道2的上壁7。第一喷射器4可以设置第一开关6。该第一开关6可以采用电磁阀等控制，使之可以周期性开关，开关频率不做限制。随着开关的瞬间开闭，在第一喷射器4的喷射位置附近(即第一位置3)会形成激波。当初始雾化后的压印胶气体通过入口1进入通道2内并运动至第一位置3的时候，由于第一开关6的开闭使得第一喷射器4工作，从而在该第一位置3附近形成激波。初始雾化后的压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，其特征在于，包括：水平通道，具有入口和出口，初始雾化后的压印胶通过所述入口进入该水平通道；第一喷射器，布置在所述水平通道内，所述第一喷射器内填充有第一高压气体，且所述第一喷射器用于喷射第一高压气体以形成第一激波；排气机构，设置在所述水平通道内且位于所述第一喷射器的下游，该排气机构的内部填充有密度小于空气的气体，所述排气机构具有排气部以用于向上排出所述密度小于空气的气体；喷淋装置；布置在所述排气机构的下游，该喷淋装置用于向下喷射高速气体；以及样品承载机构，位于所述喷淋装置的下方，该样品承载机构的上表面用于放置待喷涂压印胶的样品。2.如权利要求1所述的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，其特征在于，还包括第二喷射器，布置在所述第一喷射器的下游和喷淋装置之间，该第二喷射器内填充有第二高压气体，所述第二喷射器用于喷射第二高压气体以形成第二激波。3.如权利要求2所述的采用高压气体的纳米压印胶的雾化喷涂结构，其特征在于，还包括导流机构，布置在所述第一喷射器与所述喷淋装置之间且位于所述水平通道内，该导流机构用于将雾化胶引导至所述样品承载机构。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗刚，
申请(专利权)人：罗刚，
类型：发明
国别省市：