一种高速高稳态电平位移电路制造技术

本发明专利技术公开一种高速高稳态电平位移电路，属于模拟电路领域。PMOS管MP3、MP4和PMOS管MP5、MP6构成两组瞬态增强结构，利用其可实现当输入低压逻辑控制信号V

【技术实现步骤摘要】
一种高速高稳态电平位移电路


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路
，特别涉及一种高速高稳态电平位移电路。

技术介绍

[0002]在高压多电源供电芯片中，电平位移(Level Shift)电路用于实现驱动模块中控制信号在不同电源域之间的转换，其通过将低压逻辑控制信号转换为高压驱动控制信号后，最终实现对高压功率管的开启及关断控制。Level Shift连接低压控制及高压驱动输出电路，为高压多电源供电芯片中关键模块，其决定了整个芯片性能和可靠性上限。传统Level Shift受其设计架构固有缺陷影响，无法在转换速度、静态电流和工作稳定性等多方面达到良好的综合平衡，仅可针对某一特定性能指标进行优化，普遍具有初始状态不定、转换延时大、静态电流高、电路结构复杂和适用电压域受限等问题。
[0003]传统电平位移电路架构如图1所示，其采用可加速控制信号转换的交叉耦合形式。V
IN
为低压逻辑控制信号，V
DD_L
为低电压域模块供电电源，V
DD_H
为高电压域模块供电电源。V
IN...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速高稳态电平位移电路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN6、PMOS管MP1～MP6、电流源I1～I2以及反向器INV1；其中，NMOS管MN1的漏端接PMOS管MP1的漏端，NMOS管MN1的栅端接低压逻辑控制信号V
IN
；NMOS管MN2的漏端接PMOS管MP2的漏端，NMOS管MN2的栅端接反相器INV1的输出端；NMOS管MN3的漏端接NMOS管MN5的源端，NMOS管MN3的栅端接反相器INV1的输出端；NMOS管MN4的漏端接电流源I2的上端，栅端接低压逻辑控制信号V
IN
；NMOS管MN5的漏端接PMOS管MP4的漏端，NMOS管MN5的栅端接NMOS管MN2的漏端，NMOS管MN5的源端接NMOS管MN3的漏端；NMOS管MN6的漏端接PMOS管MP6的漏端，NMOS管MN6的栅端接NMOS管MN1的漏端，NMOS管MN6的源端接NMOS管MN4的漏端；PMOS管MP1的漏端接NMOS管MN1的漏端，PMOS管MP1的栅端接PMOS管MP2的漏端；PMOS管MP2的漏端接NMOS管MN2的漏端，PMOS管MP2的栅端接PMOS管MP1的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚冬杰，徐晴昊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：