显示面板制造技术

一种显示面板包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极、第一有源层、以及第一栅极。所述第二薄膜晶体管包括第二源极、第二漏极、第二有源层、以及第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的电子迁移率。所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的阈值电压偏移量小于或等于所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的阈值电压偏移量。一有源层的阈值电压偏移量。一有源层的阈值电压偏移量。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种能应用于大尺寸显示装置并且具有双薄膜晶体管的显示面板。

技术介绍

[0002]低温多晶硅(low
‑
temperature polycrystalline silicon，LTPS)薄膜晶体管因为其高电子迁移率以及短响应时间的驱动特性而被广泛应用于智慧型手机以及平板电脑等小尺寸显示装置的显示面板中。然而，因为所述低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较大，为避免所述显示面板出现图像延时而影响显示画面的切换，而被设定为高刷新率，造成所述低温多晶硅薄膜晶体管充电时间较短。
[0003]另外，采用诸如铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)等金属氧化物的薄膜晶体管的漏电流较小以及稳定度较高，因此可以用于降低所述显示面板刷新率。然而，所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电子迁移率相对于所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述电子迁移率较低，因此所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管需要较高的驱动电压。
[0004]为了充分利用所述低温多晶硅薄膜晶体管的高电子迁移率、以及所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管的低漏电流的特点，现有技术设计出一种结合所述低温多晶硅薄膜晶体管以及所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管的显示面板，即低温多晶硅氧化物(low
‑
temperature polycrystalline oxide，LTPO)显示面板。
[0005]所述低温多晶硅薄膜晶体管需要一定比例的氢(H)原子以钝化P型硅(P
‑r/>Si)半导体以及其与N型硅(N
‑
Si)半导体的界面的悬空键，以减少所述P型硅半导体以及其与所述N型硅半导体的所述界面的缺陷。而对于所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管，高比例的氢原子会破坏所述铟镓锌氧化物中的氧(O)原子空位以及金属原子与氧原子的化学键(Metal
‑
O)的平衡，进而导致所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管阈值电压偏移量(V
th
)负向漂移。因此，所述低温多晶硅薄膜晶体管以及所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管彼此的兼容性较低、制造难度高。
[0006]所述低温多晶硅氧化物显示面板的制程复杂，所述低温多晶硅薄膜晶体管的制程必须与所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制程分别进行。虽然现有技术能够通过工艺制程调试，使得所述低温多晶硅薄膜晶体管以及所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管顺利结合，但是所述低温多晶硅薄膜晶体管在大尺寸显示装置的制程中，所述低温多晶硅的结晶均一性较差，这将会影响所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述电子迁移率以及阈值电压偏移量。并且，为了所述低温多晶硅薄膜晶体管以及所述铟镓锌氧化物薄膜晶体管彼此的兼容性，使得所述低温多晶硅氧化物显示面板很难应用于所述大尺寸显示装置。因此，目前所述低温多晶硅氧化物显示面板仅能应用于智慧型手表、智慧型手环等小尺寸显示装置。
[0007]由于现有技术的所述低温多晶硅氧化物显示面板具有无法应用于所述大尺寸显示装置的技术问题，因此需要一种能应用于大尺寸显示装置并且具有双薄膜晶体管的显示面板，来解决上述的技术问题。

技术实现思路

[0008]本专利技术提供一种能应用于大尺寸显示装置并且具有双薄膜晶体管的显示面板。所述显示面板包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极、第一有源层、以及第一栅极。所述第二薄膜晶体管包括第二源极、第二漏极、第二有源层、以及第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的电子迁移率。所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的阈值电压偏移量小于或等于所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的阈值电压偏移量。
[0009]在一实施例中，所述显示面板还包括数据线、扫描线、以及发光单元。所述数据线电性连接所述第一薄膜晶体管的所述第一源极。所述扫描线电性连接所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极。所述发光单元包括第一电极以及与第一电极相对的第二电极。所述第一电极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二源极。
[0010]在一实施例中，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的所述电子迁移率大于或等于20平方厘米/(伏特
·
秒)。
[0011]在一实施例中，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述阈值电压偏移量小于或等于1伏特。
[0012]在一实施例中，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的材料包括铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物、锡氧化物、以及其组合。
[0013]在一实施例中，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的材料包括参杂稀土金属元素或是氟系化合物的金属氧化物。
[0014]在一实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第三有源层。所述第三有源层与所述第一有源层叠层设置。所述第三有源层两端的非沟道区分别电性连接所述第一有源层两端的非沟道区。所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层以及所述第三有源层的平均电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述电子迁移率。
[0015]在一实施例中，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层以及所述第三有源层的所述平均电子迁移率大于或等于20平方厘米/(伏
·
秒)。
[0016]在一实施例中，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的材料与所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的材料相同。
[0017]在一实施例中，所述第一薄膜晶体管的所述第三有源层的材料包括铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物、锡氧化物、以及其组合。在所述第一薄膜晶体管中，所述第一有源层的材料与所述第三有源层的所述材料不同。
[0018]本专利技术提供的一种能应用于大尺寸显示装置的所述显示面板包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括所述第一源极、所述第一漏极、所述第一有源层、以及所述第一栅极。所述第二薄膜晶体管包括所述第二源极、所述第二漏极、所述第二有源层、以及所述第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的所述电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述电子迁移率。所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述阈值电压偏移量小于或等于所述第一薄膜晶体管的所述第一有
源层的所述阈值电压偏移量。更进一步地，所述第一薄膜晶体管还包括第三有源层。所述第三有源层与所述第一有源层叠层设置，使得所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层以及所述第三有源层的所述平均电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述电子迁移率。通过所述显示面的双薄膜晶体管的结构设计、以及所述第一薄膜晶体管的双有源层的结构设计，本专利技术得以将所述第一薄膜晶体管得用作短响应时间的开关薄膜晶体管，并且将所述第二薄膜晶体管用作高稳定性的驱动晶体管。并且，双有源层的所述第一薄膜晶体管，能够提高制造良率，进而解决现有技术中的低温多晶硅氧化物显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一有源层、以及第一栅极；以及第二薄膜晶体管，包括第二源极、第二漏极、第二有源层、以及第二栅极；其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的电子迁移率，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的阈值电压偏移量小于或等于所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的阈值电压偏移量。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：数据线，电性连接所述第一薄膜晶体管的所述第一源极；扫描线，电性连接所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极；以及发光单元，包括第一电极以及与第一电极相对的第二电极，所述第一电极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二源极。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的所述电子迁移率大于或等于20平方厘米/(伏特
·
秒)。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述阈值电压偏移量小于或等于1伏特。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：